A/μsVDRMRepetitivepeakoff-statevoltage斷態(tài)重復(fù)峰值電壓斷態(tài)重復(fù)峰值電壓是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),，允許重復(fù)加在器件上的正向峰值電壓.國(guó)標(biāo)規(guī)定重復(fù)頻率為50H,，每次持續(xù)時(shí)間不超高10ms。規(guī)定斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓（即斷態(tài)大瞬時(shí)電壓）UDSM的90%.斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓應(yīng)低于正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo,，所留裕量大小由生產(chǎn)廠家自行規(guī)定,。VVRRM反向重復(fù)峰值電壓在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),，允許重復(fù)加在器件上的反向峰值電壓,。VPPNonrepetitivelinepeakpulsevoltage高不重復(fù)線路峰值電壓(AV)Averagegatepowerdissipation門(mén)極平均散耗功率-WPGMPeakgatepower門(mén)極大峰值功率-838電子WPG(AV)AverageGatePower門(mén)極平均功率-WTjOperatingJunctionTemperatureRange工作結(jié)溫為了長(zhǎng)期可靠工作,，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于80%Tjmax,其值相應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度,。℃TstgStorageTemperatureRange貯存溫度-℃TLTemperatureforSolderingPurposes引腳承受焊錫極限溫度-838電子℃Rth(j-mb)ThermalResistanceJunctiontomountingbase熱阻-結(jié)到外殼-838電子℃/WRth,。它具有體積小,、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備,。江西品質(zhì)Mitsubishi三菱可控硅模塊

    當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極，T2為陰極,。雙向可控硅由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。雙向可控硅產(chǎn)品特性編輯雙向可控硅一陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和一陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài),。此時(shí)A1、A2間壓降也約1V,。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài),。只有當(dāng)一陽(yáng)極A1,、第二陽(yáng)極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),，雙向可控硅才截?cái)?，此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。雙向可控硅觸發(fā)電路編輯將兩只單向可控硅SCRl,、SCR2反向并聯(lián)．再將控制板與本觸發(fā)電路連接,，就組成了雙向可控硅一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角,，增大R2的阻值到一定程度,便可使兩個(gè)主可控硅阻斷,，因此R2還可起開(kāi)關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通,，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降,。江西品質(zhì)Mitsubishi三菱可控硅模塊其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

    AV)--通態(tài)平均電流VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態(tài)峰值電壓Tjm--額定結(jié)溫VGT--門(mén)極觸發(fā)電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結(jié)殼熱阻IGT--門(mén)極觸發(fā)電流di/dt--通態(tài)電流臨界上升率ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當(dāng)控制極開(kāi)路,，陽(yáng)極加上反向電壓時(shí),，J2結(jié)正偏，但J1,、J3結(jié)反偏,。此時(shí)只能流過(guò)很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,，接差J3結(jié)也擊穿,，電流迅速增加，特性開(kāi)始彎曲,，如特性O(shè)R段所示,，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時(shí),，可控硅會(huì)發(fā)生反向,。雙向可控硅正向特性當(dāng)控制極開(kāi)路，陽(yáng)極上加上正向電壓時(shí),，J1,、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏,，這與普通PN結(jié)的反向特性相似,，也只能流過(guò)很小電流,，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加,，特性發(fā)生了彎曲,，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓,，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,，電子時(shí)入N1區(qū),，空穴時(shí)入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過(guò)J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合,，同樣,。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1,。它有三個(gè)PN結(jié)（J1,、J2、J3）,，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A,，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G,，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件?？煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖可控硅工作原理編輯可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí),，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流,，具有無(wú)火花,、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng),、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似,，也有三個(gè)電極,。但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的,，如圖2所示,。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示,；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的,。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào),、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2,、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),，電極引腳向下?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。

    當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程,，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。江西品質(zhì)Mitsubishi三菱可控硅模塊

反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等。江西品質(zhì)Mitsubishi三菱可控硅模塊

    一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通,，并保持一定幅度的流通電流的話,，則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài)。除非將電源開(kāi)斷一次,，才能使其關(guān)斷,。若用于交流電路,，則在其承受正向電壓期間，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào),，則一直保持導(dǎo)通,，直到電壓過(guò)零點(diǎn)到來(lái)，因無(wú)流通電流而自行關(guān)斷,。在承受反向電壓期間,，即使送入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也因A,、K間電壓反向,，而保持于截止?fàn)顟B(tài)?？煽毓杵骷蚬に嚿系碾x散性,，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降,，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn),。可控硅器件控制本質(zhì)上如同三極管一樣,，為電流控制器件,。功率越大，所需觸發(fā)電流也越大,。觸發(fā)電壓范圍一般為左右,，觸發(fā)電流為10mA-幾百mA左右。峰值觸發(fā)電壓不宜超過(guò)10V,，峰值觸發(fā)電流也不宜超過(guò)2A,。A、K間導(dǎo)通壓降為1-2V[1],。單向可控硅對(duì)比編輯雙向可控硅雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通,、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅,，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出）,，所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)極和陰極,，而是把與控制極相近的叫做一電極T1，另一個(gè)叫做第二電極T2,。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低,。江西品質(zhì)Mitsubishi三菱可控硅模塊