若用于交直流電壓控制、可控整流,、交流調(diào)壓,、逆變電源、開(kāi)關(guān)電源保護(hù)電路等,，可選用普通單向晶閘管,。若用于交流開(kāi)關(guān)、交流調(diào)壓,、交流電動(dòng)機(jī)線(xiàn)性調(diào)速,、燈具線(xiàn)性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,，應(yīng)選用雙向晶閘管,。若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器,、逆變電源及各種電子開(kāi)關(guān)電路等,，可選用門(mén)極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波發(fā)生器,、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器,、過(guò)電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG晶閘管,。若用于電磁灶,、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路,、超導(dǎo)磁能儲(chǔ)存系統(tǒng)及開(kāi)關(guān)電源等電路,，可選用逆導(dǎo)晶閘管。若用于光電耦合器,、光探測(cè)器,、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)的運(yùn)行監(jiān)控電路,，可選用光控晶閘管,。2．選擇晶閘管的主要參數(shù)：晶閘管的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。所選晶閘管應(yīng)留有一定的功率裕量,，其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的**大工作電壓和**大工作電流1．5～2倍,。晶閘管的正向壓降、門(mén)極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門(mén)極的控制電路)的各項(xiàng)要求,，不能偏高或偏低,，否則會(huì)影響晶閘管的正常工作。單向檢測(cè)/晶閘管編輯(1)判別各電極：根據(jù)普通晶閘管的結(jié)構(gòu)可知,，其門(mén)極G與陰極K極之間為一個(gè)PN結(jié),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓,、耐高溫,、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。上海好的Sirectifier矽萊克可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓,。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平均值,，稱(chēng)為額定通態(tài)平均電流IT，簡(jiǎn)稱(chēng)額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下,，維持元件繼續(xù)導(dǎo)通的**小電流稱(chēng)為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比,，在120攝氏度時(shí)維持電流約為25攝氏度時(shí)的一半。當(dāng)晶閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí),，晶閘管將自動(dòng)關(guān)斷,。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類(lèi)型：晶閘管有多種類(lèi)型，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。上海好的Sirectifier矽萊克可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加,，泄漏了能量，抑制了過(guò)電壓,，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱(chēng)電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),，它兩端的電壓值,。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標(biāo)稱(chēng)工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以?xún)?nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),，標(biāo)稱(chēng)電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時(shí),，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標(biāo)稱(chēng)直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多,，便于用戶(hù)選擇,；伏安特性是對(duì)稱(chēng)的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制。

晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件,，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門(mén),，開(kāi)關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路,，以及電子設(shè)備中,。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過(guò)一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線(xiàn),。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),，又被稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和控制極,，晶閘管（Thyristor）是一種開(kāi)關(guān)元件,，能在高電壓、大電流條件下工作,，并且其工作過(guò)程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,。1957年,，美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1個(gè)晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。晶閘管的分類(lèi)：晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）,、逆導(dǎo)晶閘管（RCT）,、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國(guó)外,，TTS國(guó)內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中,。這類(lèi)應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上,，通過(guò)變壓器，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓,。

α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。晶閘管晶體閘流管（英語(yǔ)：Thyristor），簡(jiǎn)稱(chēng)晶閘管,，指的是具有四層交錯(cuò)P,、N層的半導(dǎo)體裝置。**早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier,，SCR）,，中國(guó)大陸通常簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅,，又稱(chēng)半導(dǎo)體控制整流器,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件，為***代半導(dǎo)體電力電子器件的**,。晶閘管的特點(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ?，即與一般的二極管相比，可以對(duì)導(dǎo)通電流進(jìn)行控制,。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用,，并體積小、輕,、功耗低,、效率高、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),，***用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),、可控整流、逆變,、調(diào)光,、調(diào)壓、調(diào)速等方面,。發(fā)展歷史/晶閘管編輯半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)**重大的突破,，標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,，促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,，其中一個(gè)分支即是以集成電路為**的微電子器件,，特點(diǎn)為小功率、集成化,，作為信息的檢出,、傳送和處理的工具；而另一類(lèi)就是電力電子器件,，特點(diǎn)為大功率,、快速化。1955年,。在使用過(guò)程中,，晶閘管對(duì)過(guò)電壓是很敏感的。上海好的Sirectifier矽萊克可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。上海好的Sirectifier矽萊克可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法,。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極,，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值,，對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大,。由此可迅速判定G、K極,，剩下的就是A極,。（此處指的模擬表，電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,，模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT）,，又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管。國(guó)內(nèi)也稱(chēng)GK型光開(kāi)關(guān)管,，是一種光敏器件,。1．光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極：控制極G、陽(yáng)極A和陰極K,。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,，沒(méi)有必要再引出控制極，所以只有兩個(gè)電極（陽(yáng)極A和陰極K）,。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,，光控晶閘管亦有受光窗口,，還有兩條管腳和殼體,，酷似光電二極管。2．光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時(shí),，控晶閘管可以等效成的電路?？赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-（a1+a2）]式中,，Il為光電二極管的光電流；Ia為光控晶閘管陽(yáng)極電流,，即光控晶閘管的輸出電流,；a1、a2分別為BGl,、BG2的電流放大系數(shù),。由上式可知。上海好的Sirectifier矽萊克可控硅模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)