沒有必要再引出控制極，所以,，只有兩個電極(陽極A和陰極K),。但其結(jié)構(gòu)與普通晶閘管一樣，是由4層PNP型器件構(gòu)成的,。光控晶閘管的外形及電路圖形符號如圖1所示。從外形上看,，光控晶閘管有受光窗口，還有兩條引腳和殼體,，酷似光電二極管。[3]光控晶閘管工作原理編輯當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,、陰極加上負向電壓時，如圖2-(1)所示的光控晶閘管電路可以等效成如圖2-(2)所示的電路,。圖2光控晶閘管電路由圖2-(2)可推算出式中I1——光電二極管的光電流,；Ia——-光控晶閘管的陽極電流，即光控晶閘管的輸出電流,；a1,，a2—VT1,，VT2的電流放大系數(shù),。由上式可知,，Ia與I1成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時,，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大，同時I1的增大,，使VT1、VT2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大,。當(dāng)a1與a2之和接近于1時，光控晶閘管的電流達到大,，即完全導(dǎo)通,。能使光控晶閘管導(dǎo)通的小光照度，稱為導(dǎo)通光照度,。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經(jīng)觸發(fā),，即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,，它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相才能關(guān)閉,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極，陰極和門極,。天津貿(mào)易Infineon英飛凌晶閘管銷售廠
晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量,。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍,。感性負載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍。2,、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,，但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作。3,、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV,；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關(guān)電源,，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩,。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路,。4,、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應(yīng)干燥,、通風(fēng)、遠離熱源,、無塵,、無腐蝕性液體或氣體。天津貿(mào)易Infineon英飛凌晶閘管銷售廠當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時,，晶閘管就會立即損壞。
它由電源變壓器,、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊,、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器,、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入,、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路,、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤1000V(50HZ),。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤,。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V，50HZ,，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號大共模電壓≤10V,，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號大共模電壓≤5V,，其他需定制,。⑹1F電流反饋信號：DC0∽5V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號大共模電壓≤5V,，其他需定制。⑺2F電流反饋信號：DC0∽5V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ，反饋信號大共模電壓≤5V,，其他需定制。⑻電位器給定接口：自帶電源,，每個接口只能接一個R≥電位器。⑼儀表控制接口:常規(guī)0～10mA儀表控制信號輸入,，內(nèi)阻抗≥500Ω。其他需定制,。⑽開關(guān)量輸入節(jié)點：4路開關(guān)量輸入，自帶電源,，禁止同其他電源混接,。⑾故障及報警繼電板輸出接點：故障和及報警各一對常開接點輸出,，容量：AC220V/1A,。⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出,。
關(guān)鍵字：光敏開關(guān)電路自動照明晶閘管開關(guān)電源中的整流電路有什么用處？三相橋式整流電路的工作原理及其意義開關(guān)電源中的整流電路有什么用處,？三相橋式整流電路的工作原理及其意義-整流電路是組成開關(guān)電源的主要部分,，整流電路有單相半波,、單相全波,、單相橋、倍壓整流和多相整流等形式,，這些整流電路都可以用于開關(guān)電源電路中，只是開關(guān)電源整流電路的工作頻率要遠遠高于普通線性穩(wěn)壓電源的整流電路,。關(guān)鍵字：整流電路晶閘管二極管常見的幾種二極管整流電路解析，可控硅整流電路波形分析常見的幾種二極管整流電路解析,，可控硅整流電路波形分析-當(dāng)輸入電壓處于交流電壓的正半周時，二極管導(dǎo)通,，輸出電壓vo=vi-vd。當(dāng)輸入電壓處于交流電壓的負半周時,，二極管截止，輸出電壓vo=0,。半波整流電路輸入和輸出電壓的波形如圖所示。關(guān)鍵字：整流電路二極管晶閘管整流電路移相如何確定,？LED全波整流電路的設(shè)計，什么是相控整流電路整流電路移相如何確定,？LED全波整流電路的設(shè)計，什么是相控整流電路-用三相全控橋式整流電路時,，輸出電壓交變分量的低頻率是電網(wǎng)頻率的6倍，交流分量與直流分量之比也較小,，因此濾波器的電感量比同容量的單相或三相半波電路小得多。另外,。根據(jù)晶閘管的工作特性，常見的應(yīng)用就是現(xiàn)場用的不間斷應(yīng)急燈,。
產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff,，它等于陽極大可關(guān)斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個典型應(yīng)用,。天津貿(mào)易Infineon英飛凌晶閘管銷售廠
正向比較大阻斷電壓，是指門極開路時,，允許加在陽極、陰極之間的比較大正向電壓,。天津貿(mào)易Infineon英飛凌晶閘管銷售廠
在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置,。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1,、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個光潔的小孔,，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2,、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,，且粗糙,，其位置在遠離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,，有細小光潔小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。天津貿(mào)易Infineon英飛凌晶閘管銷售廠