1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時候,，額定電壓一個應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平均值,，稱為額定通態(tài)平均電流IT，簡稱額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比,，在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時,，晶閘管將自動關(guān)斷,。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用,。讓輸出電壓變得可調(diào),，也屬于晶閘管的一個典型應(yīng)用。天津定制MagnaChip美格納模塊

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。（1）按關(guān)閉,、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管,。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中,，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管,、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,，而中、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管,，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR,，屬于功率器件領(lǐng)域,，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件,。SCR是它的縮寫,。根據(jù)其工作特性,，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作一個晶閘管,，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。天津定制MagnaChip美格納模塊塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

晶閘管是一種開關(guān)元件,，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門，開關(guān)的意思,，他的應(yīng)用在各種電路,，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當于一跟導(dǎo)線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,，晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件，能在高電壓,、大電流條件下工作,，并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,。1957年，美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1個晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,。晶閘管的分類：晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）,、逆導(dǎo)晶閘管（RCT）,、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國外,，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種,。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,。

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路，實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,，使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控作用。（2）采用進口方形芯片,，模塊壓降小,、功耗低,，效率高,；采用進口貼片元件,，保證觸發(fā)控制電路的可靠性,；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導(dǎo)熱性能好,，熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍,；采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料，絕緣,、防潮性能優(yōu)良,。（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱底板相互隔離,，導(dǎo)熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS）,，保證人身安全,。（4）三相交流模塊輸出對稱性好,，直流分量小,。大規(guī)格模塊具有過熱、過流,、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號,、4～20mA儀表信號,，均可實現(xiàn)對主電路輸出電壓進行平滑調(diào)節(jié),；可手動,、儀表或微機控制,。（6）適用于阻性和感性負載,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示,。

晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,，處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),，簡稱斷態(tài),。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導(dǎo)通狀態(tài),，簡稱通態(tài),。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓(UDSM)，或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO),。導(dǎo)通后,，元件中流過較大的電流,，其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定,。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,，陽極電流隨之減小,，當陽極電流小于維持電流IH時，晶閘管便從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,，當晶閘管控制極流過正向電流Ig時,，晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,，Ig越大,，轉(zhuǎn)折電壓越小，當Ig足夠大時,，晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,，一加上正向陽極電壓,，晶閘管就導(dǎo)通,。實際規(guī)定，當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時,，能使元件導(dǎo)通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓),。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,，開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),，只有很小的反向漏電流流過,。當反向電壓增大到某一數(shù)值時,，反向漏電流急劇增大，這時,，所對應(yīng)的電壓稱為反向不重復(fù)峰值電壓(URSM),，或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR),。可見,，晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似,。晶閘管晶閘管的開通和關(guān)斷的動態(tài)過程的物理過程較為復(fù)雜,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。天津定制MagnaChip美格納模塊

1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。天津定制MagnaChip美格納模塊

這對晶閘管是非常危險的,。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如，交流以及開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓問題由于我國變壓器內(nèi)部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路,、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設(shè)計將會有更高的過電壓,。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,，就會產(chǎn)生較大的過電壓,。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負荷,、導(dǎo)通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時,，引起電流突變,。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓,。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；抑制過電壓能量上升的速率,，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑。天津定制MagnaChip美格納模塊