但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行,，也可以針對單一個芯片進行,。在一實施例當中，如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度,，可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530,。在***次執(zhí)行步驟1520時，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域,。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時,，蝕刻的深度到達內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度。接著,，第二次執(zhí)行步驟1530,，屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域。接著,，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度,。如此一來，就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu),。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層,。如圖16d所示，屏蔽層1610已經(jīng)被去除,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，去除屏蔽層是公知的技術(shù)，不在此詳述,。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層,。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行,。這些工法包含濺射(sputter),、蒸鍍或化學氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法,。金屬層可以包含一或多層金屬層,，該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物,。舉例來說,，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni),、鋁銅鈷合金(alcuni),、鈦銅鎳合金。咸陽12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。汕頭半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商

    其中該中心凹陷區(qū)域是方形,。在一實施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍,。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。在一實施例中,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域,，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中,。在一實施例中,，為了設(shè)計與制作的方便,，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積,。根據(jù)本申請的一實施例,，提供一種半導(dǎo)體晶圓，其特征在于,，其中該半導(dǎo)體晶圓當中預(yù)定切割出一***芯片區(qū)域,，該***芯片區(qū)域包含如所述的半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu)。在一實施例中,。大連半導(dǎo)體晶圓廠家現(xiàn)貨國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠家哪家好,？

    基座110受到旋轉(zhuǎn)器140轉(zhuǎn)動。舉例而言,，在實務(wù)上,，基座110的轉(zhuǎn)速實質(zhì)上為10rpm，**半導(dǎo)體晶圓200亦以實質(zhì)上為10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn),。如此一來,，半導(dǎo)體晶圓200可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w，借此可進一步促進半導(dǎo)體晶圓200的干燥過程,。在實際應(yīng)用中,，旋轉(zhuǎn)器140與基座110的組合亦可視為前文所述的單晶圓濕處理設(shè)備的旋轉(zhuǎn)基座。請參照圖3，其為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖,。在本實施方式中,，如圖3所示，殼體120的排氣口121包含多個穿孔h2,。如此一來,，原本位于半導(dǎo)體晶圓200表面的水轉(zhuǎn)換而成的水蒸氣s可經(jīng)由穿孔h2排出?？梢罁?jù)實際情況彈性地設(shè)計殼體120,。綜合以上，相較于公知技術(shù),，本發(fā)明的上述實施方式至少具有以下優(yōu)點：(1)運用微波移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓表面上的水,，使得干燥過程變得簡單，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓的作業(yè)成本,。(2)由于微波產(chǎn)生器平均地環(huán)繞腔室分布,，微波可均勻地進入腔室內(nèi)，并均勻地到達位于腔室內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓,，從而促進干燥過程,。(3)由于半導(dǎo)體晶圓以約10rpm的低轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體晶圓可均勻地暴露于發(fā)射自微波產(chǎn)生器的微波,，借此可促進干燥過程,。盡管已以特定實施方式詳細地描述本發(fā)明。

    圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu),。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗的流程圖,。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝,。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內(nèi)的循環(huán),。圖19a至圖19d揭示了對應(yīng)于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝,。圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的清洗工藝,。圖22a至圖22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試,。

    在一實施例中,，為了保護該金屬層,，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層,，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面,，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。在一實施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計簡化,，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一特定實施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計更加簡化,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。在一實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計,，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同,。在一特定實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計彈性,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同,。在一實施例中，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀,，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形,。在一實施例中，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀,。半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??上海半導(dǎo)體晶圓誠信經(jīng)營

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    請參考圖10a所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。和圖9所示的實施例不同之處,，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040,。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬,。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比,，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄,，因此可以節(jié)省金屬本身的成本,，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請參考圖10b所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖,。圖10b所示的實施例是圖10a所示實施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比,，圖10b所示實施例的金屬層1010比較厚,。圖10b所示實施例的其余特征均與圖10a所示實施例相同。請參考圖11a所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖,。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面,，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。為了方便說明起見。汕頭半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司一直專注于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料,、電子設(shè)備、機械設(shè)備及配件,、機電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品,、電子材料、針紡織品,、玻璃制品,、五金制品、日用百貨,、勞保用品,、化工產(chǎn)品及原料（不含危險化學品及易制毒化學品）的銷售；貨物及技術(shù)的進出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準的項目,，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動） 許可項目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后方可開展經(jīng)營活動,，具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準） 一般項目：固體廢物治理,；非金屬廢料和碎屑加工處理,；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）,，是一家能源的企業(yè),，擁有自己**的技術(shù)體系。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工,，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間,，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù)，深受員工與客戶好評,。誠實,、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求，也是我們做人的基本準則,。公司致力于打造***的晶圓,，wafer，半導(dǎo)體輔助材料,，晶圓盒,。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度,、扎實的工作作風,、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的晶圓,，wafer,，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒形象,，贏得了社會各界的信任和認可,。