DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0,、PCIe等高速串行總線(xiàn)的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線(xiàn)由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn),。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō),，DDR4及之前的總線(xiàn)接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配,、時(shí)延,、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高,，因此接收端也開(kāi)始采用很多高速串行總線(xiàn)中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù),，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的,。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義,；機(jī)械DDR測(cè)試修理

DDR測(cè)試

DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代,，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流,，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線(xiàn)來(lái)說(shuō),，我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線(xiàn)上信號(hào)的快跳變速率,。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線(xiàn)上比較高傳輸速率,，由于在DDR總線(xiàn)上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間,、高阻態(tài)時(shí)間、總線(xiàn)刷新時(shí)間等,，因此其實(shí)際的總線(xiàn)傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值,。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 校準(zhǔn)DDR測(cè)試修理DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件；

DDR測(cè)試

主要的DDR相關(guān)規(guī)范,，對(duì)發(fā)布時(shí)間,、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓,、參考電壓,、內(nèi)存容量、預(yù)取長(zhǎng)度,、端接,、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對(duì)比?？梢钥闯鯠DR在向著更低電壓,、更高性能、更大容量方向演 進(jìn),，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),。以DDR5為例，相 對(duì)于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn),，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響,、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號(hào)時(shí)序、支持總線(xiàn)反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線(xiàn),、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)可靠性,、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測(cè)等。

DDR測(cè)試

要注意的是,，由于DDR的總線(xiàn)上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,，所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類(lèi)芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試,。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō)，不同控制器芯片廠(chǎng)商有不同的要求,，目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范,，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶(hù)可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),，并借助合適的信號(hào)讀/寫(xiě)分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試,。 DDR內(nèi)存條電路原理圖；

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是,，通過(guò)過(guò)孔互聯(lián)的這個(gè)過(guò)孔附近沒(méi)有任何地過(guò)孔,，那么，其返回路徑只能通過(guò)離此過(guò)孔250mils的PCB邊緣來(lái)提供,；第二種是,，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線(xiàn)；第三種是,，在一個(gè)信號(hào)線(xiàn)的四周有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞著,。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線(xiàn)的S-Parameters，從圖中可以看出,，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的信號(hào)過(guò)孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線(xiàn),，從而提高了S21特性。

由此可知,，在信號(hào)過(guò)孔附近缺少返回路徑的情況下,，則此信號(hào)過(guò)孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里,，在時(shí)延方面顯得尤為重要,。 DDR3總線(xiàn)的解碼方法；信息化DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試

DDR的信號(hào)測(cè)試和協(xié)議測(cè)試,；機(jī)械DDR測(cè)試修理

如何測(cè)試DDR,？

DDR測(cè)試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級(jí)測(cè)試DDR芯片測(cè)試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測(cè)試儀通常是內(nèi)存自動(dòng)測(cè)試設(shè)備,，其價(jià)值一般在數(shù)百萬(wàn)美元以上,。測(cè)試儀的部分是一臺(tái)可編程的高分辨信號(hào)發(fā)生器。測(cè)試工程師通過(guò)編程來(lái)模擬實(shí)際工作環(huán)境,；另外,，他也可以對(duì)計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來(lái)尋找平衡點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷,。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序,。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù),。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍,，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此,，測(cè)試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會(huì)很快被消耗殆盡,。為此，要保證一定的測(cè)試分辨率,，就必須增大測(cè)試儀的內(nèi)存,。建立測(cè)試頭也是一個(gè)棘手的問(wèn)題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns,，所以管腳驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵,。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號(hào)轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)向速度,。在頻率為266MHz時(shí),，開(kāi)始出現(xiàn)傳輸線(xiàn)反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測(cè)試平臺(tái)時(shí)必須遵循直線(xiàn)律,。為保證信號(hào)的統(tǒng)一性,，必須對(duì)測(cè)試頭布局進(jìn)行傳輸線(xiàn)模擬,。管腳驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號(hào)反射。 機(jī)械DDR測(cè)試修理

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