還可以給這個Bus設(shè)置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了,。

重復(fù)以上操作,，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號,；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23,、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31,、DM3信號,；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址,、命令和控制信號,，以及時鐘信號的時序關(guān)系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析,。操作和步驟2大同小異,，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址,、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意,，不要與一列的Clock混淆,，Clock列只對應(yīng)Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo,。 如果DDR3一致性測試失敗,，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？廣西DDR3測試聯(lián)系方式

多數(shù)電子產(chǎn)品,，從智能手機,、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲設(shè)備,。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合,，SDRAM作為大多數(shù)基于計算機產(chǎn)品 的主流存儲器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計中。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口,，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會）發(fā)布,。隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標,，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大,。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題。 通信DDR3測試協(xié)議測試方法DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時間運行,？

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項卡,，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎,。其中使用PowerSI可以提取包含信號耦合,，考慮非理想電源地的S參數(shù)模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號的SPICE模型,。前者模型提取時間長，但模型細節(jié)完整,，適合終的仿真驗證,；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好,，比較適合設(shè)計前期的快速仿真迭代,。

使用了一個 DDR 的設(shè)計實例，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計一個 DDR 存儲系統(tǒng),，包括從系統(tǒng)性能分析,，資料準備和整理，仿真模型的驗證和使用,，布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,，一直到的 PCB 布線完成,，一整套設(shè)計方法和流程。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計思路和方法,。隨著技術(shù)的發(fā)展,，DDR 技術(shù)本身也有了很大的改變，DDR 和 DDR2 基本上已經(jīng)被市場淘汰,，而 DDR3 是目前存儲系統(tǒng)的主流技術(shù),。

并且，隨著設(shè)計水平的提高和 DDR 技術(shù)的普及,，大多數(shù)工程師都已經(jīng)對如何設(shè)計一個 DDR 系統(tǒng)不再陌生,，基本上按照通用的 DDR 設(shè)計規(guī)范或者參考案例，在系統(tǒng)不是很復(fù)雜的情況下,，都能夠一次成功設(shè)計出可以「運行」的 DDR 系統(tǒng),，DDR 系統(tǒng)的布線不再是障礙。但是,，隨著 DDR3 通信速率的大幅度提升,，又給 DDR3 的設(shè)計者帶來了另外一個難題，那就是系統(tǒng)時序不穩(wěn)定,。因此,，基于這樣的現(xiàn)狀，在本書的這個章節(jié)中,，著重介紹 DDR 系統(tǒng)體系的發(fā)展變化,，以及 DDR3 系統(tǒng)的仿真技術(shù)，也就是說,，在布線不再是 DDR3 系統(tǒng)設(shè)計難題的情況下,，如何通過布線后仿真，驗證并保證 DDR3 系統(tǒng)的穩(wěn)定性是更加值得關(guān)注的問題,。 DDR3一致性測試是否需要經(jīng)常進行,？

DDRx接口信號的時序關(guān)系

DDR3的時序要求大體上和DDR2類似，作為源同步系統(tǒng),，主要有3組時序設(shè)計要求,。 一組是DQ和DQS的等長關(guān)系，也就是數(shù)據(jù)和選通信號的時序,；一組是CLK和ADDR/CMD/ CTRL的等長關(guān)系,，也就是時鐘和地址控制總線的關(guān)系；一組是CLK和DQS的關(guān)系,， 也就是時鐘和選通信號的關(guān)系,。其中數(shù)據(jù)和選通信號的時序關(guān)系又分為讀周期和寫周期兩個 方向的時序關(guān)系。

要注意各組時序的嚴格程度是不一樣的,，作為同組的數(shù)據(jù)和選通信號,，需要非常嚴格的 等長關(guān)系,。Intel或者一些大芯片廠家，對DQ組的等長關(guān)系經(jīng)常在土25mil以內(nèi),，在高速的 DDR3設(shè)計時,，甚至會要求在±5mil以內(nèi)。相對來說地址控制和時鐘組的時序關(guān)系會相對寬松 一些,，常見的可能有幾百mil,。同時要留意DQS和CLK的關(guān)系，在絕大多數(shù)的DDR設(shè)計里 是松散的時序關(guān)系,，DDR3進行Fly-by設(shè)計后更是降低了 DQS和CLK之間的時序控制要求,。 DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？四川DDR3測試產(chǎn)品介紹

如何監(jiān)控DDR3內(nèi)存模塊的溫度進行一致性測試,？廣西DDR3測試聯(lián)系方式

DDR4： DDR4釆用POD12接口,，I/O 口工作電壓為1.2V；時鐘信號頻率為800?1600MHz,； 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps,；數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps。DDR4的時 鐘,、地址,、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線；數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,，并支持動態(tài)ODT功能,；也支持Write Leveling功能。

綜上所述,，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲,；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓撲。升級到DDR2后,，為了改進信號質(zhì)量,，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination)，并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號,。DDR3速率更快,，時序裕量更小，選通信號只釆用差分信號,。 廣西DDR3測試聯(lián)系方式