一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法,、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,，尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),。背景技術(shù)：2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,，測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過程中必不可少的重要流程,。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,，為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響,。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫分離,，只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫命令來進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試，效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,，在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn),。DDR內(nèi)存條電路原理圖；天津DDR測(cè)試方案商

1.目前,，比較普遍使用中的DDR2的速度已經(jīng)高達(dá)800Mbps,，甚至更高的速度，如1066Mbps,，而DDR3的速度已經(jīng)高達(dá)1600Mbps,。對(duì)于如此高的速度，從PCB的設(shè)計(jì)角度來幫大家分析,，要做到嚴(yán)格的時(shí)序匹配,，以滿足信號(hào)的完整性，這里有很多的因素需要考慮,，所有的這些因素都有可能相互影響,。它們可以被分類為PCB疊層、阻抗,、互聯(lián)拓?fù)?、時(shí)延匹配、串?dāng)_,、信號(hào)及電源完整性和時(shí)序,，目前，有很多EDA工具可以對(duì)它們進(jìn)行很好的計(jì)算和仿真,，其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比較多,。顯示了DDR2和DDR3所具有的共有技術(shù)要求和專有的技術(shù)要求天津DDR測(cè)試方案商DDR3信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告；

9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個(gè)或更多的DIMM,，獨(dú)有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別,。在DIMM組里，對(duì)于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,，帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的,。

10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則，在DDR2PCB,、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,，都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中,，我們采用MOSAID公司的控制器,，它提供了對(duì)DDR2和DDR3的操作功能,。在SI仿真方面，采用了IBIS模型,，其存儲(chǔ)器的模型來自MICRONTechnolgy,，Inc。對(duì)于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率,。在這里,，數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對(duì)于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology,，下面所有的波形都是采用通常的測(cè)試方法,，且是在SDRAMdie級(jí)進(jìn)行計(jì)算和仿真的。

對(duì)于DDR2-800,，這所有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都適用,，只是有少許的差別,。然而,，也是知道的，菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu)被證明在SI方面是具有優(yōu)勢(shì)的,。對(duì)于超過兩片的SDRAM,，通常，是根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。圖3顯示了不同擺放方式而特殊設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，在這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，只有A和D是適合4層板的PCB設(shè)計(jì),。然而,，對(duì)于DDR2-800，所列的這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都能滿足其波形的完整性,，而在DDR3的設(shè)計(jì)中,，特別是在1600Mbps時(shí)，則只有D是滿足設(shè)計(jì)的,。DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義,；

DDR測(cè)試

什么是DDR？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate),。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象,。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成,。為節(jié)省輸入管腳,，采用了復(fù)用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片,。緊隨RAS命令之后,，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字,。經(jīng)過RAS和CAS，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取,。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,，RAS、CAS,、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng),。根據(jù)時(shí)鐘指示，可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置,。因而,，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,，所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取,。通過突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通,。連續(xù)CAS選通可對(duì)來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取,。 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程,；天津DDR測(cè)試方案商

DDR的信號(hào)探測(cè)技術(shù)方法,；天津DDR測(cè)試方案商

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試,？

近幾年來,，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而,，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意,。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100,。其間,，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代,，每一種新技術(shù)的出現(xiàn),，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率,。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快,，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好,。今年,，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來說,，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞,，然而,，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高,，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低,。 天津DDR測(cè)試方案商