三極管和MOS管的開關(guān)功能哪個略勝一籌我們在做電路設(shè)計中三極管和mos管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜,，MOS管貴。3,、功耗問題：三極管損耗大,。4、驅(qū)動能力：MOS管常用來電源開關(guān),，以及大電流地方開關(guān)電路,。實際上就是三極管比較便宜，用起來方便,，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制,。MOS管用于高頻高速電路,，大電流場合,，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合,，普通應(yīng)用的先考慮用三極管,，不行的話考慮MOS管實際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的,。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白,。三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例,，當(dāng)基極加不加電壓時,，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運動,，在此pn結(jié)處會感應(yīng)出2020-08-30三極管的原理,開關(guān)ON和OFF,三個三極管是怎么導(dǎo)通的閉合開關(guān),，TR1導(dǎo)通致使TR2截止，使TR3基極電平升高,，導(dǎo)通燈亮,，斷開開關(guān)時，TR1截止TR2導(dǎo)通,，TR3截止燈滅2020-08-30三極管怎樣做開關(guān)三極管在飽和導(dǎo)通(發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是正偏置)時,其CE極間電壓很小,比PN結(jié)的導(dǎo)通電壓還要低(硅管在),。MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件，可以用作電子開關(guān),、可控整流等,，是一種電壓驅(qū)動型的器件。浙江加工MOS管

    也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象,，可見采用MOS管作為開關(guān)管,，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后,，開關(guān)管損壞率降低也是一個極好的證明,。11、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是,，幾乎是直通,，有一個極低的壓降,，稱為飽和壓降，既然有一個壓降,，那么也就是,；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律）,，而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用,，在飽和導(dǎo)通后也存在一個阻值極小的電阻，但是這個電阻等效一個線性電阻,，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關(guān)系,，電流大壓降就大，電流小壓降就小,，導(dǎo)通后既然等效是一個線性元件,，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個電阻并聯(lián)在一起,，就有一個自動電流平衡的作用,，所以MOS管在一個管子功率不夠的時候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用,，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）,。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上11項優(yōu)點,，就足以使MOS管在開關(guān)運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管,。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V。浙江加工MOS管雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,，在輸出端輸出一個大的電流變化,。

    1.三個極的判定G極(gate)—柵極，不用說比較好認(rèn)S極(source)—源極,，不論是P溝道還是N溝道,，兩根線相交的就是D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道,，是單獨引線的那邊,，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向,，那一極連接輸出端2>控制極電平為,？V時MOS管導(dǎo)通3>控制極電平為？V時MOS管截止NMOS：D極接輸入,，S極接輸出PMOS：S極接輸入,，D極接輸出反證法加強(qiáng)理解NMOS假如：S接輸入，D接輸出由于寄生二極管直接導(dǎo)通,，因此S極電壓可以無條件到D極,，MOS管就失去了開關(guān)的作用PMOS假如：D接輸入,，S接輸出同樣失去了開關(guān)的作用—導(dǎo)通時Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時導(dǎo)通P溝道—導(dǎo)通時Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時導(dǎo)通總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管,，BJT是電流控制器件,；FETFieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）,、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的,。

    P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等,。3,、MOSMOS管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內(nèi),，保存時好放在金屬盒內(nèi),，同時也要注意管的防潮。4,、為了防止MOS管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測試儀器、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時,，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,。當(dāng)然,，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接MOS管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關(guān)斷電源時,，不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用MOS管時必須注意,。5,、在安裝MOS管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動,，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時,，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行,，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。6,、使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，大功率才能達(dá)到30W,。7、多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加,，使放大器的高頻特性變壞。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）,。

    不存在少子儲存效應(yīng),，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間,，工作頻率可達(dá)100kHz以上,，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象,，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）,。10、無二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象,，而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升,，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán),。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降,，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿,，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象,，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時,，溝道電流IDS反而下降,。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管,，當(dāng)VGS控制電壓不變時,，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時,，IDS降低到2A,，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿,。MOS管有 三個引腳名稱：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極,。浙江加工MOS管

N-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差超過閾值時，D極和S極導(dǎo)通,。浙江加工MOS管

    我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚,，十分抱歉，建議雙擊放大觀看）,。從圖中可以看出,，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌,，這個下跌點后又有一段的上升時間,，這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺,，如果二次上升平臺過大,，那么在變壓器余量設(shè)計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效,。3：合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等，大電流等,，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的,，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的,。1,、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類型,，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底,。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,，比較常用的是NMOS。浙江加工MOS管

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