LPDDR2 (低功耗 DDR2) : LPDDR2 釆用 HSUL_12 接口,，I/O 口工作電壓為 1.2V,；時 鐘信號頻率為166?533MHz；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率333?1066Mbps,并分別通過 差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣,；控制信號速率為166?533Mbps,通過時鐘信號上升沿 采樣,；一般用于板載(Memory?down)設(shè)計，信號通常為點對點或樹形拓?fù)?，沒有ODT功能,。

LPDDR3 0氐功耗DDR3) : LPDDR3同樣釆用HSUL_12接口，I/O 口工作電壓為1.2V,； 時鐘信號頻率為667?1066MHz,；數(shù)據(jù)和命令地址(CA)信號速率為1333?2133Mbps,分別 通過差分選通信號和時鐘信號的雙沿釆樣；控制信號速率為667?1066Mbps,通過時鐘上升 沿釆樣,；一般用于板載設(shè)計，數(shù)據(jù)信號一般為點對點拓?fù)?，命令地址和控制信號一般也釆?Fly-by走線,，有些情況下可以使用樹形走線；數(shù)據(jù)和選通信號支持ODT功能,；也支持使用 Write Leveling功能調(diào)整時鐘和選通信號間的延時偏移,。 DDR3一致性測試期間是否會對數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？校準(zhǔn)DDR3測試配件

高速DDRx總線概述

DDR SDRAM 全稱為 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory? 中 文名可理解為“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”,。DDR SDRAM是在原單倍速率SDR SDRAM 的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來的,，嚴(yán)格地說DDR應(yīng)該叫作DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱之為DDR。

DDRx發(fā)展簡介

代DDR （通常稱為DDR1）接口規(guī)范于2000年由JEDEC組織 發(fā)布,。DDR經(jīng)過幾代的發(fā)展,，現(xiàn)在市面上主要流行DDR3,而的DDR4規(guī)范也巳經(jīng)發(fā) 布，甚至出現(xiàn)了部分DDR4的產(chǎn)品,。Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了,。 智能化多端口矩陣測試DDR3測試方案商DDR3一致性測試的目標(biāo)是什么？

單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格，包括網(wǎng)絡(luò)序號,、網(wǎng)絡(luò)名稱,、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù),、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比,、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比,、總耦合參考值,。

單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意,，在彩圖 上方有一排工具欄,，通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組，選擇不同的接收端器件,，選 擇查看單端線還是差分線,。雙擊Plot±的任何線段，對應(yīng)的走線會以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示,。

多數(shù)電子產(chǎn)品,，從智能手機(jī)、PC到服務(wù)器,，都用著某種形式的RAM存儲設(shè)備,。由于相 對較低的每比特的成本提供了速度和存儲很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計算機(jī)產(chǎn)品 的主流存儲器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計中,。

DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口,，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會）發(fā)布。隨著時鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來的性能提升,，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo),，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來越大。存 儲器子系統(tǒng)的信號完整性早已成為電子工程師重點考慮的棘手問題,。 是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3一致性測試,？

DDR 規(guī)范解讀

為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計過程，以及將實際的設(shè)計需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合,，我們以一個實際的設(shè)計分析實例來說明,，如何在一個 DDR 系統(tǒng)設(shè)計中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù),，應(yīng)用到實際的系統(tǒng)設(shè)計中,。是某項目中，對 DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖,。在這個系統(tǒng)中,，對 DDR 的設(shè)計需求如下。

DDR 模塊功能框圖· 整個 DDR 功能模塊由四個 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲芯片 MT46V64M8BN-75,。每個 DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度,，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存儲單元，地址空間為 Add<13..0>,，分四個 Bank,，尋址信號為 BA<1..0>。

是否可以使用多個軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試,？測量DDR3測試熱線

DDR3一致性測試是否會提前壽命內(nèi)存模塊,？校準(zhǔn)DDR3測試配件

創(chuàng)建工程啟動SystemSI工具，單擊左側(cè)Workflow下的LoadaNew/ExistingWorkspace菜單項,在彈出的WorkspaceFile對話框中選擇Createanewworkspace,單擊OK按鈕,。在彈出的SelectModule對話框中選擇ParallelBusAnalysis模塊,，單擊OK按鈕。選擇合適的License后彈出NewWorkspace對話框在NewWorkspace對話框中選擇Createbytemplate單選框,，選擇個模板addr_bus_sparam_4mem,設(shè)置好新建Workspace的路徑和名字,，單擊0K按鈕。如圖4-36所示,，左側(cè)是Workflow,右側(cè)是主工作區(qū),。

分配舊IS模型并定義總線左側(cè)Workflow提示第2步為AssignIBISModels,先給內(nèi)存控制器和SDRAM芯片分配實際的IBIS模型。雙擊Controller模塊,，在工作區(qū)下方彈出Property界面,，左側(cè)為Block之間的連接信息，右側(cè)是模型設(shè)置,。單擊右下角的LoadIBIS...按鈕,，彈出LoadIBIS對話框。 校準(zhǔn)DDR3測試配件