使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具,，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板,、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能,。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊,，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書第5章介紹串 行通道分析模塊,。

SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型,， 支持傳輸線模型,、S參數(shù)模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析,。它擁有強(qiáng) 大的眼圖,、信號(hào)質(zhì)量、信號(hào)延時(shí)測(cè)量功能和詳盡的時(shí)序分析能力,，并配以完整的測(cè)量分析報(bào) 告供閱讀和存檔,。下面我們結(jié)合一個(gè)具體的DDR3仿真實(shí)例，介紹SystemSI的仿真和時(shí)序分 析方法,。本實(shí)例中的關(guān)鍵器件包括CPU、4個(gè)DDR3 SDRAM芯片和電源模塊,， DDR3一致性測(cè)試和DDR3速度測(cè)試之間有什么區(qū)別,？機(jī)械DDR3測(cè)試參考價(jià)格

有其特殊含義的，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn),。而遺憾的是,，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義,。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中,，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位,，因此DDR芯片才能夠在DQS信號(hào)的控制下,，對(duì)DQ和DM信號(hào)進(jìn)行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時(shí)序圖中，所有信號(hào)是DDR芯片輸出的,，并且DQ和DQS信號(hào)是同步的,，都是和時(shí)鐘沿對(duì)齊的!這時(shí)候?yàn)榱艘獙?shí)現(xiàn)對(duì)DQ信號(hào)的雙沿采樣，DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號(hào)之間的相位延時(shí)!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實(shí)現(xiàn)的地方,。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡(jiǎn)單,，是要把邏輯設(shè)計(jì)的復(fù)雜性留在控制器一端，從而使得外設(shè)(DDR存儲(chǔ)心片)的設(shè)計(jì)變得簡(jiǎn)單而廉價(jià),。因此,，對(duì)于DDR系統(tǒng)設(shè)計(jì)而言，信號(hào)完整性仿真和分析的大部分工作,，實(shí)質(zhì)上就是要保證這兩個(gè)時(shí)序圖的正確性,。陜西DDR3測(cè)試修理是否可以通過重新插拔DDR3內(nèi)存模塊解決一致性問題？

DDR（Double Data Rate）是一種常見的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn),。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí),，如DDR-200、DDR-400,、DDR2-800,、DDR3-1600等,。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）,。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率,，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR）,，DDR具有更高的帶寬,。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序,、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序,、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作,，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作,。

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,，如1GB,、2GB、4GB等,。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成,，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊,。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性，包括供電電壓,、電流消耗,、輸入輸出電平等。這些電氣特性對(duì)于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要,。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題,，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如,，保留向后兼容性,，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。在DDR3一致性測(cè)試期間能否繼續(xù)進(jìn)行其他任務(wù),？

時(shí)序要求：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器需要遵循DDR規(guī)范中定義的時(shí)序要求來管理和控制內(nèi)存模塊的操作,。時(shí)序要求包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序,、刷新時(shí)序等,，確保內(nèi)存模塊能夠按照規(guī)范工作，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸和操作,。容量與組織：DDR系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊可以有不同的容量和組織方式,。內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,，如1GB、2GB,、4GB等,。內(nèi)存模塊通常由多個(gè)內(nèi)存芯片組成，每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die）,，多個(gè)芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。兼容性：DDR技術(shù)考慮了兼容性問題,，以確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合,。例如，保留向后兼容性,，允許支持DDR接口的控制器在較低速度的DDR模式下工作,。如何選擇適用于DDR3一致性測(cè)試的工具？信息化DDR3測(cè)試USB測(cè)試

是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試,？機(jī)械DDR3測(cè)試參考價(jià)格

 如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕,，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄,。

選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來設(shè)置模型。

在模型設(shè)置界面中選中U100后,，單擊Find Model...按鈕,，在彈出來的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵,，在列岀的 模型文件中選中,。

單擊Load按鈕，加載模型,。

加載模型后,，選擇文件下的Controller器件模型，然后單擊Assign 按鈕,，將這個(gè)器件模型賦置給U100器件,。 機(jī)械DDR3測(cè)試參考價(jià)格