即檢測輸入端或直流端的總電流,，當(dāng)此電流超過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，***所有IGBT輸入驅(qū)動(dòng)脈沖,，使輸出電流降為零,。這種過載過流保護(hù)，一旦動(dòng)作后,要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作,。IGBT能夠承受很短時(shí)間的短路電流,，能夠承受短路電流的時(shí)間與該IGBT的飽和導(dǎo)通壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長,。如飽和壓降小于2V的IGBT允許的短路時(shí)間小于5μS,，而飽和壓降為3V的IGBT的允許短路時(shí)間可達(dá)15μS，4～5V時(shí)可達(dá)到30μS以上,。存在以上的關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低,，IGBT的阻抗也降低，短路電流同時(shí)增大,，短路時(shí)的功耗隨著電流的平方增大,，造成承受短路時(shí)間迅速減小。通常采取的保護(hù)措施有軟關(guān)斷和降柵壓兩種,。軟關(guān)斷是指在過流和短路時(shí),，直接關(guān)斷IGBT。但是,，軟關(guān)斷抗干擾能力差,，一旦檢測到過流信號(hào)就關(guān)斷，很容易發(fā)生誤動(dòng)作,。為增加保護(hù)電路的抗干擾能力,，可在故障信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作之間加一延時(shí)，不過故障電流會(huì)在這個(gè)延時(shí)時(shí)間內(nèi)急劇上升，**增加了故障損耗,，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致器件的di/dt過大,。所以往往是保護(hù)電路啟動(dòng)了，器件依然損壞了,。降柵壓旨在檢測到器件過流時(shí),，馬上降低柵壓，但器件仍維持導(dǎo)通,。降柵壓后,，設(shè)有固定延時(shí)，故障電流在這一段時(shí)間內(nèi)被限制在一個(gè)較小的值,。外加正向電壓較小時(shí),，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零,。吉林模塊代理價(jià)錢

1.2正向特性1）外加正向電壓較小時(shí),，二極管呈現(xiàn)的電阻較大，正向電流幾乎為零,，曲線OA段稱為不導(dǎo)通區(qū)或死區(qū),。一般硅管的死區(qū)電壓約為0.5伏，鍺的死區(qū)電壓約為0.2伏,，該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓,。2）當(dāng)外加正向電壓超過死區(qū)電壓時(shí)，PN結(jié)內(nèi)電場幾乎被抵消,，二極管呈現(xiàn)的電阻很小,，正向電流開始增加，進(jìn)入正向?qū)▍^(qū),，但此時(shí)電壓與電流不成比例如AB段,。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直,，伏安關(guān)系近似線性,，處于充分導(dǎo)通狀態(tài)。3）二極管導(dǎo)通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降）,，且?guī)缀鹾愣?。硅管的管壓降約為0.7V，鍺管的管壓降約為0.3V,。河南模塊檢測并用塑料,、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構(gòu)成了晶體二極管,，如下圖所示,。

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降，還會(huì)造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過沖電壓,。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源,，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開始上升,，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型,。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差,，但能量消耗較小,。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無感吸收電容,，它的引線應(yīng)盡量短,，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開通和快軟恢復(fù)二極管,，以免產(chǎn)生開通過電壓,，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過電壓。,，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低,，以盡量消除其負(fù)面影響,；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開通過程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮,；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率,，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達(dá)到短路保護(hù)的目的,。

西門康IGBT正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的,，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用),，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi),?；谶@些優(yōu)異的特性，西門康IGBT一直***使用在超過300V電壓的應(yīng)用中,，模塊化的西門康IGBT可以滿足更高的電流傳導(dǎo)要求,，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷提高，今后將有更大的發(fā)展。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用,，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng),。

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合,，晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡單的優(yōu)點(diǎn);但是,，在200V或更高電壓的場合,，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加，使得其功耗大幅增加,，存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?，雖然可以得到高耐壓,、大容量的元件，但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大,，控制電路非常復(fù)雜,，而且交換速度不夠快。二極管由管芯,、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成,。管芯是一個(gè)PN結(jié)。節(jié)能模塊廠家供應(yīng)

電流等級(jí)從6 A到3600 A不等,。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,，高至數(shù)兆瓦。吉林模塊代理價(jià)錢

    Le是射極回路漏電感,，用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負(fù)載,。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時(shí)刻,，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài),，柵極驅(qū)動(dòng)電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定,，上升較快,。到t1時(shí)刻。Uge達(dá)到柵極門檻值(約4~5V),，集電極電流開始上升,。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個(gè)：一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負(fù)反饋?zhàn)饔?；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時(shí)刻,，Ic達(dá)到比較大值,，集射極電壓Uce下降，同時(shí)Cgc放電,，驅(qū)動(dòng)電路電流增大,，使得Rg和R上分壓加大，也造成Uge下降,。直到t3時(shí)刻,，Uce降為0，Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,，Uge才以較快的上升率達(dá)到比較大值。IGBT關(guān)斷波形如圖2c所示,。T0時(shí)刻?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓開始下降,，到t1時(shí)刻達(dá)到剛能維持Ic的水下，lGBT進(jìn)入線性工作區(qū),，Uce開始上升,，對(duì)Cgc、Cge充電,，由于對(duì)兩個(gè)寄生電容的耦合充電作用,，使得在t1~t2期間，Uge基本不變,。在t3時(shí)刻,，Uce上升結(jié)束，Uge和Ic以柵極-發(fā)射極間固有阻抗下降為0,。通過以上分析可知,，對(duì)IGBT開通關(guān)斷過程影響較大的因素是驅(qū)動(dòng)電路的阻杭、Le和Cge,。因此在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,，應(yīng)選擇Cgc較小的IGBT，并通過合理布線,、選擇合理電阻等方法改善開通與關(guān)斷的過程,。，四路驅(qū)動(dòng)電路完全相同,。吉林模塊代理價(jià)錢

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