所以一旦可控硅導(dǎo)通后,，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關(guān)斷功能,，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以晶閘管具有開關(guān)特性,，這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后,，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時，晶閘管關(guān)斷,。4全控型晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,，在門極承受正向電壓,。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。江蘇貿(mào)易晶閘管工廠直銷

    對其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少,，尚處于試驗(yàn)探索階段,。[1]在大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件,。國內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中,。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達(dá)6英寸,，單閥片耐壓值**高可達(dá)11KV,，的通流能力**高可達(dá)4500A。在該領(lǐng)域比較**的有瑞士的ABB以及國內(nèi)的株洲南車時代,。[1]為提高晶閘管的通流能力,、開通速度、di/dt承受能力,，國外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT,。這兩種器件都已經(jīng)在國外投入實(shí)際使用。其中GTO的單片耐壓可達(dá),，工況下通流能力可達(dá)4kA,，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的**高耐壓可達(dá)10kV，通流能力可達(dá),。[1]針對脈沖功率電源中應(yīng)用的晶閘管,，國內(nèi)還沒有廠家在這方面進(jìn)行研究，在國際上具有**技術(shù)的是瑞士ABB公司,。他們針對脈沖功率電源用大功率晶閘管進(jìn)行了十?dāng)?shù)年的研究,。目前采用的較成熟的器件為GTO，其直徑為英寸,，單片耐壓為,，通常3個閥片串聯(lián)工作?？梢猿惺艿碾娏鞣逯禐?20kA/90us,，電流上升率di/dt**高可承受。門極可承受觸發(fā)電流**大值為800A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為400A/us,。江蘇貿(mào)易晶閘管工廠直銷當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。

    下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法,。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,，測量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極,，紅表筆接K極時,，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大,。由此可迅速判定G,、K極，剩下的就是A極,。（此處指的模擬表,，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT）,，又稱光觸發(fā)晶閘管,。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管，是一種光敏器件,。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極：控制極G,、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。從外形上看，光控晶閘管亦有受光窗口,，還有兩條管腳和殼體,，酷似光電二極管,。2．光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路,?？赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-（a1+a2）]式中，Il為光電二極管的光電流,；Ia為光控晶閘管陽極電流,，即光控晶閘管的輸出電流；a1,、a2分別為BGl,、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。

    若用于交直流電壓控制,、可控整流,、交流調(diào)壓、逆變電源,、開關(guān)電源保護(hù)電路等,，可選用普通單向晶閘管。若用于交流開關(guān),、交流調(diào)壓,、交流電動機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器,、固態(tài)接觸器等電路中,，應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機(jī)變頻調(diào)速,、斬波器,、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷晶閘管,。若用于鋸齒波發(fā)生器,、長時間延時器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,，可選用BTG晶閘管,。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器,、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)晶閘管,。若用于光電耦合器,、光探測器、光報(bào)警器,、光計(jì)數(shù)器,、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運(yùn)行監(jiān)控電路，可選用光控晶閘管,。2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定,。所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍,。晶閘管的正向壓降,、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各項(xiàng)要求，不能偏高或偏低,，否則會影響晶閘管的正常工作,。單向檢測/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結(jié)。晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器,，曾被簡稱為可控硅,。

    引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，抑制了過電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值,。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次,，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),，標(biāo)稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一部分電流時,，標(biāo)稱電壓下降到0,，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂,；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量,。漏電流：將標(biāo)稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低,，抑制過電壓能力強(qiáng)；平時漏電流小,，放電后不會有續(xù)流,，元件的標(biāo)稱電壓等級多，便于用戶選擇,；伏安特性是對稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。過電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制。塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。天津進(jìn)口晶閘管報(bào)價(jià)

晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,，是指門極開路時，允許加在陽極,、陰極之間的比較大反向電壓,。江蘇貿(mào)易晶閘管工廠直銷

    人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個特點(diǎn)。一,、關(guān)斷時間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管,，當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上“關(guān)斷”,，這時如立即加上正向電壓,，它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間,，叫做關(guān)斷時間,。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程,，實(shí)際上是儲存載流子的消失過程,。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命,。硅中摻金量越多，t0仟越小,，但摻金量過多會影響元件的其它性能,。二、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管,?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴(kuò)展,，直到整個面積導(dǎo)通,。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時,，必須限制初始電流的上升速度,，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象,，影響元件的性能，甚至燒壞,。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重,。為此，仿造了集成電路的方法,，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管,。控制極觸發(fā)小晶閘管后,，小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極,，觸發(fā)主晶閘管。江蘇貿(mào)易晶閘管工廠直銷

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