采用電子線路進行保護等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設計好方法選用無感電容,，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,，有時對時間短,、峰值高、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關,，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當加上電壓時。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和,。北京丹尼克斯Dynex平板模塊供應

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián),。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說,，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的,。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導通。對雙向晶閘管來說,，無所謂陽極和陰極,。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,，對一個管子是陽極,，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣,。因此,，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發(fā)導通,。不*如此,，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發(fā)信號的極性如何,，也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的,?？焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間,，同時陽極電壓上升速度太快時,，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時,，會燒毀元件,。北京丹尼克斯Dynex平板模塊供應晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極,，陰極和門極,。

所以一旦可控硅導通后,，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,，沒有關斷功能,，所以這種可控硅是不可關斷的,。由于他只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以晶閘管具有開關特性,，這也就是晶閘管的作用,。晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通,。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。3.晶閘管在導通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何,，晶閘管保持導通,，即晶閘管導通后，門極失去作用,。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關斷,。4全控型晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓,。

這對晶閘管是非常危險的,。開關引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如，交流以及開關的開閉,、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓,。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,，就會產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負荷,、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時,，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關,。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大,。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源,，并使過電壓幅值衰減,；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑,。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個典型應用,。

Ia與Il成正比,，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大,，同時Il的增大,，使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1,、a2也增大,。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大,，即完全導通,。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,，一經(jīng)觸發(fā)，即成通導狀態(tài),。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,，它就立即成為通導狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導通,，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,，才能關閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通,，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通,。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下,，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的,。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的,，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇,，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,，即有選擇性,。波長在——，都是光控晶閘管較為理想的光源,。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時,，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量,。1,、選用可控硅的額定電流時。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,。天津加工丹尼克斯Dynex平板模塊代理商

當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞,。北京丹尼克斯Dynex平板模塊供應

1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量,。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍,。2,、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值，所以,，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此,，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作,。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關電源,，也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源),。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V,。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路,。4,、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應干燥,、通風,、遠離熱源、無塵,、無腐蝕性液體或氣體,。5、其它要求(1)當模塊控制變壓器負載時,，如果變壓器空載,。北京丹尼克斯Dynex平板模塊供應