除了考慮通過元件的平均電流外,，還應注意正常工作時導通角的大小,、散熱通風條件等因素,。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值,。2、使用可控硅之前,，應該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時，應立即更換,。3,、嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片,，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析,。1、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞,，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿,。2、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3,、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4,、邊緣損壞。晶閘管可分為普通晶閘管,、雙向晶閘管,、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管,、晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管多種。北京本地意大利POSEICO晶閘管模塊

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關斷,。這就需要增加換向電路，不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達到3000A、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速,、變頻調速、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力,。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結構及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和,，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff,，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。北京本地意大利POSEICO晶閘管模塊晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于關斷狀態(tài),。

1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍,。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍,。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓)輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍,。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作,。3,、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關電源，也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源),。開關電源外殼應帶屏蔽罩,。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接,。否則將燒壞模塊控制電路,。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃,。(2)模塊周圍應干燥,、通風、遠離熱源,、無塵,、無腐蝕性液體或氣體。5,、其它要求(1)當模塊控制變壓器負載時,，如果變壓器空載。

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通,，所以采用可控硅有單雙向關系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100,，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝,、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種,、高壓品種,。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學科,。“晶閘管交流技術”,?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，質量更好,，收率有了很大的提高,，并向高壓大電流發(fā)展?？煽毓柙趹秒娐分械淖饔皿w現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣,，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下,，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,，實現(xiàn)交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器,、繼電器用于開關頻率很高的場合,。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流,、逆變,、變頻、調壓,、無觸點開關等用途,。當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用,。

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時,，光控晶閘管的輸出電流也相應增大,，同時Il的增大，使BGl,、BG2的電流放大系數(shù)a1,、a2也增大。當al與a2之和接近l時,，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通,。能使光控晶閘管導通的**小光照度,，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,，一經(jīng)觸發(fā),，即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,，它就立即成為通導狀態(tài),，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,，才能關閉,。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通,，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制,，在目前的條件下,，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外,，其它特性基本與普通晶閘管是相同的,，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個特點就行了,。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,，即有選擇性。波長在——,，都是光控晶閘管較為理想的光源,。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小,，并留出一定的余量,。1、選用可控硅的額定電流時,。其工作過程可以控制,、被廣泛應用于可控整流、交流調壓,、無觸點電子開關,、逆變及變頻等電子電路中。福建哪里有意大利POSEICO晶閘管模塊銷售廠家

逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管,。北京本地意大利POSEICO晶閘管模塊

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響,。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡。同時,，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結溫也會使均壓性能受到影響。[1]2,、關斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運行，延遲時間不同,，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會導致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同,，會引起動態(tài)電壓的不均衡,。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現(xiàn)象,。關斷電荷少，則易關斷,，關斷時間也短,，先關斷的元件必然承受**高的動態(tài)電壓。[1]晶閘管串聯(lián)技術的根本目的的是保證動,、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運行且都得到充分的利用,。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護、動態(tài)和靜態(tài)均壓,、觸發(fā)一致性,、反向恢復過電壓的抑制、開通關斷緩沖等一系列問題,。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件,，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標有元件的實測數(shù)據(jù),。。北京本地意大利POSEICO晶閘管模塊