RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降,，還會(huì)造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過沖電壓,。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源,，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開始上升,，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型,。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差,，但能量消耗較小,。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無感吸收電容,，它的引線應(yīng)盡量短,，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開通和快軟恢復(fù)二極管,，以免產(chǎn)生開通過電壓,，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過電壓。,，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負(fù)面影響,；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開通過程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響,，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率,，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值,，達(dá)到短路保護(hù)的目的。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞,，因此除穩(wěn)壓管外,，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。安徽進(jìn)口模塊推薦貨源

    ⑷在工作電流較大的情況下,，為了減小關(guān)斷過電壓,，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無感型,；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng),，都具有一個(gè)～5V的閾值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗,，因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠,，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短,；⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動(dòng)源對(duì)柵極電容充放電,，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小,。另外,，IGBT開通后，柵極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)能提供足夠的功率,，使IGBT不退出飽和而損壞,；⑺驅(qū)動(dòng)電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時(shí),，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,，但負(fù)載短路時(shí)的Ic增大，IGBT能承受短路電流的時(shí)間減小,，對(duì)其安全不利,，因此在有短路過程的設(shè)備中Uge應(yīng)選得小些，一般選12～15V,；在關(guān)斷過程中,，為盡快抽取PNP管的存儲(chǔ)電荷，須施加一負(fù)偏壓Uge,但它受IGBT的G,、E間**大反向耐壓限制,，一般取1～10V,；⑻在大電感負(fù)載下，IGBT的開關(guān)時(shí)間不能太短,，以限制出di/dt形成的尖峰電壓,，確保IGBT的安全；⑼由于IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場合,，故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離,；⑽IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能簡單實(shí)用，**好自身帶有對(duì)IGBT的保護(hù)功能,。進(jìn)口模塊成本價(jià)二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關(guān)系,。

1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時(shí)，加強(qiáng)了PN結(jié)的內(nèi)電場,，二極管呈現(xiàn)很大電阻,，此時(shí)*有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區(qū),，此時(shí)電流稱為反向飽和電流,。實(shí)際應(yīng)用中，反向電流越小說明二極管的反向電阻越大,，反向截止性能越好,。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下，鍺二極管則達(dá)幾百微安,，大功率二極管稍大些,。2）當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流急劇加大,，進(jìn)入反向擊穿區(qū),，D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞,，因此除穩(wěn)壓管外,，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。

雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場很多,，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域,，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者,，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單,，可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用,。更重要的是,，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān),，可以說是鮮少變化的,。無論其他的元件怎么變化，可控硅的變化是不大的,，這相對(duì)來說,，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn),?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用,，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)。

    其總損耗與開關(guān)頻率的關(guān)系比較大,，因此若希望IGBT工作在更高的頻率,，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面,，軟開關(guān)主要是降低了開關(guān)損耗,，可使IGBT模塊工作頻率**提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高,，IGBT的開關(guān)頻率相應(yīng)下降,，下面列出英飛凌IGBT模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值,。600V“DLC”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz600V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到30KHz1200V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到20KHz1200V“KS4”開關(guān)頻率可達(dá)到40KHz1200V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到10KHz1200V“KT3”開關(guān)頻率可達(dá)到15KHz1700V“DN2”開關(guān)頻率可達(dá)到10KHz1700V“DLC”開關(guān)頻率可達(dá)到5KHz1700V“KE3”開關(guān)頻率可達(dá)到5KHz3300V“KF2C”開關(guān)頻率可達(dá)到3KHz6500V“KF1”開關(guān)頻率可達(dá)到1KHz,。二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成,。管芯是一個(gè)PN結(jié),，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線,。貴州節(jié)能模塊

通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。安徽進(jìn)口模塊推薦貨源

過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路,。主要包括輸入電路,、光電耦合器、過零觸發(fā)電路,、開關(guān)電路（包括雙向晶閘管）,、保護(hù)電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI（一般為高電平）,、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí),，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通,。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動(dòng)功率小,、無觸點(diǎn)、噪音低,、抗干擾能力強(qiáng),，吸合、釋放時(shí)間短,、壽命長,，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器,。雙向可控硅可用于工業(yè),、交通、家用電器等領(lǐng)域,，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓,、電機(jī)調(diào)速、交流開關(guān),、路燈自動(dòng)開啟與關(guān)閉,、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光,、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能,，它還被用于固態(tài)繼電器（SSR）和固態(tài)接觸器電路中。安徽進(jìn)口模塊推薦貨源

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