如何測(cè)試DDR？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行,。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,，其價(jià)值一般在數(shù)百萬美元以上。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器,。測(cè)試工程師通過編程來模擬實(shí)際工作環(huán)境,；另外，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點(diǎn),。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷,。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性,，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù),。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍,。因此,，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡。為此,，要保證一定的測(cè)試分辨率,，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問題,。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換,，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度,。在頻率為266MHz時(shí),，開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線律,。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射,。 DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案,；信息化DDR測(cè)試價(jià)目表

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸,。在頻率為266MHz時(shí),，2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題,，一種新型處理機(jī)面市了,。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入,，平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽,；一旦測(cè)試完成,，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出,。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 信息化DDR測(cè)試價(jià)目表DDR測(cè)試技術(shù)介紹與工具分析；

    對(duì)于DDR源同步操作,，必然要求DQS選通信號(hào)與DQ數(shù)據(jù)信號(hào)有一定建立時(shí)間tDS和保持時(shí)間tDH要求,，否則會(huì)導(dǎo)致接收鎖存信號(hào)錯(cuò)誤，DDR4信號(hào)速率達(dá)到了,，單一比特位寬為,，時(shí)序裕度也變得越來越小，傳統(tǒng)的測(cè)量時(shí)序的方式在短時(shí)間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值,，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動(dòng)帶來的對(duì)時(shí)序惡化的貢獻(xiàn),，也很難準(zhǔn)確反映隨機(jī)抖動(dòng)Rj的影響。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動(dòng)因素,，基于雙狄拉克模型分解抖動(dòng)和噪聲的隨機(jī)性和確定性成分,，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度。JEDEC協(xié)會(huì)在規(guī)范中明確了在DDR4中測(cè)試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓,，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時(shí)間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求,。

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層,，中間的兩層,，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層,，Vtt和Vref在VDD平面層布線,。而當(dāng)使用6層來走線時(shí),，設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了,，從而提高了電源完整性,。互聯(lián)通道的另一參數(shù)阻抗,，在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的,，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上，且做到阻抗匹配,，而對(duì)于差分信號(hào),，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端，比如CLOCK和DQS信號(hào),。另外,，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms,，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms,。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí)，單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上,，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn),。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,，電阻值可能需要做出不同的選擇,，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms,。DDR的規(guī)范要求進(jìn)行需求,；

DDR測(cè)試

DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流,，DDR5也開始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來說,，我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率,。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率,，由于在DDR總線上會(huì)有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間,、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等,，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值,。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些；北京DDR測(cè)試產(chǎn)品介紹

DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析；信息化DDR測(cè)試價(jià)目表

DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn)：·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s（百萬次/秒）,，而DDR4為3200MT/s,，DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?！じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V,，低于DDR4的1.2V，能降低單位頻寬的功耗達(dá)20％以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長(zhǎng)度增加到BL16,，約為DDR4的兩倍,，提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù),，同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn),。此外，DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍,，這是通過在任意給定時(shí)間打開更多頁面來提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素,。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求,。信息化DDR測(cè)試價(jià)目表

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