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天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-30

晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件,,顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門(mén),開(kāi)關(guān)的意思,,他的應(yīng)用在各種電路,,以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,,他通過(guò)一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線,。晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又被稱做可控硅整流器,,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,,晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,,陰極和控制極,,晶閘管(Thyristor)是一種開(kāi)關(guān)元件,能在高電壓,、大電流條件下工作,,并且其工作過(guò)程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,。1957年,,美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化,。晶閘管的分類:晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC),、逆導(dǎo)晶閘管(RCT),、門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管,、溫控晶閘管(TT國(guó)外,,TTS國(guó)內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,。晶閘管有三個(gè)腿,有的兩個(gè)腿長(zhǎng),,一個(gè)腿短,,短的那個(gè)就是門(mén)極。天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽(yáng)極向陰極單方行為向?qū)?,所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分,。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分,,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝,、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來(lái)分:分為微觸型,、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種,、高壓品種,。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高,、控制特性好,、壽命長(zhǎng)、體積小,、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),,自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),獲得了迅猛發(fā)展,,并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科,。“晶閘管交流技術(shù)”,??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,,質(zhì)量更好,,收率有了很大的提高,并向高壓大電流發(fā)展,??煽毓柙趹?yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,,并且在交流電壓不變的情況下,,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)(固態(tài)開(kāi)關(guān)):作為功率開(kāi)關(guān)元件,,可控硅可以代替接觸器,、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。因此可控硅元件被廣應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中,,多作可控整流,、逆變、變頻,、調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)有的三個(gè)腿一般長(zhǎng),,從左至右,,依次是陰極、陽(yáng)極和門(mén)極,。

家用電器中的調(diào)光燈,、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器,、熱水器,、電視、冰箱,、洗衣機(jī),、照相機(jī),、音響組合、聲控電路,、定時(shí)控制器,、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器,、自動(dòng)門(mén)電路,、以及玩具裝置、電動(dòng)工具產(chǎn)品,、無(wú)線電遙控電路,、攝像機(jī)等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術(shù)應(yīng)用系統(tǒng)電路中,,可控硅元件可以多用來(lái)作可控整流,、逆變、變頻,、調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)進(jìn)行如何有效保護(hù)晶閘管在行業(yè)應(yīng)用晶閘管越來(lái)越廣,作為行業(yè)增加應(yīng)用范圍,。晶閘管的功能更加,。但有時(shí),在晶閘管的過(guò)程中會(huì)造成一定的傷害,。為了保證晶閘管的生活,,我們?nèi)绾胃玫乇Wo(hù)區(qū)晶閘管呢?1,、過(guò)電壓保護(hù)晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感,,當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障,;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),,晶閘管就會(huì)立即損壞。因此,,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法,。過(guò)電壓產(chǎn)生的主要原因是所提供的電力或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,,或系統(tǒng)中積累的電磁能量來(lái)不及消散,。主要發(fā)現(xiàn)開(kāi)關(guān)開(kāi)閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過(guò)電壓有兩種類型。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,。

他發(fā)生在芯片外圓倒角處,,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的,。它導(dǎo)致電壓擊穿,。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,,就可以構(gòu)成可控整流電路,、逆變,、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁,、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)及自動(dòng)控制等方面?,F(xiàn)在我畫(huà)一個(gè)**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在,,畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分),。Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,;Ug到來(lái)得晚,,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大?。T陔姽ぜ夹g(shù)中,,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,,稱為電角度。這樣,,在U2的每個(gè)正半周,,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。

對(duì)其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少,尚處于試驗(yàn)探索階段,。[1]在大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件中,,晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國(guó)內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中,。所制造出的大功率晶閘管,,**大直徑可達(dá)6英寸,單閥片耐壓值**高可達(dá)11KV,,的通流能力**高可達(dá)4500A,。在該領(lǐng)域比較**的有瑞士的ABB以及國(guó)內(nèi)的株洲南車(chē)時(shí)代。[1]為提高晶閘管的通流能力,、開(kāi)通速度,、di/dt承受能力,國(guó)外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管:門(mén)極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門(mén)極換流晶閘管IGCT,。這兩種器件都已經(jīng)在國(guó)外投入實(shí)際使用,。其中GTO的單片耐壓可達(dá),工況下通流能力可達(dá)4kA,,而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的**高耐壓可達(dá)10kV,,通流能力可達(dá)。[1]針對(duì)脈沖功率電源中應(yīng)用的晶閘管,,國(guó)內(nèi)還沒(méi)有廠家在這方面進(jìn)行研究,,在國(guó)際上具有**技術(shù)的是瑞士ABB公司。他們針對(duì)脈沖功率電源用大功率晶閘管進(jìn)行了十?dāng)?shù)年的研究,。目前采用的較成熟的器件為GTO,,其直徑為英寸,單片耐壓為,,通常3個(gè)閥片串聯(lián)工作,。可以承受的電流峰值為120kA/90us,,電流上升率di/dt**高可承受,。門(mén)極可承受觸發(fā)電流**大值為800A,觸發(fā)電流上升率di/dt**大為400A/us,。晶閘管分為螺栓形和平板形兩種,。天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)

這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上,通過(guò)變壓器,,調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓,。天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)

且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離,;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門(mén)極,。這種觸發(fā)方式成本較低,,技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題,,同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大,。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,,直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,,且該種晶閘管的成本較高,,不適宜采用;③間接光觸發(fā)方式,,利用光纖通信的方法,,將觸發(fā)電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)化為光脈沖信號(hào),經(jīng)處理后耦合到光電接受回路,,把光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),。既可以克服電磁干擾,又可以采用普通晶閘管,,降低了成本,。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開(kāi)關(guān)時(shí),單個(gè)晶閘管的耐壓有限,,單個(gè)晶閘管無(wú)法滿足耐壓需求,,這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來(lái)使用,從而得到滿足條件的開(kāi)關(guān),。在器件的應(yīng)用中,,由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同。天津本地美國(guó)IR可控硅&晶閘管模塊供應(yīng)