控制柵極電壓VGS的大小改變了電場(chǎng)的強(qiáng)弱,，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場(chǎng)來(lái)控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn),，所以也稱之為場(chǎng)效應(yīng)管,。六：MOS的優(yōu)勢(shì)：1、場(chǎng)效應(yīng)管的源極S,、柵極G,、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b,、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖,。2,、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID,，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培,。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少,。3、場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,，不產(chǎn)生電流,；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多,。4,、場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,，因少數(shù)載流子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好,。5,、場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用,，且特性變化不大,。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應(yīng)管（FET）,，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,。自動(dòng)化MOS管性價(jià)比

    也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象，可見(jiàn)采用MOS管作為開關(guān)管,，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低,，近兩年電視機(jī)開關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率降低也是一個(gè)極好的證明,。11,、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通,，有一個(gè)極低的壓降,，稱為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降,，那么也就是,；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻,，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻（電阻上的電壓和流過(guò)的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用,，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻,，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過(guò)的電流符合歐姆定律的關(guān)系,，電流大壓降就大,，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線性元件,，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用,，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用,，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候,，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）,。MOS管和普通的晶體三極管相比,，有以上11項(xiàng)優(yōu)點(diǎn),，就足以使MOS管在開關(guān)運(yùn)用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管,。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V。自動(dòng)化MOS管性價(jià)比源漏電阻很大,，一般都在幾百千歐以上,。

    4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效,。5靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰,，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效,。雪崩失效分析（電壓失效）到底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓,、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式,。簡(jiǎn)而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式,。下面的圖片為雪崩測(cè)試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡(jiǎn)單了解下,?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對(duì)我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析，大多數(shù)廠家都給一個(gè),，那么到底我們?cè)趺磪^(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試失效的器件圖,，我們可以進(jìn)行對(duì)比從而確定是否是雪崩失效。雪崩失效的預(yù)防措施雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮,。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。3：合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì),。

    4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收,。SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式,。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式,。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于大額定電流及脈沖電流2：限于大節(jié)溫下的RDSON,。3：受限于器件大的耗散功率,。4：受限于大單個(gè)脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)我們電源上的MOSFET,，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。,。1：確保在差條件下,，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致,。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí),，一般可能會(huì)取，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如,。有些有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)延遲時(shí)間,、CISS對(duì)OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）,。它到底有什么影響呢,。MOS管是電子電路中常用的功率半導(dǎo)體器件，可以用作電子開關(guān),、可控整流等,，是一種電壓驅(qū)動(dòng)型的器件。

    P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,，等等,。3、MOSMOS管由于輸入阻抗極高,，所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內(nèi),，保存時(shí)好放在金屬盒內(nèi),，同時(shí)也要注意管的防潮。4,、為了防止MOS管柵極感應(yīng)擊穿,，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái),、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地,；管腳在焊接時(shí),，先焊源極；在連入電路之前,，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí),，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,。當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵,，焊接MOS管是比較方便的,，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí),，不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用MOS管時(shí)必須注意。5,、在安裝MOS管時(shí),，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動(dòng)，有必要將管殼體緊固起來(lái),；管腳引線在彎曲時(shí),，應(yīng)當(dāng)大于根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。6,、使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，大功率才能達(dá)到30W。7,、多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應(yīng)增加，使放大器的高頻特性變壞,。對(duì)于較常用的兩種MOS管,，N型與P型，一般N型管使用場(chǎng)景更為廣,。自動(dòng)化MOS管性價(jià)比

按材料分類,，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型。自動(dòng)化MOS管性價(jià)比

    這個(gè)電路提供了如下的特性：1,，用低端電壓和PWM驅(qū)動(dòng)MOS管,。2，用小幅度的PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)高gate電壓需求的MOS管,。3,，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5,，通過(guò)使用合適的電阻,，可以達(dá)到很低的功耗。6,，PWM信號(hào)反相,。NMOS并不需要這個(gè)特性，可以通過(guò)前置一個(gè)反相器來(lái)解決,。在設(shè)計(jì)便攜式設(shè)備和無(wú)線產(chǎn)品時(shí),，提高產(chǎn)品性能、延長(zhǎng)電池工作時(shí)間是設(shè)計(jì)人員需要面對(duì)的兩個(gè)問(wèn)題,。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高,、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于為便攜式設(shè)備供電,。DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技術(shù)發(fā)展主要趨勢(shì)：(1)高頻化技術(shù)：隨著開關(guān)頻率的提高,，開關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升,，動(dòng)態(tài)響應(yīng)得到改善,。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級(jí)。(2)低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展,，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來(lái)越低,，這就要求未來(lái)的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。這些技術(shù)的發(fā)展對(duì)電源芯片電路的設(shè)計(jì)提出了更高的要求,。首先,，隨著開關(guān)頻率的不斷提高，對(duì)于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求,，同時(shí)必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件驅(qū)動(dòng)電路以保證開關(guān)元件在高達(dá)兆赫級(jí)的開關(guān)頻率下正常工作,。其次。自動(dòng)化MOS管性價(jià)比

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落于昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,，是集設(shè)計(jì),、開發(fā)、生產(chǎn),、銷售,、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè),。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年,，持續(xù)為用戶提供整套IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器的解決方案。公司主要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器等,，我們始終堅(jiān)持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念,，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠(chéng)信和讓利于客戶,，堅(jiān)持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶。依托成熟的產(chǎn)品資源和渠道資源,，向全國(guó)生產(chǎn),、銷售IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品,，經(jīng)過(guò)多年的沉淀和發(fā)展已經(jīng)形成了科學(xué)的管理制度、豐富的產(chǎn)品類型,。我們本著客戶滿意的原則為客戶提供IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品售前服務(wù),，為客戶提供周到的售后服務(wù)。價(jià)格低廉優(yōu)惠,，服務(wù)周到,，歡迎您的來(lái)電！