4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放,；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端,；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放,。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放,。正確的去耦設(shè)計(jì)中,，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的,。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線,，這樣可以減少阻抗,，通常,，兩端段的扇出走線會(huì)垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長度匹配和加入一些地過孔,，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真,。通常，在時(shí)域分析來看,，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配,，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號(hào)要做到+/-10ps,。什麼是DDR內(nèi)存,？如何測(cè)試,？智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試方案商

4.時(shí)延匹配在做到時(shí)延的匹配時(shí),，往往會(huì)在布線時(shí)采用trombone方式走線，另外,，在布線時(shí)難免會(huì)有切換板層的時(shí)候,，此時(shí)就會(huì)添加一些過孔。不幸的是,，但所有這些彎曲的走線和帶過孔的走線,，將它們拉直變?yōu)榈乳L度理想走線時(shí)，此時(shí)它們的時(shí)延是不等的,，

顯然,，上面講到的trombone方式在時(shí)延方面同直走線的不對(duì)等是很好理解的，而帶過孔的走線就更加明顯了,。在中心線長度對(duì)等的情況下,，trombone走線的時(shí)延比直走線的實(shí)際延時(shí)是要來的小的，而對(duì)于帶有過孔的走線,，時(shí)延是要來的大的,。這種時(shí)延的產(chǎn)生，這里有兩種方法去解決它,。一種方法是,，只需要在EDA工具里進(jìn)行精確的時(shí)延匹配計(jì)算，然后控制走線的長度就可以了,。而另一種方法是在可接受的范圍內(nèi),，減少不匹配度。對(duì)于trombone線,，時(shí)延的不對(duì)等可以通過增大L3的長度而降低,，因?yàn)椴⑿芯€間會(huì)存在耦合，其詳細(xì)的結(jié)果,，可以通過SigXP仿真清楚的看出,，L3長度的不同，其結(jié)果會(huì)有不同的時(shí)延，盡可能的加長S的長度,，則可以更好的降低時(shí)延的不對(duì)等,。對(duì)于微帶線來說，L3大于7倍的走線到地的距離是必須的,。 智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試方案商借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些,；

DDR測(cè)試

DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝,，引腳無法直接測(cè)試到,。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異,。為了更好地得到芯片引腳處的信號(hào)質(zhì)量,，一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型文件(通常通過仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù),，來計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形,，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境,，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的界面,。

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試,？

近幾年來,，CPU的速度呈指數(shù)倍增長。然而,，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長確不盡人意,。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100,。其間,，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代,，每一種新技術(shù)的出現(xiàn),，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率,。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快,，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好,。今年,，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來說,，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞,，然而,，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高,，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低,。 DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些；

DDR測(cè)試

什么是DDR,？

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率(DoubleDataRate),。DDR與普通同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現(xiàn)在被稱為SDR）與標(biāo)準(zhǔn)DRAM有所不同,。標(biāo)準(zhǔn)的DRAM接收的地址命令由二個(gè)地址字組成,。為節(jié)省輸入管腳，采用了復(fù)用方式,。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片,。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字,。經(jīng)過RAS和CAS,，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可以被讀取,。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存（SDRDRAM)將時(shí)鐘與標(biāo)準(zhǔn)DRAM結(jié)合,，RAS、CAS,、數(shù)據(jù)有效均在時(shí)鐘脈沖的上升邊沿被啟動(dòng),。根據(jù)時(shí)鐘指示，可以預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)和其它信號(hào)的位置,。因而,，數(shù)據(jù)鎖存選通可以精確定位。由于數(shù)據(jù)有效窗口的可預(yù)計(jì)性,，所以可將內(nèi)存劃分成4個(gè)組進(jìn)行內(nèi)部單元的預(yù)充電和預(yù)獲取,。通過突發(fā)模式，可進(jìn)行連續(xù)地址獲取而不必重復(fù)RAS選通,。連續(xù)CAS選通可對(duì)來自相同行的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取,。 DDR4信號(hào)完整性測(cè)試案例；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試方案商

用DDR的BGA探頭引出測(cè)試信號(hào),；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試方案商

實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的,，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò),。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來說,，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來說比較簡單的，也是比較實(shí)際的解決方案,。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類電源,，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同,，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容,，可以做到電源完整性,，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個(gè)左右,。另外,，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗,。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性,，但是它承載著比較小的電流。顯然,，它只需要很窄的走線,，且通過一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要,，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳,。然而，對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性,，因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性,，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來,。終,，可以通過增加去耦電容來實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里,，層之間的間距比較大,，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì)，所以,，去耦電容的數(shù)量將增加,，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過EDA工具來實(shí)現(xiàn),。智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試方案商