DDR應(yīng)用現(xiàn)狀隨著近十年以來(lái)智能手機(jī),、智能電視,、AI技術(shù)的風(fēng)起云涌,，人們對(duì)容量更高,、速度更快,、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的需求不斷提高,，DDRSDRAM也不斷地響應(yīng)市場(chǎng)的需求和技術(shù)的升級(jí)推陳出新,。目前，用于主存的DDRSDRAM系列的芯片已經(jīng)演進(jìn)到了DDR5了,，但市場(chǎng)上對(duì)經(jīng)典的DDR3SDRAM的需求仍然比較旺盛,。測(cè)試痛點(diǎn)測(cè)試和驗(yàn)證電子設(shè)備中的DDR內(nèi)存，客戶一般面臨三大難題：如何連接DDR內(nèi)存管腳,；如何探測(cè)和驗(yàn)證突發(fā)的讀寫脈沖信號(hào),；配置測(cè)試系統(tǒng)完成DDR內(nèi)存一致性測(cè)試。DDR有那些測(cè)試解決方案,；USB測(cè)試DDR測(cè)試USB測(cè)試

trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,，一種在不需要提高其間距的情況下，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線,。顯然,，sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是，依來(lái)看它需要更多的空間,。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,，所以，在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),，要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,，從而控制走線的時(shí)延匹配?？紤]到在圖2中6層板上的過(guò)孔的因素,，當(dāng)一個(gè)地過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔放置時(shí)，則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的,。先舉個(gè)例子,，在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils，BOTTOM層的微帶線也是150mils,，線寬都為4mils,，且過(guò)孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”，paddiameter=”18mils”,，anti-paddiameter=”26mils”,。電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試配件DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容方案；

3.互聯(lián)拓?fù)鋵?duì)于DDR2和DDR3,，其中信號(hào)DQ,、DM和DQS都是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，然而例外的是,，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設(shè)計(jì)中并不是這樣的。在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的方式時(shí),，可以很容易的通過(guò)ODT的阻抗設(shè)置來(lái)做到阻抗匹配,，從而實(shí)現(xiàn)其波形完整性。而對(duì)于ADDR/CMD/CNTRL和一些時(shí)鐘信號(hào),，它們都是需要多點(diǎn)互聯(lián)的,，所以需要選擇一個(gè)合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，圖2列出了一些相關(guān)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，其中Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種特殊的菊花鏈,，它不需要很長(zhǎng)的連線，甚至有時(shí)不需要短線（Stub）,。對(duì)于DDR3,，這些所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短,。Fly-By拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在處理噪聲方面,，具有很好的波形完整性,，然而在一個(gè)4層板上很難實(shí)現(xiàn)，需要6層板以上,，而菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)在一個(gè)4層板上是容易實(shí)現(xiàn)的,。另外，樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要求AB的長(zhǎng)度和AC的長(zhǎng)度非常接近（如圖2）,?？紤]到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長(zhǎng)度,，同時(shí)又要滿足板層的約束要求,，在基于4層板的DDR3設(shè)計(jì)中，合理的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu),。

只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線,，存儲(chǔ)器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成,。而在DIMM的案例里,，只有一個(gè)不帶緩存的DIMM被使用。對(duì)TOP/BOTTOM層布線的一個(gè)閃照?qǐng)D和信號(hào)完整性仿真圖,。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在800 MHz,，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在400 MHz,，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò),，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個(gè)經(jīng)過(guò)比較過(guò)的數(shù)據(jù)信號(hào)眼圖，一個(gè)是仿真的結(jié)果,，而另一個(gè)是實(shí)際測(cè)量的,。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的,。

11.結(jié)論本文,，針對(duì)DDR2/DDR3的設(shè)計(jì)，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹,。對(duì)于在4層板里設(shè)計(jì)800Mbps的DDR2和DDR3是可行的,，但是對(duì)于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 DDR3總線的解碼方法,；

DDR測(cè)試

內(nèi)存條測(cè)試對(duì)內(nèi)存條測(cè)試的要求是千差萬(wàn)別的,。DDR內(nèi)存條的制造商假定已經(jīng)進(jìn)行過(guò)芯片級(jí)半導(dǎo)體故障的測(cè)試，因而他們的測(cè)試也就集中在功能執(zhí)行和組裝錯(cuò)誤方面,。通過(guò)采用DDR雙列直插內(nèi)存條和小型雙列直插內(nèi)存條,，可以有三種不同內(nèi)存條測(cè)試儀方案：雙循環(huán)DDR讀取測(cè)試。這恐怕是簡(jiǎn)單的測(cè)試儀方案。大多數(shù)的測(cè)試儀公司一般對(duì)他們現(xiàn)有的SDR測(cè)試儀作一些很小的改動(dòng)就將它們作為DDR測(cè)試儀推出,。SDR測(cè)試儀的寫方式是將同一數(shù)據(jù)寫在連續(xù)排列的二個(gè)位上,。在讀取過(guò)程中，SDR測(cè)試儀能首先讀DDR內(nèi)存條的奇數(shù)位數(shù)據(jù),。然后,，通過(guò)將數(shù)據(jù)鎖存平移半個(gè)時(shí)鐘周期，由第二循環(huán)讀偶數(shù)位,。這使得測(cè)試儀能完全訪問(wèn)DDR內(nèi)存單元,。該方法沒(méi)有包括真正的突發(fā)測(cè)試，而且也不是真正的循環(huán)周期測(cè)試,。

DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試,；電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試配件

DDR3關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；USB測(cè)試DDR測(cè)試USB測(cè)試

DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)（用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形）對(duì)DDR5來(lái)說(shuō),，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力,、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容,、片上端接ODT,、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能,、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等,。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

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