8.PCBLayout在實際的PCB設計時,，考慮到SI的要求，往往有很多的折中方案,。通常,，需要優(yōu)先考慮對于那些對信號的完整性要求比較高的。畫PCB時,，當考慮以下的一些相關因素,，那么對于設計PCB來說可靠性就會更高,。1）首先，要在相關的EDA工具里設置好拓撲結構和相關約束,。2）將BGA引腳突圍,，將ADDR/CMD/CNTRL引腳布置在DQ/DQS/DM字節(jié)組的中間，由于所有這些分組操作,，為了盡可能少的信號交叉,，一些的管腳也許會被交換到其它區(qū)域布線。3）由串擾仿真的結果可知,，盡量減少短線（stubs）長度,。通常，短線（stubs）是可以被削減的,，但不是所有的管腳都做得到的,。在BGA焊盤和存儲器焊盤之間也許只需要兩段的走線就可以實現(xiàn)了，但是此走線必須要很細,，那么就提高了PCB的制作成本,，而且，不是所有的走線都只需要兩段的,，除非使用微小的過孔和盤中孔的技術,。終，考慮到信號完整性的容差和成本,，可能選擇折中的方案,。用DDR的BGA探頭引出測試信號；眼圖測試DDR測試方案商

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下,，其電源的容差性,。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題,，比如加大時鐘抖動,、數(shù)據(jù)抖動和串擾。這里,，可以很好的理解與去偶相關的理論,，現(xiàn)在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里,，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響,，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里,，去耦網(wǎng)絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）,。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容,，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用,。頻率在100KHz以下，在電壓調(diào)節(jié)模塊里的大電容可以很好的進行去耦,。而頻率在200MHz以上的,，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。電氣性能測試DDR測試高速信號傳輸DDR信號的讀寫分離方法,；

DDR5發(fā)送端測試隨著信號速率的提升，SerDes技術開始在DDR5中采用,，如會采用DFE均衡器改善接收誤碼率,，另外DDR總線在發(fā)展過程中引入訓練機制，不再是簡單的要求信號間的建立保持時間,，在DDR4的時始使用眼圖的概念,，在DDR5時代，引入抖動成分概念,，從成因上區(qū)分解Rj,，Dj等，對芯片或系統(tǒng)設計提供更具體的依據(jù),；在抖動的參數(shù)分析上,，也增加了一些新的抖動定義參數(shù)，并有嚴苛的測量指標,。針對這些要求,，提供了完整的解決方案。UXR示波器,，配合D9050DDRC發(fā)射機一致性軟件,，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer,，可以實現(xiàn)對DDR信號的精確表征,。

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除了DDR以外，近些年隨著智能移動終端的發(fā)展,，由DDR技術演變過來的LPDDR(Low-PowerDDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快,。LPDDR主要針對功耗敏感的應用場景，相對于同一代技術的DDR來說會采用更低的工作電壓,，而更低的工作電壓可以直接減少器件的功耗,。比如LPDDR4的工作電壓為1.1V,比標準的DDR4的1.2V工作電壓要低一些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術,，比如三星公司推出的LPDDR4x技術,，更是把外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是,，更低的工作電壓對于電源紋波和串擾噪聲會更敏感,，其電路設計的挑戰(zhàn)性更大,。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會采用一些額外的技術來節(jié)省功耗,，比如根據(jù)外界溫度自動調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷新),、部分陣列可以自刷新，以及一些對低功耗的支持,。同時,，LPDDR的芯片一般體積更小，因此占用的PCB空間更小,。 DDR3規(guī)范里關于信號建立,；

4.時延匹配在做到時延的匹配時，往往會在布線時采用trombone方式走線,，另外,，在布線時難免會有切換板層的時候，此時就會添加一些過孔,。不幸的是,，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線，將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時,，此時它們的時延是不等的,，

顯然，上面講到的trombone方式在時延方面同直走線的不對等是很好理解的,，而帶過孔的走線就更加明顯了,。在中心線長度對等的情況下，trombone走線的時延比直走線的實際延時是要來的小的,，而對于帶有過孔的走線,，時延是要來的大的。這種時延的產(chǎn)生,，這里有兩種方法去解決它,。一種方法是，只需要在EDA工具里進行精確的時延匹配計算,，然后控制走線的長度就可以了,。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi)，減少不匹配度,。對于trombone線,，時延的不對等可以通過增大L3的長度而降低，因為并行線間會存在耦合,，其詳細的結果,，可以通過SigXP仿真清楚的看出，L3長度的不同，其結果會有不同的時延,，盡可能的加長S的長度,，則可以更好的降低時延的不對等。對于微帶線來說,，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的,。 DDR規(guī)范里關于信號建立；電氣性能測試DDR測試高速信號傳輸

借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些,；眼圖測試DDR測試方案商

DDR測試

大部分的DRAM都是在一個同步時鐘的控制下進行數(shù)據(jù)讀寫,，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時鐘采樣方式的不同,，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) ,。SDR  SDRAM只在時鐘的上升或者下降沿進行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時鐘的上升和下降 沿都會進行數(shù)據(jù)采樣,。采用DDR方式的好處是時鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的,。 眼圖測試DDR測試方案商