為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種igbt驅(qū)動電路，包括限壓電路,、控制電路和限流電路,。，所述限壓電路,、所述控制電路和所述限流電路相并聯(lián),。，所述限壓電路包括：一齊納二極管,；第二齊納二極管,，所述第二齊納二極管與所述一齊納二極管串聯(lián)。,，所述控制電路包括限壓電路控制輸入lp,、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3,，所述限壓電路控制輸入lp與所述電阻r2串聯(lián),，所述電阻r2與所述控制管n3相串聯(lián)，所述下拉電阻r3并聯(lián)在所述電阻r2與所述控制管n3之間,。,，所述限流電路包括電阻r1和正向二極管n22，所述電阻r1與所述正向二極管n22相串聯(lián),。與現(xiàn)有技術(shù)相比,，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將分立器件實(shí)現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積,，降低了成本,，將限壓電路與igbt的驅(qū)動電路結(jié)合在一個功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本，同時借助igbt的驅(qū)動電路中的電阻限制了限壓支路的電流,，降低了功耗,，保護(hù)了驅(qū)動芯片的安全，lp接收到mcu的信號置高時,，限壓電路開始工作,，a點(diǎn)電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動輸出限制在12v,，此時a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe,，b點(diǎn)電壓為u2＝12v+2vbe，終c點(diǎn)電壓為12v,，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下,。兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管,，整流模塊,，功率模塊IGBT，SIT,，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高,，控制特性好,，壽命長，體積小等優(yōu)點(diǎn),，自上個世紀(jì)六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學(xué)科,?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到今,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國外更大,。我國的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣,，可以把交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二,、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓,。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器,。交流——可變交流,。三,、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流,，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗,。天津加工Mitsubishi三菱IGBT模塊代理商GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,。

    脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計對減小C和C的比例非常重要,，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值,。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗,，因?yàn)榇藭r集電極到發(fā)射極的電壓很高,。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關(guān)斷時采用柵極負(fù)偏置,，可防止電壓峰值超過V,，但問題是驅(qū)動電路會更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’,。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計的典型IGBT電容曲線,。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平,，直到V接近15V,，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau)特性,，C的實(shí)際值就可以進(jìn)一步減小,。這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可小化,，C和C可隨著VCE的提高而很快下降,。這可能減小實(shí)際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響,。圖3需負(fù)偏置關(guān)斷的典型IGBT的寄生電容與V的關(guān)系,。IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V,，30ANPTIGBT,。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于TO-247封裝,。設(shè)計人員可減小多晶體柵極寬度,。

    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,，會使晶閘管導(dǎo)通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子,。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導(dǎo)通,，但此時正向漏電流隨著增大而增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài),，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流,，對于電阻負(fù)載,，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,，通常在管子陽極電壓互降為零后,，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM,、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A,。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1,、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。

    下拉電阻r3并聯(lián)在電阻r2與控制管n3之間,，控制限壓功能的工作與否,；請再次參閱圖1，限流電路300包括電阻r1和正向二極管n22,，電阻r1與正向二極管n22相串聯(lián),，限壓電路100、控制電路200和限流電路300相并聯(lián),，限制限壓部分的電流大小,，解決了分立器件限壓電路集成在驅(qū)動輸出端導(dǎo)通時出現(xiàn)的較大電流現(xiàn)象，不降低了工作損耗,，減小了分立器件的成本,、也提高了芯片使用的壽命,。使用時，當(dāng)lp接收到mcu的信號置高時,，限壓電路開始工作,，a點(diǎn)電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動輸出限制在12v,，此時a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe,，b點(diǎn)電壓為u2＝12v+2vbe,，終c點(diǎn)電壓為12v,，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下，在常規(guī)的igbt驅(qū)動中增加了限壓電路的功能結(jié)構(gòu),，實(shí)現(xiàn)了對igbt的功耗的降低,，保護(hù)了igbt管，將通常分立器件實(shí)現(xiàn)方式的限壓電路集成在芯片中,，與igbt驅(qū)動電路集成在一起,，節(jié)省了面積和成本，同時還能解決分立器件穩(wěn)壓管接在驅(qū)動輸出處,，當(dāng)導(dǎo)通時較大電流的問題,。雖然在上文中已經(jīng)參考實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下,，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件,。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu),。動態(tài)特性又稱開關(guān)特性,，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見,。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    所述電荷存儲層14用于阻擋第二導(dǎo)電類載流子從所述漂移區(qū)1中進(jìn)入到所述阱區(qū)2中。多個溝槽101,，各所述溝槽101穿過所述阱區(qū)2和所述電荷存儲層14且各所述溝槽101的進(jìn)入到所述漂移區(qū)1中,；一個所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu),。所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于一個對應(yīng)的所述溝槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅柵6的疊加結(jié)構(gòu),，所述一屏蔽多晶硅4a組成一屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述多晶硅柵6位于所述一屏蔽多晶硅4a的頂部,，所述一屏蔽多晶硅4a和對應(yīng)的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過一屏蔽介質(zhì)層3a隔離3a,，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅柵6之間通過多晶硅間介質(zhì)層5a隔離，所述多晶硅柵6和所述溝槽101的側(cè)面之間通過柵介質(zhì)層5隔離,。所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)由填充于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述溝槽101中的第二屏蔽多晶硅4b組成,。所述第二屏蔽多晶硅4b和對應(yīng)的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過第二屏蔽介質(zhì)層3b隔離,。所述一屏蔽介質(zhì)層3a和所述第二屏蔽介質(zhì)層3b的工藝條件相同且同時形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工藝條件相同且同時形成,。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠