本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,，特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù)：目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動(dòng)照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,，由于用量十分巨大,，對(duì)于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,，主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,，很難再?gòu)耐馊?jié)省某個(gè)元器件，同時(shí)芯片工藝的提升對(duì)于高壓模擬電路來(lái)說(shuō)成本節(jié)省有限,，基本也壓縮到了,。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動(dòng)電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件),、高壓續(xù)流二極管,、電感,、輸入輸出電容等元件組成，系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,，導(dǎo)致芯片的封裝成本高,，基本上占到了芯片成本的一半左右，因此,，如何節(jié)省封裝成本,，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),，本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括：塑封體，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線(xiàn)管腳,、零線(xiàn)管腳,、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳,、漏極管腳,、采樣管腳。一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源,。北京本地Sirectifier矽萊克整流橋模塊供應(yīng)

所述變壓器的第二線(xiàn)圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線(xiàn)圈的另一端,。如圖6所示，所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線(xiàn)圈,，負(fù)極連接所述第五電容c5,。如圖6所示，所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端,。具體地,，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極,，負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示,，所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,，適用于兩繞組flyback(3w～25w),。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一～三的不同之處在于，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd,，所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號(hào)地管腳gnd，而連接所述電源地管腳bgnd,，相應(yīng)地,，所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改，在此不一一贅述,。如圖7所示,，本實(shí)施例還提供一種電源模組，所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于,，所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,，還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。具體地,。好的Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷(xiāo)售價(jià)格整流橋堆一般用在全波整流電路中,，它又分為全橋與半橋。

1,、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,，并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,，它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性,。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接，又因它們之間熱線(xiàn)性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃,，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大,，為此，除需采用摻磷,、鎂的銅銀合金外,，并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎，這種存在s一定弧度的焊成品,，能在模塊裝置到散熱器上時(shí),，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻,，保證模塊的出力,。2、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,，它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性，并有與硅材料較接近的熱線(xiàn)性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃,，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,，以用作主電路端子和控制端子的焊接支架，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,，使模塊具有有效值為2．5kV以上的絕緣耐壓,。3、電力半導(dǎo)體芯片：超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),，并在模塊制作過(guò)程中再涂有RTV硅橡膠,，并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹(shù)脂。

所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,，負(fù)極連接所述漏極管腳drain。如圖2所示,，所述一采樣電阻rcs1的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用,，適用于高壓線(xiàn)性(3w～12w),。實(shí)施例二如圖3所示，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),，與實(shí)施例一的不同之處在于,，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)還包括高壓續(xù)流二極管df，且功率開(kāi)關(guān)管121及邏輯電路122分立設(shè)置,。如圖3所示,，在本實(shí)施例中，所述高壓續(xù)流二極管df采用n型二極管,，所述高壓續(xù)流二極管df的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,，正極通過(guò)金屬引線(xiàn)連接漏極基島15，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述漏極管腳drain的連接,。需要說(shuō)明的是,，所述高壓續(xù)流二極管df也可采用p型二極管，粘接于漏極基島15上,，在此不一一贅述,。如圖3所示,，所述功率開(kāi)關(guān)管121的漏極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述漏極基島15上,，源極s通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述采樣管腳cs。所述邏輯電路122為芯片結(jié)構(gòu),，其底面為絕緣材料,，設(shè)置于所述信號(hào)地基島14上,，控制信號(hào)輸出端out通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述功率開(kāi)關(guān)管121的柵極g，采樣端口cs通過(guò)金屬引線(xiàn)連接所述采樣管腳cs,。全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的,。

一插片、第二插片之間通過(guò)線(xiàn)圈架隔開(kāi),，可以明顯增大爬電距離,，從而提高了電氣性能和可靠性，提升了產(chǎn)品質(zhì)量,；而且整流橋堆放置在線(xiàn)圈架繞線(xiàn)的不同側(cè),，減少了線(xiàn)圈發(fā)熱引起整流橋堆損傷或整個(gè)繞組的二次損傷,。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖,。圖2為本實(shí)用新型的圖。圖3為本實(shí)用新型線(xiàn)圈架的結(jié)構(gòu)示意圖,。圖4為本實(shí)用新型整流橋堆的構(gòu)示意圖,。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好的理解本實(shí)用新型方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚,、完整的描述。如圖1-4所示,，一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機(jī)構(gòu),，包線(xiàn)圈架1、繞組,、插片組件及塑封殼,，其中所述線(xiàn)圈架1為一塑料架，該線(xiàn)圈架1包括架體10,、設(shè)在架體10上部的一限位凸部101及設(shè)在所述架體10下部的第二限位凸部102，所述一限位凸部101為與所述架體10一體成型的環(huán)片,，所述第二限位凸部102與所述架體10一體成型的環(huán)片,；在所述架體10上繞有的銅絲以形成所述繞組；在所述線(xiàn)圈架1上套入有塑封殼,，所述塑封殼為常規(guī)的塑料外殼，該塑封殼與所述架體10相連以包著繞組,。進(jìn)一步的，所述插接片組件包括一插片21和兩個(gè)第二插片22,，所述一插片21為銅金屬片,，該一插片21為兩個(gè),。整流橋的作用就是能夠通過(guò)二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c(diǎn)上下浮動(dòng)的交流電轉(zhuǎn)換為單向的直流電,。好的Sirectifier矽萊克整流橋模塊銷(xiāo)售價(jià)格

可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡詫?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電,。北京本地Sirectifier矽萊克整流橋模塊供應(yīng)

本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本,，并有助于系統(tǒng)小型化,。綜上所述，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,，包括：塑封體,，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線(xiàn)管腳、零線(xiàn)管腳,、高壓供電管腳,、信號(hào)地管腳、漏極管腳,、采樣管腳,，以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管,、邏輯電路,、至少兩個(gè)基島；其中,，所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,，各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線(xiàn)連接至對(duì)應(yīng)管腳；所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,，產(chǎn)生邏輯控制信號(hào),；所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào)，漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳,；所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi),。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋,、功率開(kāi)關(guān)管,、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線(xiàn)框架封裝在同一個(gè)塑封體中，以此減小封裝成本,。所以,，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效,，而非用于限制本實(shí)用新型,。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此,。北京本地Sirectifier矽萊克整流橋模塊供應(yīng)