該晶圓層320的該***表面321與第二表面322的**小距離可以是**大距離的一半,。換言之,，該晶圓層320的電阻值約略是該晶圓層120的一半。在另外的實施例當(dāng)中，該***表面321與第二表面322的**小距離與**大距離的比值,，可以是其他小于100%的比例。如此,，在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層320,，但是降低在芯片中間有半導(dǎo)體元器件之處的晶圓厚度。此外,，可以在降低該晶圓層320中間的電阻值的同時,，可以維持芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，降低工藝過程中的器件失效,。在一實施例當(dāng)中,，該芯片邊緣較厚的晶圓層320，其左右的寬度可以介于50~200um之間,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，可以根據(jù)該芯片所實作的半導(dǎo)體元器件不同，以及其所要應(yīng)用的環(huán)境與規(guī)格不同,，調(diào)整上述的寬度,。該金屬層310可以包含彼此相對的一第三表面313與一第四表面314，該第三表面313與該晶圓層320的第二表面322彼此相接或相貼,。因此,，該第二表面322與該第三表面313的形狀彼此相應(yīng)。該金屬層310可以包含一或多層金屬層,，該金屬層310可以包含單一金屬,、合金或金屬化合物。舉例來說,，該金屬層310可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni),、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni),、鈦銅鎳合金,。半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)工藝流程。天津半導(dǎo)體晶圓銷售價格

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu),，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu),。在一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設(shè)計,。在另一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的,。在更一實施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的,。舉例來說,，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同,?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當(dāng)中,，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖,。圖11b所示的實施例,，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。本申請所欲保護(hù)的技術(shù)特征在于,，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強(qiáng)該一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu),，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個數(shù),。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖,。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀,，其可以是正方形、矩形,、橢圓形,、圓形。開封半導(dǎo)體晶圓誠信合作洛陽怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    通過通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機(jī)25080,。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同,，則檢測電路25086將發(fā)送報警信號到主機(jī)25080。主機(jī)25080接收到報警信號后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)的損傷,。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖,。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092,、主控制器26094,、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現(xiàn),。通信電路26096作為主機(jī)25080的接口,。通信電路26096與主機(jī)25080實現(xiàn)rs232/rs485串行通信來從主機(jī)25080讀取參數(shù)設(shè)置,，并將比較結(jié)果返回主機(jī)25080。電源電路26098將直流15v轉(zhuǎn)換成直流,、直流,。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090,、振幅檢測電路27092,、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098,。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電壓衰減電路的示例,。當(dāng)聲波發(fā)生器25082輸出的聲波信號***被讀取時，該聲波信號具有相對較高的振幅值,，如圖28b所示,。電壓衰減電路26090被設(shè)計成使用兩個運算放大器28102和28104來減小波形的振幅值。

    在圖8b所示的實施例當(dāng)中,，示出四個內(nèi)框結(jié)構(gòu),。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量,、位置,、形狀等配置的參數(shù)。在一實施例當(dāng)中,，如圖8a所示,，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處，晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的,。在另一實施例當(dāng)中,，內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的厚度與邊框結(jié)構(gòu)的厚度可以是不同的。舉例來說,，在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822的晶圓層厚度,，可以較在邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度來得小。由于在芯片中間所承受的應(yīng)力與/或熱應(yīng)力可以比在邊緣來得小,，因此可以使用較薄的內(nèi)框結(jié)構(gòu)作為補(bǔ)強(qiáng),。一方面降低基板結(jié)構(gòu)的電阻值，另一方面還能補(bǔ)強(qiáng)基板結(jié)構(gòu),。請參考圖9所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)900的一剖面示意圖。圖9所示的結(jié)構(gòu)900是在圖8所示的結(jié)構(gòu)800之下加入樹酯層440,。和圖4所示的結(jié)構(gòu)400一樣,，該樹酯層440可以用于保護(hù)該結(jié)構(gòu)900的金屬層810，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，進(jìn)而保護(hù)器件,。在圖8a與圖9的實施例當(dāng)中,，在芯片中間的金屬層810比較厚。由于金屬層810的金屬價格比樹酯層440的樹酯還要貴,，制作較厚金屬層810的步驟也比制作樹酯層440的步驟更貴,。如果在設(shè)計規(guī)格允許的情況下，可以制作較薄的金屬層810,，以便減少成本,。半導(dǎo)體晶圓定制價格。

    圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22揭示的晶圓清洗工藝的晶圓清洗裝置,。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22所揭示的晶圓清洗工藝的另一晶圓清洗裝置的剖視圖,。圖25揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于監(jiān)測采用聲能清洗晶圓的工藝參數(shù)的控制系統(tǒng)。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖,。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖,。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的電壓衰減電路。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的整形電路,。圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26及圖27所示的主控制器,。圖31揭示了主機(jī)關(guān)閉聲波電源后聲波電源繼續(xù)振蕩幾個周期。圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路,。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖,。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。具體實施方式本發(fā)明的一個方面涉及使用聲能進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓清洗時控制氣泡氣穴振蕩,。下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例,。參考圖1a至圖1b。半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的用途是什么,？淄博半導(dǎo)體晶圓服務(wù)電話

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    因為清洗液的溫度遠(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。在一些實施例中,，直流輸出的振幅,，可以是正的也可以是負(fù)的，可以大于(圖片中未顯示),，等于(如圖16a和16b所示)或小于(如圖16c所示)在τ1時間段內(nèi)用于在清洗液中制造氣穴振蕩的電源輸出功率p1。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝,。該晶圓清洗工藝也與圖7a-7e所示的相類似,，除了圖7d所示的步驟7050。該晶圓清洗工藝使電源輸出的相位反相,，同時保持在時間段τ1內(nèi)施加的相同頻率f1,，因此，氣泡氣穴振蕩能夠迅速停止,。結(jié)果,，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度開始降低,，因為清洗液的溫度遠(yuǎn)低于氣體和/或蒸汽溫度。參考圖17所示,，在τ2時間段內(nèi)電源輸出功率水平為p2,，在不同的實施例中，p2可以大于,、等于或小于在τ1時間段內(nèi)電源輸出功率水平p1,。在一個實施例中，只要相位相反,，時間段τ2內(nèi)的電源頻率可以不同于f1,。在一些實施例中，超聲波或兆聲波的電源輸出頻率f1在,。圖18a-18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強(qiáng)晶圓上通孔或槽內(nèi)的新鮮清洗液的循環(huán),。圖18a揭示了形成在晶圓18010上的多個通孔18034的剖視圖。通孔的開孔直徑表示為w1,。通孔18034中由聲波能量產(chǎn)生的氣泡18012增強(qiáng)了對雜質(zhì)的去除,，如殘留物和顆粒。天津半導(dǎo)體晶圓銷售價格

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