若u參照?qǐng)D2，保護(hù)電路4包括依次相連接的電阻r1,、高壓二極管d2,、電阻r2、限幅電路和比較器,，限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2,，限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2，二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接,，二極管vd2輸出端接地,，高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接，二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接,，放大濾波電路3與電阻r1相連接,。放大濾波電路將采集到的流過(guò)電阻r7的電流放大后輸入保護(hù)電路，該電流經(jīng)電阻r1形成電壓,，高壓二極管d2防止功率側(cè)的高壓對(duì)前端比較器造成干擾,，二極管vd1和二極管vd2組成限幅電路，可防止二極管vd1和二極管vd2中間的電壓,，即a點(diǎn)電壓u超過(guò)比較器的輸入允許范圍,，閾值電壓uref采用兩個(gè)精值電阻分壓產(chǎn)生，若a點(diǎn)電壓u驅(qū)動(dòng)電路5包括相連接的驅(qū)動(dòng)選擇電路和功率放大模塊,，比較器輸出端與驅(qū)動(dòng)選擇電路輸入端相連接,，功率放大模塊輸出端與ipm模塊1的柵極端子相連接，ipm模塊是電壓驅(qū)動(dòng)型的功率模塊,，其開(kāi)關(guān)行為相當(dāng)于向柵極注入或抽走很大的瞬時(shí)峰值電流,，控制柵極電容充放電。功率放大模塊即功率放大器,，能將接收的信號(hào)功率放大至**大值,，即將ipm模塊的開(kāi)通、關(guān)斷信號(hào)功率放大至**大值,，來(lái)驅(qū)動(dòng)ipm模塊的開(kāi)通與關(guān)斷,。其主要功能是實(shí)現(xiàn)能源的轉(zhuǎn)換和控制，從而提高電力設(shè)備的效率和可靠性,。貴州家居模塊

    二）按引腳和極性分類(lèi)晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，*在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,，不論門(mén)極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后,，門(mén)極失去作用。上海模塊工業(yè)化當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品,，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊,。

    1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專(zhuān)業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道的來(lái)歷及各種分類(lèi),。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶(hù)也經(jīng)常問(wèn)起我們模塊的來(lái)歷?，F(xiàn)在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開(kāi)發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期,，大功率逆變晶閘管問(wèn)世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年,，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱(chēng)晶閘管研制完成。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光,、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法,。不過(guò),，這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A,。雙向晶閘可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正,、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡(jiǎn)單,。其缺點(diǎn)是換向能力差,、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng),，其水平已超過(guò)2000V/500A,。4光控晶閘是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件。

    它具有很強(qiáng)的抗干擾能力,、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域,。其研制水平大約為8000V/3600A,。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,，它已讓位于GTR,、GTO、IGBT等新器件,。目前,，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi),。5非對(duì)稱(chēng)晶閘是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱(chēng)的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱(chēng)晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比,，它具有關(guān)斷時(shí)間短,、正向壓降小、額定結(jié)溫高,、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn),，主要用于逆變器和整流器中。目前,，國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱(chēng)晶閘管。IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開(kāi)關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0晶體閘流管編輯鎖定討論上傳視頻同義詞晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅,；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等,。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）,。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過(guò)程可以控制、被***應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類(lèi)2工作原理3工作條件4工作過(guò)程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類(lèi)編輯（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管,、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種,。。從應(yīng)用領(lǐng)域規(guī)模占比來(lái)看,，中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用以新能源汽車(chē),、工業(yè)控制及消費(fèi)電子為主，占比分別是30%,。代理模塊品牌

我們研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)特殊配方對(duì)PPS材料進(jìn)行改性,，研發(fā)出了高CTI值300V~600V的PPS料，已應(yīng)用于IGBT模塊上,。貴州家居模塊

    2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大,，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載,、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合,。（3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓,。換相過(guò)電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高,，換相振蕩過(guò)電壓也越大。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法,，如減少過(guò)電壓源，并使過(guò)電壓幅值衰減,；抑制過(guò)電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有較高的頻率,，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩,，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè),、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。吸收電路**好選用無(wú)感電容,，接線應(yīng)盡量短,。。貴州家居模塊