閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當(dāng)耦合線長度超過lOOmil時,，按耦合模型提取，少于lOOmil時,，按單線模 型提取,。

 單擊Via modeling setup按鈕，在過孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因為要仿真的時鐘頻率是533MHz)。

 單擊OK按鈕,，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口,。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在彈出的窗 口中單擊Net Browser..菜單，選擇DDR1_CK這個網(wǎng)絡(luò)(或者可以直接在Allegro界面中選取 網(wǎng)絡(luò)),?？梢钥吹揭驗橐呀?jīng)設(shè)置好差分線和差分模型，所以會自動帶出差分線DDRl_NCKo 如何執(zhí)行DDR3的一致性測試,？DDR3測試哪里買

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,，包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱,、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò),、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比,、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比,、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值,。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖,。注意，在彩圖 上方有一排工具欄,，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,，選擇不同的接收端器件，選 擇查看單端線還是差分線,。雙擊Plot±的任何線段,，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 浙江DDR3測試維修是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試,？

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101,、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件,。

在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻,，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后,，單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11,、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型,。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設(shè)置。

DDR4： DDR4釆用POD12接口,，I/O 口工作電壓為1.2V,；時鐘信號頻率為800?1600MHz； 數(shù)據(jù)信號速率為1600?3200Mbps,；數(shù)據(jù)命令和控制信號速率為800?1600Mbps,。DDR4的時 鐘,、地址、命令和控制信號使用Fly-by拓撲走線,；數(shù)據(jù)和選通信號依舊使用點對點或樹形拓 撲,，并支持動態(tài)ODT功能；也支持Write Leveling功能,。

綜上所述,，DDR1和DDR2的數(shù)據(jù)和地址等信號都釆用對稱的樹形拓撲；DDR3和DDR4的數(shù)據(jù)信號也延用點對點或樹形拓撲,。升級到DDR2后,，為了改進信號質(zhì)量，在芯片內(nèi)為所有數(shù)據(jù)和選通信號設(shè)計了片上終端電阻ODT(OnDieTermination),，并為優(yōu)化時序提供了差分的選通信號,。DDR3速率更快，時序裕量更小,，選通信號只釆用差分信號,。 在DDR3一致性測試期間能否繼續(xù)進行其他任務(wù)？

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式,。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,，如1GB、2GB,、4GB等,。DDR內(nèi)存模塊通常以多個內(nèi)存芯片排列組成，其中每個內(nèi)存芯片被稱為一個芯粒（die）,，多個芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內(nèi)存模塊的電氣特性,，包括供電電壓,、電流消耗、輸入輸出電平等,。這些電氣特性對于確保DDR內(nèi)存模塊的正常工作和兼容性至關(guān)重要,。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內(nèi)存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合,。例如,，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下,。DDR3一致性測試的目標是什么,？信息化DDR3測試維修電話

DDR3一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？DDR3測試哪里買

常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot,、Undershoot,、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質(zhì)量的每個參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范,。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差,，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范,。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,，通過一個實際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實測CLK信號質(zhì)量不好,。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101,、U102、U103,、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作,。 DDR3測試哪里買