這個反電動勢可以對電容進(jìn)行充電,。這樣,，正極的電壓也不會上升,。如下圖：坦白說,，上面的這個解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下,。歡迎朋友在評論中留言,。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實際的電流照片,，驗證這個二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的,。IGBT,通常就是一個元件,，它不帶續(xù)流二極管。即是這個符號：商用IGBT模塊,，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個整體部件中,，即下面的這個符號。在工廠中,，我們稱這個整體部件叫IGBT,，不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式整流電路,，利用它的續(xù)流二極管實現(xiàn)整流,。這樣,，我們說：IGBT也可以進(jìn)行整流,，也沒有錯。但它的實質(zhì),，還是用的二極管實現(xiàn)了整流,。既然是用了“IGBT模塊”上的“續(xù)流二極管”整流，為什么不直接用“二極管”呢,？答案是：這一種設(shè)計是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時產(chǎn)生的“諧波”,，這個原理以后寫文再講。Infineon有8種IGBT芯片供客戶選擇,。北京M超高速IGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異

少數(shù)載流子）對N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降,。當(dāng)柵射極間不加信號或加反向電壓時,，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷,，IGBT即關(guān)斷,。由此可知，IGBT的驅(qū)動原理與MOSFET基本相同。①當(dāng)UCE為負(fù)時：J3結(jié)處于反偏狀態(tài),，器件呈反向阻斷狀態(tài),。②當(dāng)uCE為正時：UCUTH，絕緣門極下形成N溝道,，由于載流子的相互作用,，在N-區(qū)產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制，使器件正向?qū)ā?)導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似,，主要差異是JGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分),，其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件（有兩個極性的器件）?；膽?yīng)用在管體的P,、和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個J，結(jié),。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,，一個N溝道便形成，同時出現(xiàn)一個電子流,，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流,。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在，則J1將處于正向偏壓,，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),，并調(diào)整N-與N+之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,，并啟動了第二個電荷流,。的結(jié)果是在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€電子流（MOSFET電流）。上海Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異Easy封裝(俗稱“方盒子”):這類封裝是低成本小功率的封裝形式:工作電流從10A~35A,。

B）車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變,，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用,；2）智能電網(wǎng)IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端,、輸電端、變電端及用電端：1,、從發(fā)電端來看,，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊,。2,、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。3,、從變電端來看,，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。4,、從用電端來看,，家用白電、微波爐,、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求,。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的技術(shù)之一,，在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件,，而IGBT又是牽引變流器的器件之一。IGBT國內(nèi)外市場規(guī)模2015年國際IGBT市場規(guī)模約為48億美元,，預(yù)計到2020年市場規(guī)?？梢赃_(dá)到80億美元，年復(fù)合增長率約10%,。2014年國內(nèi)IGBT銷售額是,，約占全球市場的1∕3。預(yù)計2020年中國IGBT市場規(guī)模將超200億元,，年復(fù)合增長率約為15%,。從公司來看，國外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌,、ABB,、三菱、西門康,、東芝,、富士等,。中國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上,。

對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題,。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖,，具體地說，這種缺陷的原因互不相同,，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系,。通常情況下，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時,，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),，只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。此外,，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此,，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切,；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會升高,，破壞了整體特性,。因此，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例,，通常比例為1：5,。IGBT模塊五種不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖1.單管模塊，1in1模塊單管模塊的內(nèi)部由若干個IGBT并聯(lián),，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格,，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制,，IGBT的管芯面積不能做得太電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上,。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅(qū)動電路,，主發(fā)射極連接到主電路中,。英飛凌IGBT模塊選型主要是根據(jù)工作電壓，工作電流,，封裝形式和開關(guān)頻率來進(jìn)行選擇,。

但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多,。較低的壓降,，轉(zhuǎn)換成一個低VCE（sat）的能力，以及IGBT的結(jié)構(gòu),，同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖,。導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似,，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分）。如等效電路圖所示（圖1）,，其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件,?；膽?yīng)用在管體的P+和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,，一個N溝道形成,，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流,。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在,，那么，J1將處于正向偏壓,，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗,，并啟動了第二個電荷流,。的結(jié)果是，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€電子流（MOSFET電流）,；一個空穴電流（雙極）,。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止,，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi),。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降,，集電極電流則逐漸降低,，這是因為換向開始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）,。這種殘余電流值,。交流380V供電，使用1200V的IGBT,。北京Semikron西門康SKM100GB12T4IGBT模塊代理貨源

大家選擇的時候,，盡量選擇新一代的IGBT，芯片技術(shù)有所改進(jìn),，IGBT的內(nèi)核溫度將有很大的提升,。北京M超高速IGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth,，柵極溝道形成,，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時,，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展,，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,，該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小,；電流控制,，控制電路復(fù)雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET,。但隨著終端應(yīng)用的需求,，需要一種新功率器件能同時滿足：驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,，以減小器件自身的功耗,。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明,。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來放棄）,。自此以后，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn),。從結(jié)構(gòu)上講,，IGBT主要有三個發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型,、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型,；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu),；3）硅片加工工藝：外延生長技術(shù),、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開關(guān)損耗(EoffEon),。北京M超高速IGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異