符號英文單詞參數(shù)中文參數(shù)說明單位IT(AV)AVERAGEON-STATECURRENT通態(tài)平均電流838電子838電子國標(biāo)規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40oC和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。同電力二極管一樣，這個參數(shù)是按照正向電流造成的器件本身的通態(tài)損耗的發(fā)熱效應(yīng)來定義的,。因此在使用時(shí)同樣應(yīng)按照實(shí)際波形的電流與通態(tài)平均電流所造成的發(fā)熱效應(yīng)相等，即有效值相等的原則來選取晶閘管的此項(xiàng)電流定額,，并應(yīng)留一定的裕量,。一般選取其通態(tài)平均電流為按此原則所得計(jì)算結(jié)果的。AVTMPeakon-statevoltagedrop通態(tài)峰值電壓指器件通過規(guī)定正向峰值電流IFM(整流管)或通態(tài)峰值電流ITM(晶閘管)時(shí)的峰值電壓也稱峰值壓降該參數(shù)直接反映了器件的通態(tài)損耗特性影響著器件的通態(tài)電流額定能力,。VIDRMMaximumforwardorreverseleakagecurrent斷態(tài)重復(fù)峰值漏電流為晶閘管在阻斷狀態(tài)下承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)流過元件的正反向峰值漏電流該參數(shù)在器件允許工作的高結(jié)溫Tjm下測出,。mAIRRMMaximumreverseleakagecurrent反向重復(fù)峰值漏電流mAIDSM斷態(tài)不重復(fù)平均電流門極斷路時(shí)。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。云南定制Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)

    這是因?yàn)殡p向可控硅在一個方向單向可控硅的工作原理圖導(dǎo)通結(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置,，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施,。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制,、燈光控制,、防爆交流開關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。二者比較單向可控硅和雙向可控硅,，都是三個電極,。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）,、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關(guān)連,，其引出端稱T1極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）,。單,、雙向可控硅的判別先任測兩個極，若正,、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G、A極,。廣東常見Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形。

    1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,，控制極G對一電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）,。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，電流I2l的方向從T2流向T1,。由特性曲線可知,，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按第二象限的特性進(jìn)行的，又因?yàn)橛|發(fā)信號是正向的,，所以把這種觸發(fā)叫做“一象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式,。(2)如果主電極T2仍加正向電壓,，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1,。我們把這種觸發(fā)叫做“一象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c),，輸入正向觸發(fā)信號,，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流從T1流向T2,。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作,，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。(4)兩個主電極仍然加反向電壓U12,，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d),，雙向可控硅導(dǎo)通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2,。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式,，但由于負(fù)信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小,。工作比較可靠，因此在實(shí)際使用時(shí),，負(fù)觸發(fā)方式應(yīng)用較多,。可控硅特性編輯常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路,、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路,、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,，等等,。

    通過上面對工作原理的分析可知，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進(jìn)行轉(zhuǎn)換呢,？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢？下圖將會告訴你答案,?？煽毓柚饕獏?shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。⒊控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,。一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。見圖1,。它有三個PN結(jié)（J1、J2,、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K,，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號圖可控硅工作原理編輯可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，具有無火花,、動作快,、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極,。但是,，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。雙向可控硅的規(guī)格,、型號,、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1,、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí)，電極引腳向下,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值。山西常見Mitsubishi三菱可控硅模塊代理商

可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。云南定制Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)

    晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā),。一般，電阻取100R，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5,、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰,。云南定制Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)