可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個二極管,，G為正極、K為負(fù)極,，所以,，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極,，測它的正,、反向電阻，電阻小時,，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S,，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的,，不發(fā)光就是壞的,。可控硅測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）[1],?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大,?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好,。另外。但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下,，面對標(biāo)有字符的一面),。福建定制英飛凌可控硅

    可控硅基礎(chǔ)知識環(huán)昕微可控硅基礎(chǔ)知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴,。在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子,，它主要由摻雜形成；自由電子是少數(shù)載流子,，由熱激發(fā)形成,。空穴很容易俘獲電子,，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子,。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。,，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子,。在N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供,；空穴是少數(shù)載流子,由熱激發(fā)形成,。提供自由電子的五價雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質(zhì)原子也稱為施主雜質(zhì),。在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合后,，由于N型區(qū)內(nèi)電子很多而空穴很少，而P型區(qū)內(nèi)空穴很多電子很少,，在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差別,。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。于是,，有一些電子要從N型區(qū)向P型區(qū)擴(kuò)散,，也有一些空穴要從P型區(qū)向N型區(qū)擴(kuò)散。它們擴(kuò)散的結(jié)果就使P區(qū)一邊失去空穴,，留下了帶負(fù)電的雜質(zhì)離子,N區(qū)一邊失去電子,，留下了帶正電的雜質(zhì)離子。半導(dǎo)體中的離子不能任意移動,，因此不參與導(dǎo)電,。這些不能移動的帶電粒子在P和N區(qū)交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區(qū),，就是所謂的PN結(jié),。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。吉林英飛凌可控硅銷售廠雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的,。

    此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動,，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極接黑表筆,，陰極接紅表筆時，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),，說明該單向可控硅已擊穿損壞,。單向可控硅單向和雙向可控硅的區(qū)分編輯單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,，若正、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A,、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極，剩下即為A極,。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,。

    但因TRIAC能雙向?qū)ㄖ?，在正?fù)半周均能觸發(fā)、可作為全波功率控制之用,，因此TRIAC除具有SCR的優(yōu)點(diǎn),，更方便于交流功率控制，圖(a)為TRIAC相位控制電路,，只適當(dāng)?shù)恼{(diào)整RC時間常數(shù)即可改變它的激發(fā)角,，圖(b)，(c)分別是激發(fā)角為30度時的VT1-T2及負(fù)載的電壓波形,，一般TRIAC所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比SCR小,，大體上而言約在600V，40A以下,。15.可控硅特性1）靜態(tài)的伏安特性第I象限的是正向特性有阻斷狀態(tài)和導(dǎo)通狀態(tài)之分,。在正向阻斷狀態(tài)時，可控硅的伏安特性是一組隨門極電流的增加而不同的曲線簇,。當(dāng)IG足夠大時,，可控硅的正向轉(zhuǎn)折電壓很小，可以看成與一般二極管一樣。第III象限的是反向特性可控硅的反向特性與一般二極管的反向特性相似,。IG=0時,，器件兩端施加正向電壓，為正向阻斷狀態(tài),，只有很小的正向漏電流流過,，正向電壓超過臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大,，器件開通隨著門極電流幅值的增大,，正向轉(zhuǎn)折電壓降低導(dǎo)通后的可控硅特性和二極管的正向特性相仿可控硅本身的壓降很小，在1V左右導(dǎo)通期間,，如果門極電流為零,，并且陽極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則可控硅又回到正向阻斷狀態(tài),。IH稱為維持電流,。可控硅上施加反向電壓時,。它的符號也和普通可控硅不同,，是把兩個可控硅反接在一起畫成的。

    當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來，Ea接成正向,，而觸動發(fā)信號是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅元件的結(jié)構(gòu) 不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。吉林英飛凌可控硅銷售廠

這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流,。福建定制英飛凌可控硅

    交流電路雙向可控硅的觸發(fā)常采用過零觸發(fā)電路,。過零觸發(fā)是指在電壓為零或零附近的瞬間接通。由于采用過零觸發(fā),，因此上述電路還需要正弦交流電過零檢測電路,。1過零檢測電路電路設(shè)計如圖1所示，為了提高效率,，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步,，要求每隔半個交流電的周期輸出一個觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)大于4V,，脈沖寬度應(yīng)大于20us.圖中BT為變壓器,，TPL521-2為光電耦合器,，起隔離作用。當(dāng)正弦交流電壓接近零時,，光電耦合器的兩個發(fā)光二極管截止,，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導(dǎo)通，產(chǎn)生負(fù)脈沖信號,，T1的輸出端接到單片機(jī)80C51的外部中斷0的輸入引腳,，以引起中斷。在中斷服務(wù)子程序中使用定時器累計移相時間,，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號,。過零檢測電路A、B兩點(diǎn)電壓輸出波形如圖2所示,。2過零觸發(fā)電路電路如圖3所示,，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動器，也屬于光電耦合器的一種,，用來驅(qū)動雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用,，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻,，防止誤觸發(fā),，提高抗干擾能力。當(dāng)單片機(jī)80C51的,，MOC3061導(dǎo)通,，觸發(fā)BCR導(dǎo)通，接通交流負(fù)載,。另外,，若雙向可控硅接感流負(fù)載時，由于電源電壓超前負(fù)載電流一個相位角,，因此,，當(dāng)負(fù)載電流為零時。福建定制英飛凌可控硅