DDR測試

DDRDIMM內(nèi)存條測試處理內(nèi)存條測試儀重要的部分是自動處理機。處理機一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸,。在頻率為266MHz時,，2英寸長的連接器將會造成測試信號極大衰減。為解決上述難題,，一種新型處理機面市了,。它采用普通手動測試儀的插槽。測試儀可以模擬手動插入,，平穩(wěn)地插入待測內(nèi)存條的插槽,；一旦測試完成，內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出,。

克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區(qū) DDR測試USB眼圖測試設(shè)備,？電氣性能測試DDR測試檢查

DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate),。DDR與普通同步動態(tài)隨機內(nèi)存（DRAM）非常相象,。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成,。為節(jié)省輸入管腳,，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片,。緊隨RAS命令之后,，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經(jīng)過RAS和CAS,，存儲的數(shù)據(jù)可以被讀取,。同步動態(tài)隨機內(nèi)存（SDRDRAM)將時鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,，RAS、CAS,、數(shù)據(jù)有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動,。根據(jù)時鐘指示，可以預(yù)測數(shù)據(jù)和其它信號的位置,。因而,，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計性,，所以可將內(nèi)存劃分成4個組進行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取,。通過突發(fā)模式，可進行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通,。連續(xù)CAS選通可對來自相同行的數(shù)據(jù)進行讀取,。 電氣性能測試DDR測試檢查一種DDR4內(nèi)存信號測試方法；

    對于DDR源同步操作,，必然要求DQS選通信號與DQ數(shù)據(jù)信號有一定建立時間tDS和保持時間tDH要求,，否則會導(dǎo)致接收鎖存信號錯誤，DDR4信號速率達到了,，單一比特位寬為，時序裕度也變得越來越小,，傳統(tǒng)的測量時序的方式在短時間內(nèi)的采集并找到tDS/tDH差值,，無法大概率體現(xiàn)由于ISI等確定性抖動帶來的對時序惡化的貢獻，也很難準(zhǔn)確反映隨機抖動Rj的影響,。在DDR4的眼圖分析中就要考慮這些抖動因素,，基于雙狄拉克模型分解抖動和噪聲的隨機性和確定性成分，外推出基于一定誤碼率下的眼圖張度,。JEDEC協(xié)會在規(guī)范中明確了在DDR4中測試誤碼率為1e-16的眼圖輪廓,，確保滿足在Vcent周圍Tdivw時間窗口和Vdivw幅度窗口范圍內(nèi)模板內(nèi)禁入的要求。

   克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng),，以成為高數(shù)信號傳輸測試界的帶頭者為奮斗目標(biāo),。

   克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室重心團隊成員從業(yè)測試領(lǐng)域10年以上。實驗室配套KEYSIGHT/TEK主流系列示波器,、誤碼儀,、協(xié)議分析儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀及附件,，使用PCIE/USB-IF/WILDER等行業(yè)指定品牌夾具,。堅持以專業(yè)的技術(shù)人員，嚴(yán)格按照行業(yè)測試規(guī)范,，配備高性能的權(quán)能測試設(shè)備,，提供給客戶更精細(xì)更權(quán)能的全方面的專業(yè)服務(wù),。     克勞德高速數(shù)字信號測試實驗室提供具深度的專業(yè)知識及一系列認(rèn)證測試、預(yù)認(rèn)證測試及錯誤排除信號完整性測試,、多端口矩陣測試,、HDMI測試、USB測試等方面測試服務(wù),。 DDR壓力測試的內(nèi)容有那些,；

trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響，一種在不需要提高其間距的情況下,，并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線,。顯然，sawtooth線比trombone線具有更好的效果,。但是,，依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因,，所以,，在實際的設(shè)計時，要借助于CAD工具進行嚴(yán)格的計算,，從而控制走線的時延匹配,。考慮到在圖2中6層板上的過孔的因素,，當(dāng)一個地過孔靠近信號過孔放置時,，則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子,，在TOP層的微帶線長度是150mils,，BOTTOM層的微帶線也是150mils，線寬都為4mils,，且過孔的參數(shù)為：barreldiameter=”8mils”,，paddiameter=”18mils”，anti-paddiameter=”26mils”,。協(xié)助DDR有那些工具測試,；多端口矩陣測試DDR測試HDMI測試

DDR關(guān)于信號建立保持是的定義；電氣性能測試DDR測試檢查

9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM,，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別,。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,，帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的,。

10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則，在DDR2PCB,、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,，都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用,。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器,，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能,。在SI仿真方面，采用了IBIS模型,，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy,，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率,。在這里,，數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology,，下面所有的波形都是采用通常的測試方法,，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。 電氣性能測試DDR測試檢查