做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管,，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有關(guān)斷時(shí)間（toff）短、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）,、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）,、抗干擾能力較好等特點(diǎn)。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快,。目前，已有了電流幾百安培,、耐壓1千余伏,，關(guān)斷時(shí)間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時(shí)還做出了比較高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件,。其產(chǎn)品廣應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源,、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。3．逆導(dǎo)晶閘管以往的為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和加速,。自有了,，了逆導(dǎo)晶閘管不了上述缺點(diǎn)，而且還逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成,，特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管，可對電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流,、高電壓進(jìn)行快速釋放,。城市電車和地鐵機(jī)車采用逆導(dǎo)晶閘管控制和調(diào)節(jié)車速，能夠克服開關(guān)體積大,、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn)，從而降低了功耗,，提高了機(jī)車可靠性,。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。天津常見MagnaChip美格納模塊工廠直銷

Ia與Il成正比，即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí),，光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,，同時(shí)Il的增大，使BGl,、BG2的電流放大系數(shù)a1,、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時(shí)，光控晶閘管的Ia達(dá)到**大,，即完全導(dǎo)通,。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度，稱其為導(dǎo)通光照度,。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導(dǎo)狀態(tài),。只要有足夠強(qiáng)度的光源照射一下管子的受光窗口,，它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關(guān)閉,。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通,，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制,，在目前的條件下,，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外,，其它特性基本與普通晶閘管是相同的,，因此在使用時(shí)可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個(gè)特點(diǎn)就行了,。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,，即有選擇性。波長在——,，都是光控晶閘管較為理想的光源,。使用注意事項(xiàng)/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,，并留出一定的余量,。1、選用可控硅的額定電流時(shí),。浙江貿(mào)易MagnaChip美格納模塊值得推薦普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件,，出現(xiàn)于70年代。

測量時(shí)黑表筆接陽極A,，紅表筆接陰極K,，此時(shí)表針不動(dòng)，顯示阻值為無窮大(∞),。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2),，相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,，此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會(huì)有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通,。再斷開A極與G極的連接(A,、K極上的表筆不動(dòng)，只將G極的觸發(fā)電壓斷掉),。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng),，則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看,，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似，也有三個(gè)電極,。但是,，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽極和陰極,，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2,。它的符號也和普通晶閘管不同，是把兩個(gè)晶閘管反接在一起畫成的,，如圖2所示,。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示,；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的,。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看，雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,，見圖3(a),。為了便于說明問題，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的,，如圖3(b),。這樣一來，原來的雙向晶閘管就被分解成兩個(gè)P—N—P—N型結(jié)構(gòu)的單向晶閘管了,。

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t,。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后,，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr,。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會(huì)重新正向?qū)ǎ皇荛T極電流控制而導(dǎo)通,。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時(shí)間t,、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù),。晶閘管有三個(gè)腿，有的兩個(gè)腿長,，一個(gè)腿短,，短的那個(gè)就是門極。

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時(shí)候可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號,，BG2便有基流ib2流過,，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2,。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋,，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔谩Ｋ芊饩чl管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。天津常見MagnaChip美格納模塊工廠直銷

晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài),。天津常見MagnaChip美格納模塊工廠直銷

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無感電容，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對時(shí)間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用,，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí)。天津常見MagnaChip美格納模塊工廠直銷