美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：

***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型,。JAN-軍級(jí),、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí),、JANS-宇航級(jí),、（無）-非***品。

第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目,。1-二極管,、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件,、n-n個(gè)pn結(jié)器件,。

第三部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)標(biāo)志。N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）注冊(cè)登記,。

第四部分：美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào),。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。

第五部分：用字母表示器件分檔,。A,、B、C,、D,、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別,。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管,，JAN-軍級(jí)、2-三極管,、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志,、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔,。 探索半導(dǎo)體器件奧秘,，無錫微原電子科技，行業(yè)先鋒,！長(zhǎng)寧區(qū)哪些是半導(dǎo)體器件

中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件,、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管,、PIN型管,、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四,、五部分）組成,。

五個(gè)部分意義如下：

***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性,。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料,、B-P型鍺材料、C-N型硅材料,、D-P型硅材料,。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料,、C-PNP型硅材料,、D-NPN型硅材料。

第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型,。P-普通管,、V-微波管、W-穩(wěn)壓管,、C-參量管,、Z-整流管、L-整流堆,、S-隧道管,、N-阻尼管、U-光電器件,、K-開關(guān)管,、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W),、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W),、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件,、B-雪崩管,、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管,、BT-半導(dǎo)體特殊器件,、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管,、JG-激光器件,。 推廣半導(dǎo)體器件智能系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件的征途上，無錫微原電子科技始終堅(jiān)定前行,，不斷超越,！

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下,，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶,，受到熱激發(fā)后,，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶,，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位,，稱為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng),，而是一種等效。電子導(dǎo)電時(shí)等電量的空穴會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng),。它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流,，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。

這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電,。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴,，電子-空穴對(duì)消失，稱為復(fù)合,。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）,。

在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,，此時(shí)半導(dǎo)體具有一定的載流子密度,，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí),，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì),，載流子密度增加，電阻率減小,。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大,，實(shí)際應(yīng)用不多。

穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴,。其后綴的***部分是一個(gè)字母,，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,，字母A,、B、C,、D,、E分別表示容許誤差為±1%、±2%,、±5%,、±10%、±15%,；其后綴第二部分是數(shù)字,，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，**小數(shù)點(diǎn),，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值,。2、整流二極管后綴是數(shù)字,，表示器件的比較大反向峰值耐壓值,，單位是伏特。3,、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,，通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管,。無錫微原電子科技，用專業(yè)打造半導(dǎo)體器件行業(yè)的精品之作,！

    半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié),，它正向通電流時(shí)，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光,。它可以發(fā)出綠光,、黃光、紅光和紅外線等,。所用的材料有 GaP,、GaAs、GaAs1-xPx,、Ga1-xAlxAs,、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)體激光器如果使高效率的半導(dǎo)體發(fā)光管的發(fā)光區(qū)處在一個(gè)光學(xué)諧振腔內(nèi),，則可以得到激光輸出,。這種器件稱為半導(dǎo)體激光器或注入式激光器。

   **早的半導(dǎo)體激光器所用的PN結(jié)是同質(zhì)結(jié),，以后采用雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),。雙異質(zhì)結(jié)激光器的優(yōu)點(diǎn)在于它可以使注入的少數(shù)載流子被限制在很薄的一層有源區(qū)內(nèi)復(fù)合發(fā)光，同時(shí)由雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光導(dǎo)管又可以使產(chǎn)生的光子也被限制在這層有源區(qū)內(nèi),。因此雙異質(zhì)結(jié)激光器有較低的閾值電流密度,，可以在室溫下連續(xù)工作。 無錫微原電子科技,，半導(dǎo)體器件行業(yè)的智慧結(jié)晶,，展現(xiàn)無限魅力！大規(guī)模半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過程

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本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流,。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運(yùn)動(dòng)方向相反,。載流子：運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子,。導(dǎo)體電的特點(diǎn)：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電,。本征半導(dǎo)體電的特點(diǎn)：本征半導(dǎo)體有兩種載流子,，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象稱為本征激發(fā),。復(fù)合：自由電子在運(yùn)動(dòng)的過程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴,，使兩者同時(shí)消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合,。動(dòng)態(tài)平衡：在一定的溫度下,，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對(duì)，與復(fù)合的自由電子與空穴對(duì)數(shù)目相等,，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,。長(zhǎng)寧區(qū)哪些是半導(dǎo)體器件

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