控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強弱,，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的,，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應管,。六：MOS的優(yōu)勢：1,、場效應管的源極S、柵極G,、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對應圖,。2,、場效應管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID,，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導gm）當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培,。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少,。3、場效應管柵極和其它電極是絕緣的,，不產(chǎn)生電流,；而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多,。4,、場效應管只有多數(shù)載流子參與導電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導電,，因少數(shù)載流子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大,，所以場效應管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。5,、場效應管在源極未與襯底連在一起時,，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大,。另一種晶體管,，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化,。自動化MOS管性價比

    也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象,，可見采用MOS管作為開關管，其開關管的損壞率大幅度的降低,，近兩年電視機開關電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后,，開關管損壞率降低也是一個極好的證明。11,、MOS管導通后其導通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導通是,，幾乎是直通，有一個極低的壓降,，稱為飽和壓降,，既然有一個壓降，那么也就是,；普通晶體三極管在飽和導通后等效是一個阻值極小的電阻,，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律），而MOS管作為開關管應用,，在飽和導通后也存在一個阻值極小的電阻,，但是這個電阻等效一個線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關系,，電流大壓降就大,，電流小壓降就小，導通后既然等效是一個線性元件,，線性元件就可以并聯(lián)應用,，當這樣兩個電阻并聯(lián)在一起，就有一個自動電流平衡的作用,，所以MOS管在一個管子功率不夠的時候，可以多管并聯(lián)應用,，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應用的）,。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上11項優(yōu)點,，就足以使MOS管在開關運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管,。目前的技術MOS管道VDS能做到1000V,。自動化MOS管性價比源漏電阻很大，一般都在幾百千歐以上,。

    4：諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中,，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5靜電失效：在秋冬季節(jié),，由于人體及設備靜電而導致的器件失效,。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效,。雪崩失效分析（電壓失效）到底什么是雪崩失效呢,，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓,、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式,。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,，做為電源工程師可以簡單了解下?？赡芪覀兘?jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析,，大多數(shù)廠家都給一個，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。雪崩失效的預防措施雪崩失效歸根結底是電壓失效,，因此預防我們著重從電壓來考慮,。具體可以參考以下的方式來處理。1：合理降額使用,，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額,，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。2：合理的變壓器反射電壓,。3：合理的RCD及TVS吸收電路設計,。

    4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構,，盡量減少布線寄生電感,。5：選擇合理的柵極電阻Rg。6：在大功率電源中,，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收,。SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式,?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式,。關于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片,。1：受限于大額定電流及脈沖電流2：限于大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件大的耗散功率,。4：受限于大單個脈沖電流,。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內,，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產(chǎn)生,。。1：確保在差條件下,，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內,。2：將OCP功能一定要做精確細致。在進行OCP點設計時,，一般可能會取,，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如。有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間,、CISS對OCP實際的影響考慮在內,。但是此時有個更值得關注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td（off）,。它到底有什么影響呢,。MOS管是電子電路中常用的功率半導體器件，可以用作電子開關,、可控整流等,，是一種電壓驅動型的器件。

    P溝道管柵極不能加負偏壓,，等等,。3、MOSMOS管由于輸入阻抗極高,，所以在運輸,、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝,，以防止外來感應電勢將柵極擊穿,。尤其要注意，不能將MOS管放入塑料盒子內,，保存時好放在金屬盒內,，同時也要注意管的防潮。4,、為了防止MOS管柵極感應擊穿,，要求一切測試儀器、工作臺,、電烙鐵,、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時,，先焊源極,；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),，焊接完后才把短接材料去掉,；從元器件架上取下管時，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等,。當然,，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接MOS管是比較方便的,，并且確保安全,；在未關斷電源時，不可以把管插人電路或從電路中拔出,。以上安全措施在使用MOS管時必須注意,。5、在安裝MOS管時,，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件,；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來,；管腳引線在彎曲時,，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等,。6,、使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，大功率才能達到30W。7,、多管并聯(lián)后,，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞,。對于較常用的兩種MOS管,，N型與P型，一般N型管使用場景更為廣,。自動化MOS管性價比

按材料分類,，可以分為分為耗盡型和增強型,。自動化MOS管性價比

    這個電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅動MOS管,。2,，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。3,，gate電壓的峰值限制4,，輸入和輸出的電流限制5，通過使用合適的電阻,，可以達到很低的功耗,。6，PWM信號反相,。NMOS并不需要這個特性,，可以通過前置一個反相器來解決。在設計便攜式設備和無線產(chǎn)品時,，提高產(chǎn)品性能,、延長電池工作時間是設計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉換器具有效率高,、輸出電流大,、靜態(tài)電流小等優(yōu)點，非常適用于為便攜式設備供電,。DC-DC轉換器設計技術發(fā)展主要趨勢：(1)高頻化技術：隨著開關頻率的提高,，開關變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升,，動態(tài)響應得到改善,。小功率DC-DC轉換器的開關頻率將上升到兆赫級。(2)低輸出電壓技術：隨著半導體制造技術的不斷發(fā)展,，微處理器和便攜式電子設備的工作電壓越來越低,，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應微處理器和便攜式電子設備的要求。這些技術的發(fā)展對電源芯片電路的設計提出了更高的要求,。首先,，隨著開關頻率的不斷提高，對于開關元件的性能提出了很高的要求,，同時必須具有相應的開關元件驅動電路以保證開關元件在高達兆赫級的開關頻率下正常工作,。其次。自動化MOS管性價比

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