空穴收集區(qū)8可以處于與第1發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置,，特別的,，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8,，本發(fā)明實施例對此不作限制說明,。因此,，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產(chǎn)生的電壓,，得到工作區(qū)域的電流大小,。但是，在實際檢測過程中,，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位,，即相當降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加,。當電流檢測區(qū)域的電流越大時,，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大,，導致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關(guān)系偏離增大,，產(chǎn)生大電流下的信號失真，造成工作區(qū)域在大電流或異常過流的檢測精度低,。而本發(fā)明實施例中電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元相當于沒有公共柵極單元提供驅(qū)動,，即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元只獲取空穴形成的電流作為檢測電流,，從而避免了檢測電流受公共柵極單元的電壓的影響,，以及測試電壓的影響而產(chǎn)生信號的失真，即避免了公共柵極單元因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，從而提高了檢測電流的精度,。實施例二：在上述實施例的基礎上。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),，Id與Ugs呈線性關(guān)系,。江蘇品質(zhì)賽米控模塊

本發(fā)明實施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示,，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51,，還包括驅(qū)動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示,，igbt芯片51設置在dcb板60上,，驅(qū)動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅(qū)動工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20工作,；si端口通過模塊引線端子521與檢測電阻40連接,，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及,，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導線522連接,，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接，從而通過si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓,，并根據(jù)該測量電壓檢測工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實施例提供的半導體功率模塊,，設置有igbt芯片,，其中，igbt芯片上設置有：工作區(qū)域,、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域,；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面,，且,，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元,，以及,，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,，其中,，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接。江蘇品質(zhì)賽米控模塊動態(tài)特性又稱開關(guān)特性,，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分,。

1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間,。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期,，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來,。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個明顯改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步,，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3],。幾年當中,，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設計規(guī)則從5微米先進到3微米,。90年代中期,，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝,，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu),。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進,。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變,，先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu),，這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善,。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進到非穿通(NPT)型技術(shù)，是基本的,，也是很重大的概念變化,。這就是:穿通。

對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖,；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖11為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖14為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖15為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖,。圖標：1-電流傳感器,；10-工作區(qū)域；101-第1發(fā)射極單元。賽米控的IGBT,，除了電動汽車用的650V以外,，都是工業(yè)等級的。

空穴收集區(qū)8可以處于與第1發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置,，特別的,，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8，本發(fā)明實施例對此不作限制說明,。因此,，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產(chǎn)生的電壓,，得到工作區(qū)域的電流大小,。但是，在實際檢測過程中,，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位,，即相當降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加,。當電流檢測區(qū)域的電流越大時，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大,，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大,，導致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關(guān)系偏離增大，產(chǎn)生大電流下的信號失真,，造成工作區(qū)域在大電流或異常過流的檢測精度低,。而本發(fā)明實施例中電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元相當于沒有公共柵極單元提供驅(qū)動，即對于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流,，電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元只獲取空穴形成的電流作為檢測電流,，從而避免了檢測電流受公共柵極單元的電壓的影響，以及測試電壓的影響而產(chǎn)生信號的失真,，即避免了公共柵極單元因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，從而提高了檢測電流的精度。實施例二：在上述實施例的基礎上IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線,。江蘇品質(zhì)賽米控模塊

當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,，一般所說的IGBT也指IGBT模塊。江蘇品質(zhì)賽米控模塊

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標準：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中，管子在反向作用下，正向電流下降到零時,，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失,，這時反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應電勢很大，這個電勢與電源串聯(lián),，反向加在已恢復阻斷的元件上,，可導致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍,。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容,，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,，出現(xiàn)瞬時過電壓。江蘇品質(zhì)賽米控模塊