對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上,。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管,，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制,，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗,，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。為解釋MOS管工作原理圖,，我們先了解一下含有一個P—N結(jié)的二極管的工作過程,。如圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極,，N端接負極）時,，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過,。這是因為在P型半導(dǎo)體端為正電壓時,，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運動,，從而形成導(dǎo)通電流,。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極,，N端接正極）時,，這時在P型半導(dǎo)體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,，負電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過,，二極管截止,。對于MOS管（見圖），在柵極沒有電壓時,，由前面分析可知,，在源極與漏極之間不會有電流流過,，此時MOS管與截止狀態(tài)（圖a）。當有一個正電壓加在N溝道的MOS管,。MOS管柵極上時,，由于電場的作用。MOS管是壓控器件,，作為開關(guān)時,，NMOS只要滿足Vgs>Vgs(th)即可導(dǎo)通，PMOS只要滿足Vgs,。哪些是MOS管銷售價格

    首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。這個器件有兩個電極，一個是金屬,，另一個是extrinsicsilicon(外在硅),，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body,。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate,。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地,，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V,。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場,。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位,，P型硅負電位,。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面,。這個電場太弱了,，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小,。當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況,。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來,。同時,，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況,。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅,。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion,，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel,。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累,。哪些是MOS管銷售價格MOS,，是MOSFET的縮寫。

    當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時,，不會形成channel,。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了,。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V）,，（B）反轉(zhuǎn)（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）,。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況,。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子,。硅表層看上去更重的摻雜了,，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管,。Gate,，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域,。其中一個稱為source,，另一個稱為drain,。假設(shè)source和backgate都接地,，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓,，就不會形成channel,。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate,。如果GATE電壓超過了閾值電壓,，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅,。由電子組成的電流從source通過channel流到drain,。總的來說,，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時,，才會有drain電流。

    而漏極一端電壓小,，其值為VGD=vGS－vDS,，因而這里溝道薄,。但當vDS較小（vDS隨著vDS的增大,，靠近漏極的溝道越來越薄,，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預(yù)夾斷,，如圖2(b)所示,。再繼續(xù)增大vDS，夾斷點將向源極方向移動,，如圖2(c)所示,。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū)，故iD幾乎不隨vDS增大而增加,，管子進入飽和區(qū),，iD幾乎由vGS決定。N溝道增強型MOS管的特性曲線,、電流方程及參數(shù)（1）特性曲線和電流方程1）輸出特性曲線N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1(a)所示,。與結(jié)型場效應(yīng)管一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區(qū)、飽和區(qū),、截止區(qū)和擊穿區(qū)幾部分,。2）轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1(b)所示,由于場效應(yīng)管作放大器件使用時是工作在飽和區(qū)(恒流區(qū)),此時iD幾乎不隨vDS而變化,即不同的vDS所對應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線幾乎是重合的,所以可用vDS大于某一數(shù)值(vDS＞vGS-VT)后的一條轉(zhuǎn)移特性曲線代替飽和區(qū)的所有轉(zhuǎn)移特性曲線。3）iD與vGS的近似關(guān)系與結(jié)型場效應(yīng)管相類似,。在飽和區(qū)內(nèi),iD與vGS的近似關(guān)系式為式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD,。（2）參數(shù)MOS管的主要參數(shù)與結(jié)型場效應(yīng)管基本相同，只是增強型MOS管中不用夾斷電壓VP,。工作溫度范圍很寬,，從-55°C至+150°C左右。

    對于電池供電的便攜式電子設(shè)備來說,，電路的工作電壓低(以鋰電池為例,，工作電壓～)，因此,，電源芯片的工作電壓較低,。MOS管具有很低的導(dǎo)通電阻，消耗能量較低,，在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作為功率開關(guān),。但是由于MOS管的寄生電容大，一般情況下NMOS開關(guān)管的柵極電容高達幾十皮法,。這對于設(shè)計高工作頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)管驅(qū)動電路的設(shè)計提出了更高的要求,。在低電壓ULSI設(shè)計中有多種CMOS、BiCMOS采用自舉升壓結(jié)構(gòu)的邏輯電路和作為大容性負載的驅(qū)動電路,。這些電路能夠在低于1V電壓供電條件下正常工作,，并且能夠在負載電容1～2pF的條件下工作頻率能夠達到幾十兆甚至上百兆赫茲,。本文正是采用了自舉升壓電路，設(shè)計了一種具有大負載電容驅(qū)動能力的,，適合于低電壓,、高開關(guān)頻率升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動電路。電路基于SamsungAHP615BiCMOS工藝設(shè)計并經(jīng)過Hspice仿真驗證,，在供電電壓,，負載電容為60pF時，工作頻率能夠達到5MHz以上,。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量,，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗,。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右,，幾毫歐的也有,。MOS管有 三個引腳名稱：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極。哪些是MOS管銷售價格

放大倍數(shù)大,、噪聲小,、功耗低等優(yōu)良性能。哪些是MOS管銷售價格

    低壓mos管與高壓mos管的區(qū)別是什么,？如何分類,？一、MOS的構(gòu)造MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻,、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極,，分別作為漏極D和源極S,。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜,，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管,。它的柵極和其它電極間是絕緣的,。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻,、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū),，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管,。圖1-1所示（a）,、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號,。二、MOS管的分類MOSFET是FET的一種（另一種是JFET）,，可以被制造成增強型或耗盡型,，P溝道或N溝道4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種。MOS管的分類方法有多種分類方法：1,、按電壓分類可分為中低壓mos管和高壓mos管2,、按功率分類可分為大功率、率和小功率mos管3,、可分為結(jié)型管和絕緣柵型(1),、結(jié)型管。哪些是MOS管銷售價格

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