所述工裝槽321設(shè)置在向上翹起的所述端部上,。這樣,，所述壓緊部上設(shè)置有所述工裝槽的部分就不會(huì)貼合在igbt單管上，方便從所述工裝槽內(nèi)退出工裝,。如圖1所示，可選的,，所述igbt單管2的數(shù)量為一個(gè)以上,，各所述igbt單管2成排設(shè)置在所述安裝板1上。本實(shí)施例中,，應(yīng)當(dāng)理解的是,，各所述igbt單管之間相互并聯(lián)，且各所述igbt單管之間的并聯(lián)方法屬于現(xiàn)有技術(shù),，例如：各所述igbt單管通過(guò)母線銅排相并聯(lián),，本實(shí)施例對(duì)各所述igbt單管之間的電連接關(guān)系不再贅述。各所述igbt單管成排布置,，一方面方便對(duì)各所述igbt單管進(jìn)行辨認(rèn)和電連接,，另一方面還便于各所述壓緊件的布置。如圖1和圖2所示,，可選的,，所述壓緊件3的數(shù)量與所述igbt單管2的排數(shù)相等,，每個(gè)所述壓緊件3將其中一排所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,，一個(gè)所述壓緊件可以將一排所述igbt單管抵壓在所述安裝板,，可以**的提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2所示,，可選的,，所述壓緊件3的連接板31呈長(zhǎng)條狀，所述壓緊件3包括一個(gè)以上的所述壓緊部32,，各所述壓緊部32沿所述連接板31的長(zhǎng)度方向依次連接在所述連接板31的上端,。本實(shí)施例，每個(gè)所述壓緊部下方可以安裝一個(gè)igbt單管,，這樣,，相比于將所述壓緊部做成長(zhǎng)條狀。IGBT模塊輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。江西有什么模塊報(bào)價(jià)表

    測(cè)試溫度范圍Tj=25°及125°,。IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿(mǎn)足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí),、電流等級(jí),、溫度、機(jī)械壓力,、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行,。1）動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示,。1）圖2IGBT開(kāi)通過(guò)程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2,、圖3所示。圖2IGBT開(kāi)通過(guò)程及其參數(shù)定義圖3IGBT關(guān)斷過(guò)程及其參數(shù)定義表格2可測(cè)量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)上升時(shí)間tr下降時(shí)間tf開(kāi)通時(shí)間ton關(guān)斷時(shí)間toff開(kāi)通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff柵極電荷Qg短路電流ISC//可測(cè)量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)參數(shù)名稱(chēng)符號(hào)反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr反向恢復(fù)時(shí)間trr反向恢復(fù)損耗Erec*2）動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)表格4IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)指標(biāo)主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150～1500V150～500V±3%±1V,；500～1000V±2%±2V,；1000～1500V±1%±5V；150～1500VIc集射極電流1～1200A1～200A±3%±1A,；200～1200A±3%±2A,。福建有什么模塊批發(fā)IGBT模塊又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性.

    采用焊接或粘接等方式將主電極6,、連接橋板5,、絕緣體7以及底板l可靠的固定連接，外殼9則固定在底板1上,，外殼9的頂部具有定位凹槽91,。見(jiàn)圖1所示，本實(shí)用新型的主電極6為兩個(gè)以上折邊的條板,，同樣經(jīng)彎曲后的主電極6也具有吸收和釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的特點(diǎn),，主電極6的內(nèi)側(cè)與連接橋板5固定連接，主電極6的另一側(cè)穿出外殼9并彎折后覆在外殼9頂部,，而覆在外殼9頂部的主電極6上設(shè)有過(guò)孔61,，該過(guò)孔61與殼體9上的定位凹槽91對(duì)應(yīng)，定位凹槽91的槽邊至少設(shè)有兩個(gè)平行的平面,，可對(duì)螺母進(jìn)行定位,，由于主電極6不受外力，可保證二極管芯片3不受外力影響,，在定位凹槽91的下部設(shè)有過(guò)孔,，保證螺栓不會(huì)頂在殼體9上，而下過(guò)渡層4,、二極管芯片3,、上過(guò)渡層2、連接橋板5,、絕緣體7以及主電極6—側(cè)的外周灌注軟彈性膠8密封,，將連接區(qū)域保護(hù)密封，***再用環(huán)氧樹(shù)脂灌注充滿(mǎn)殼體空間,。權(quán)利要求1,、一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板(1),、二極管芯片(3),、主電極(6)以及外殼(9)，其特征在于所述二極管芯片(3)的下端面通過(guò)下過(guò)渡層(4)固定連接在底板(1)上,，二極管芯片(3)的上端面通過(guò)上渡層(2)與連接橋板(5)的一側(cè)固定連接，連接橋板(5)是具有兩個(gè)以上折彎的條板,，連接橋板(5)的另一側(cè)通過(guò)絕緣體,。

    可通過(guò)連接橋板的變形來(lái)釋放所受到的應(yīng)力，加之主電極也為折彎的條板,，主電極的一側(cè)固定連接在連接橋板上,，使主電極也能釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，因此可通過(guò)連接橋板以及主電極降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，有效地降低了二極管在長(zhǎng)期工作中因機(jī)械震動(dòng)以及發(fā)熱所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,。2,、本實(shí)用新型由于在殼體的頂部設(shè)有用于緊固件定位用的定位凹槽，而覆在殼體頂部的主電極上設(shè)有過(guò)孔并與殼體上的定位凹槽對(duì)應(yīng),，由于螺釘安裝時(shí)的力矩方向?yàn)樗椒较?，因此在模塊裝配及電極裝配的過(guò)程中，主電極不再受外部機(jī)械應(yīng)力的影響,，故二極管芯片沒(méi)有機(jī)械應(yīng)力的作用,，在工作運(yùn)行時(shí)也不會(huì)受到機(jī)械應(yīng)力的影響，提高了二極管工作可靠性,。3,、本實(shí)用新型通過(guò)軟彈性膠對(duì)下過(guò)渡層、二極管芯片,、上過(guò)渡層,、連接橋板、絕緣體以及主電極灌注密封,，因此二極管芯片能通過(guò)軟彈性膠進(jìn)行保護(hù),，不僅使連接橋板和主電極能釋放因振動(dòng)而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力以及工作中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，而且通過(guò)軟彈性膠使熱應(yīng)力不會(huì)作用于二極管芯片上,，因此二極管工作可靠性得到很大提高,。以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1是已有非絕緣雙塔型二極管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,。光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,。

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征,。簡(jiǎn)單講,，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等,。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)?*器件,，是電力電子裝置的“CPU”,。采用IGBT進(jìn)行功率變換,，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),。IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件,。其外部有三個(gè)電極,，分別為G-柵極，C-集電極,，E-發(fā)射極,。在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)溝道消失,，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結(jié)處于反偏,，IGBT呈反向阻斷狀態(tài),。3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí)。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。上海節(jié)能模塊

它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 ,、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分,。江西有什么模塊報(bào)價(jià)表

    其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容,、CGC是柵極-集電極電容或稱(chēng)米勒電容（MillerCapacitor）,。門(mén)極輸入電容Cies由CGE和CGC來(lái)表示，它是計(jì)算IGBT驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù),。該電容幾乎不受溫度影響,，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies的值,，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),，因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中,，加在集電極上C的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V時(shí)要大一些(如圖2),。由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V)而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,，在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)（Miller效應(yīng)）在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi)，在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值大很多,。因此,，在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。贊賞共11人贊賞本站是提供個(gè)人知識(shí)管理的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)空間,，所有內(nèi)容均由用戶(hù)發(fā)布,，不**本站觀點(diǎn)。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容,，請(qǐng)點(diǎn)擊這里或撥打24小時(shí)舉報(bào)電話(huà)：與我們聯(lián)系,。轉(zhuǎn)藏到我的圖書(shū)館獻(xiàn)花（0）+1分享：微信QQ空間QQ好友新浪微博推薦給朋友來(lái)自：王利剛QWE>。江西有什么模塊報(bào)價(jià)表

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