單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境,，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真,。

在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口,，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析,，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到,，差分時鐘波形邊沿正常,，有一些反射。

原始設(shè)計(jì)沒有接終端的電阻端接,。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除,，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看,，可以看到,， 時鐘信號完全不能工作。 DDR3一致性測試是否適用于非服務(wù)器計(jì)算機(jī),？機(jī)械DDR3測試多端口矩陣測試

至此,，DDR3控制器端各信號間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢。單擊OK按鈕,，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識別的注釋,，連同原始IBIS文件 保存為一個新的IBIS文件。如果不希望生成新的IBIS文件,，則也可以選擇Updateo

設(shè)置合適的 OnDie Parasitics 和 Package Parasiticso 在本例中,。nDie Parasitics 選擇 None, Package Parasitics使用Pin RLC封裝模型。單擊OK按鈕保存并退出控制器端的設(shè)置,。

On-Die Parasitics在仿真非理想電源地時影響很大,，特別是On-Die Capacitor,需要根據(jù) 實(shí)際情況正確設(shè)定,。因?yàn)閷?shí)際的IBIS模型和模板自帶的IBIS模型管腳不同，所以退出控制器 設(shè)置窗口后,，Controller和PCB模塊間的連接線會顯示紅叉,，表明這兩個模塊間連接有問題， 暫時不管,，等所有模型設(shè)置完成后再重新連接,。 機(jī)械DDR3測試多端口矩陣測試DDR3一致性測試是否適用于雙通道或四通道內(nèi)存配置？

 如果模型文件放在其他目錄下,，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕,，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型,。

在模型設(shè)置界面中選中U100后,，單擊Find Model...按鈕，在彈出來的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代,，再單擊空白處或按下Tab鍵,，在列岀的 模型文件中選中。

單擊Load按鈕,，加載模型,。

加載模型后，選擇文件下的Controller器件模型,，然后單擊Assign 按鈕,，將這個器件模型賦置給U100器件。

單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖,。雙擊彩圖 上的任何線段,，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。

單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息,，內(nèi) 容包括走線名稱,、走線長度百分比、走線阻抗,、走線長度,、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時,，

單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗,。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱，可以切換到不同層查看走線阻抗視圖,。 是否可以在已通過一致性測試的DDR3內(nèi)存模塊之間混搭？

LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,，I/O 口工作電壓為 1.2V,；時 鐘信號頻率為166?533MHz,；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣,；控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣,；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計(jì),，信號通常為點(diǎn)對點(diǎn)或樹形拓?fù)?，沒有ODT功能。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口,，I/O 口工作電壓為1.2V； 時鐘信號頻率為667?1066MHz,；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣,；控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣；一般用于板載設(shè)計(jì),，數(shù)據(jù)信號一般為點(diǎn)對點(diǎn)拓?fù)?，命令地址和控制信號一般也釆?Fly-by走線,，有些情況下可以使用樹形走線,；數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能；也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間的延時偏移,。 DDR3一致性測試是否包括高負(fù)載或長時間運(yùn)行測試？機(jī)械DDR3測試多端口矩陣測試

DDR3一致性測試和DDR3速度測試之間有什么區(qū)別,？機(jī)械DDR3測試多端口矩陣測試

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小,。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號耦合,，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型,；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號的SPICE模型,。前者模型提取時間長,，但模型細(xì)節(jié)完整,，適合終的仿真驗(yàn)證；后者模型提取快,，SPICE模型仿真收斂性好,，比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。機(jī)械DDR3測試多端口矩陣測試