四種條件下雙向可控硅均可被觸發(fā)導(dǎo)通,，但是觸發(fā)靈敏度互不相同,，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的小門極電流IGT是有區(qū)別的，其中(a)觸發(fā)靈敏度高,，(b)觸發(fā)靈敏度低,，為了保證觸發(fā)同時又要盡量限制門極電流，應(yīng)選擇(c)或(d)的觸發(fā)方式,。2：可控硅過載的保護(hù)可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,，但是它過載能力差，短時間的過流,，過壓都會造成元件損壞,，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,，否則控制極將不起作用,；(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按大電流的～2倍來取,；(3)為保證控制極可靠觸發(fā),，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外,，還必須采取保護(hù)措施,，一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的,，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),，當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些，一般多采用前者,，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,，過電壓的尖峰高,，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制,。3：控制大電感負(fù)載時的干擾電網(wǎng)和自干擾的避免可控硅元件控制大電感負(fù)載時會有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊值得推薦

    否則說明該器件已損壞,。雙向可控硅測量方法編輯帶3伏電池的指針萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻,，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大,。若一組為數(shù)十歐姆時，該組紅,、黑表所接的兩引腳為一陽極A1和控制極G,，另一空腳即為第二陽極A2。確定A1,、G極后,，再仔細(xì)測量A1、G極間正,、反向電阻,，讀數(shù)相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為一陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G,。將黑表筆接已確定的第二陽極A2,，紅表筆接一陽極A1，此時萬用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),，阻值為無窮大,。再用短接線將A2、G極瞬間短接,，給G極加上正向觸發(fā)電壓,，A2、A1間阻值約10歐姆左右,。隨后斷開A2,、G間短接線,，萬用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右,。互換紅,、黑表筆接線,，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接一陽極A1,。同樣萬用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),，阻值為無窮大。用短接線將A2,、G極間再次瞬間短接,，給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓，A1,、A2間的阻值也是10歐姆左右,。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變,，保持在10歐姆左右,。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確,。檢測較大功率可控硅時,，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)，以提高觸發(fā)電壓,。參數(shù)符號IT,。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊值得推薦它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動控制系統(tǒng)中，大功率驅(qū)動器件,，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備,。

    允許通過陰極和陽極的電流平均值?？煽毓璺庋b形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅取?/p>

    改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN結(jié),。可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓桦妷簻y方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的一,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。

    AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率可控硅延伸閱讀編輯1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時,，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時,，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容,，來濾掉高頻噪聲,。2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個大的電感性負(fù)載時,，在負(fù)載電壓和電流間有一個很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向,，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓,。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊值得推薦

雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管,。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊值得推薦

    4,、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r,，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示,。當(dāng)陽極A端加上正向電壓時,，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號,，使得BG2管有基極電流ib2通過,，經(jīng)過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2,。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大,，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋,，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無法關(guān)斷,，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài),。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊值得推薦