本申請還提供具有上述基板結構的半導體晶圓，以及制作上述基板結構的晶圓制造方法,。根據(jù)本申請的方案,，提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓,、以及晶圓制作方法,。根據(jù)本申請的一方案，提供一種承載半導體組件的基板結構,，其特征在于,，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面,，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍,；以及一金屬層,，具有相對應的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面,。進一步的,，為了彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內框結構區(qū)域。進一步的，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度,，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內框結構區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內框結構區(qū)域,。半導體晶圓價格信息。北京半導體晶圓去膠設備原理

    功率為p1時檢測到的通電時間和預設時間τ1進行比較,，如果檢測到的通電時間比預設時間τ1長,，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關閉超聲波或兆聲波電源,；檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預設時間τ2,，如果檢測到的斷電時間比預設時間τ2短，檢測電路發(fā)送報警信號到主機,，主機接收到報警信號則關閉超聲波或兆聲波電源,。在一個實施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結合并置于半導體基板附近,，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導體基板,。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導體基板的裝置，包括卡盤,、超聲波或兆聲波裝置,、至少一個噴頭、超聲波或兆聲波電源,、主機和檢測電路,。卡盤支撐半導體基板,。超聲波或兆聲波裝置置于半導體基板附近,。至少一個噴頭向半導體基板和半導體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學液體。主機設置超聲波或兆聲波電源以頻率f1,、功率p1驅動超聲波或兆聲波裝置,，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導體基板上的圖案結構之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設為零,，待氣泡內的溫度下降到設定溫度后,，再次設置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1，功率為p1,。北京半導體晶圓去膠設備原理半導體晶圓研磨設備,。

    所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺,、乙胺,、二乙胺、三乙胺,、三丙胺,，N，N-二甲基乙醇胺,、N,，N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種,。所述有機羧酸選自丙二酸,、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種,。所述胍類為四甲基胍,、碳酸胍、醋酸胍,、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。所述清洗液的pH值為2～5,。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液，其是由如下重量份數(shù)的原料組成：有機溶劑48份,、氟化物12份,、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份,、有機胺7份,、氨基酸14份、胍類15份,、苯并三氮唑5份,、有機羧酸19份、硫脲23份和水64份,。所述有機溶劑為選自亞砜,、砜、咪唑烷酮,、吡咯烷酮,、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種,。所述氟化物為氟化氫,、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺,、五甲基二乙烯三胺,、多乙烯多胺,、乙胺、二乙胺,、三乙胺,、三丙胺，N,，N-二甲基乙醇胺,、N，N-甲基乙基乙醇胺,、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種,。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸,、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種,。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍,、醋酸胍,、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸,。

    其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結構的剖面700的一示意圖,。該結構的剖面700可以是圖5a所示結構500的bb線剖面。該樹酯層540與該金屬層510外緣之間,，是該金屬層510用于包圍該樹酯層540的四個金屬邊框,。該四個金屬邊框的厚度可以相同，也可以不同,。舉例來說,，相對于上下外緣的厚度711與713可以相同，相對于左右外緣的厚度712與714可以相同,。但厚度711與712可以不同,。本領域普通技術人員可以透過圖7理解到，本申請并不限定該樹酯層540外緣的形狀,，其可以是正方形,、矩形、橢圓形,、圓形,。當該金屬層510與該樹酯層540都是矩形時，本申請也不限定該該金屬層510用于包圍該樹酯層540的四個邊框的厚度,。在一實施例當中,，這四個邊框的厚度711~714可以相同，以簡化設計與制作的問題,。在另一實施例當中,，這四個邊框當中兩組邊框的厚度可以相同,，以簡化設計與制作的問題。在更一實施例當中,，這四個邊框的厚度711~714可以完全不同,，以便適應芯片設計的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導體元器件,，而不同的半導體元器件所需要的基板結構電阻值可以是不同的,。因此，可以如圖7所示的實施例,，在部分區(qū)域讓金屬層510的厚度較厚,。半導體晶圓銷售電話??

    提供具有邊框結構的基板結構、半導體晶圓,、以及晶圓制作方法,。根據(jù)本申請的一實施例，提供一種承載半導體組件的基板結構,，其特征在于,，包含：一晶圓層，具有相對應的一***表面與一第二表面,，其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,，該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層的一邊框結構區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍,；以及一金屬層,，具有相對應的一第三表面與一第四表面,，該第三表面完全貼合于該第二表面,。在一實施例中，為了彌補較薄晶圓層的結構強度,，其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中，使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內框結構區(qū)域,。在一特定實施例中,，為了更彌補較薄晶圓層的結構強度，其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,，使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內框結構區(qū)域，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內框結構區(qū)域,，該***內框結構區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內框結構區(qū)域。半導體晶圓量大從優(yōu)..浙江12英寸大尺寸半導體晶圓

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    在步驟10010中,，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近,。在步驟10020中，將清洗液,，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙,。在步驟10030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉以進行清洗工藝,。在步驟10040中,，頻率為f1以及功率水平為p1的電源被應用于聲波裝置。在步驟10050中,，當頻率保持在f1時,，電源的功率水平在氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前，或在時間τ1達到由公式(11)計算的τi之前,，降低到p2,。在步驟10060中，氣泡內氣體和/或蒸汽溫度降至接近室溫t0或持續(xù)時間達到τ2后,，電源的功率水平恢復到p1,。在步驟10070中，檢查晶圓的清潔度,，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復步驟10010-10060?；蛘?，可能不需要在每個周期內檢查清潔度，取而代之的是,，使用的周期數(shù)可能是預先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定,。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。本實施例中的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實施例中的相類似,，差異*存在于步驟10050中,。圖11a-11b所示的晶圓清洗工藝在時間段τ2內使頻率降至f2，以此來代替保持頻率在f1,。功率水平p2應該***地低于p1,，**好是小5或10倍。北京半導體晶圓去膠設備原理

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