1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值，稱為額定通態(tài)平均電流IT,，簡(jiǎn)稱額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH,。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比,，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷,。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。北京哪里有美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時(shí)候可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),，BG2便有基流ib2流過(guò),，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,，所以ib1=ic2。此時(shí),，電流ic2再經(jīng)BG1放大,，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋,，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增,，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔谩１本┒ㄖ泼绹?guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和,。

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個(gè)PN結(jié),，分別稱：陽(yáng)極，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。工作過(guò)程加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個(gè)極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通。它無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極,，不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的,。2．快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,。

人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn),。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管,，當(dāng)切斷正向電流時(shí),。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓,，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通,。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間,。用t0仟表示,。晶閘管的關(guān)斷過(guò)程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過(guò)程,。為了加速這種消失過(guò)程,，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命,。硅中摻金量越多,，t0仟越小，但摻金量過(guò)多會(huì)影響元件的其它性能,。二,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通,，然后逐漸向外擴(kuò)展，直到整個(gè)面積導(dǎo)通,。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導(dǎo)通,。初始導(dǎo)通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度,，否則將發(fā)生局部過(guò)熱現(xiàn)象,，影響元件的性能，甚至燒壞,。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重,。為此，仿造了集成電路的方法,，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管,。控制極觸發(fā)小晶閘管后,，小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過(guò)硅片流向主晶閘管陰極,，觸發(fā)主晶閘管。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。

從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力,。三,、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個(gè)P—N結(jié)組成的。每個(gè)結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器,。結(jié)電壓急劇變化時(shí),，就有很大的位移電流流過(guò)元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用,。可能使晶閘管誤導(dǎo)通,。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因,。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu),。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路,。這樣一來(lái)，即使電壓上升率較高,，晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,，不致使晶閘管誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,，結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,，在短路點(diǎn)上產(chǎn)生電壓降足夠大時(shí)，晶閘管才能導(dǎo)通,。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,，用控制極電流觸發(fā)時(shí)，控制極電流首先也是從短路點(diǎn)流向陰極,。只是當(dāng)控制極電流足夠大,，在短路點(diǎn)電阻上的電壓降足夠大，PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時(shí),，才同沒(méi)有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,，可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,，快速晶閘管的抗干擾能力較好,。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進(jìn)展很快,。目前,，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關(guān)斷時(shí)間*為20微妙的大功率快速晶閘管,，同時(shí)還做出了**高工作頻率可達(dá)幾十千赫茲供高頻逆變用的元件,。這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上，通過(guò)變壓器,，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓,。北京定制美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱為可控硅,。北京哪里有美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊

晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通,。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影),。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早,；UG到達(dá)較晚時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中，交流電的半周常被設(shè)定為180度,，稱為電角,。因此，在U2的每一個(gè)正半周期中,，從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱為控制角α,，每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱為導(dǎo)通角θ。顯然,，α和θ都用來(lái)表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍,。通過(guò)改變控制角度0或?qū)ń莟heta，可通過(guò)改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來(lái)實(shí)現(xiàn)可控整流器,。北京哪里有美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊