f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11),，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時(shí)間τi可以被計(jì)算出來,。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時(shí)間τi和(δt–δt)的關(guān)系,，假設(shè)ti＝3000℃,，δt＝℃，t0＝20℃,，f1＝500khz,，f1＝1mhz，及f1＝2mhz,。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11),。參考圖6a所示，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩,。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加,，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會(huì)被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部,，導(dǎo)致氣泡6082的尺寸隨著時(shí)間的推移而增加,，如圖6c所示。**終,，在壓縮過程中氣泡6082內(nèi)部的溫度將達(dá)到內(nèi)爆溫度ti(通常ti高達(dá)幾千攝氏度),，猛烈的微噴射6080發(fā)生，如圖6c所示,。因此,，為了避免在清洗期間損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)，必須保持穩(wěn)定的氣穴振蕩,，避免氣泡內(nèi)爆和發(fā)生微噴射,。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖7a揭示了間歇供給聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩的電源輸出的波形。圖7b揭示了對應(yīng)每個(gè)氣穴振蕩周期的溫度曲線,。圖7c揭示了在每個(gè)氣穴振蕩周期期間,，氣泡的尺寸在τ1時(shí)間段內(nèi)增加及在τ2時(shí)間段內(nèi)電源切斷后氣泡尺寸減小。國外哪個(gè)國家的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品好,？北京半導(dǎo)體晶圓商家

    本實(shí)用新型具有以下有益效果：本實(shí)用新型在繼承了平放型花籃的優(yōu)點(diǎn)的同時(shí),，可實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)清洗，有效提高了清洗效率,，更重要的是可滿足多種不同尺寸（例如4寸,、5寸、6寸等）,、不同形狀（例如圓形、半圓形,、扇形等）的晶圓同時(shí)清洗,，進(jìn)一步降低了生產(chǎn)成本，且靈活性更好,。附圖說明圖1為本實(shí)用新型一個(gè)具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖2為具體實(shí)施例中平放花籃的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為具體實(shí)施例中平放花籃安裝十字形豎直擋板后的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖4為十字形擋板的結(jié)構(gòu)示意圖,。圖中附圖標(biāo)記含義如下：1、提把,，11,、連接端口，2,、平放花籃,，21、圓形底盤,，22,、鏤空側(cè)壁，23,、連接端子,，24、豎直擋板,。具體實(shí)施方式針對現(xiàn)有技術(shù)不足,，本實(shí)用新型提出了一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃,；所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口,；所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成,，圓形底盤上設(shè)置有一組通孔，在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個(gè)連接端子,，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應(yīng)于該連接端口的位置,。為了便于清洗過程中清洗液均勻地進(jìn)入花籃，推薦地,，圓形底盤上的所述通孔均勻分布,。安徽半導(dǎo)體晶圓進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的價(jià)格。

    13)v3＝v2-△v＝v1+δv-△v＝v0-△v+δv-△v＝v0+δv-2△v(14)其中,，△v是由超/兆聲波產(chǎn)生的正壓使氣泡壓縮一次后氣泡的體積減量,，δv是由超/兆聲波產(chǎn)生的負(fù)壓使氣泡膨脹一次后氣泡的體積增量，(δv-△v)是一個(gè)周期后由方程式(5)計(jì)算出的溫度增量(△t-δt)導(dǎo)致的體積增量,。氣穴振蕩的第二個(gè)周期完成后,，在溫度的持續(xù)增長過程中，氣泡的尺寸達(dá)到更大,。氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v4為：v4＝v3+δv＝v0+δv-2△v+δv＝v0+2(δv-△v)(15)第三次壓縮后,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v5為：v5＝v4-△v＝v0+2(δv-△v)-△v＝v0+2δv-3△v(16)同理，當(dāng)氣穴振蕩的第n個(gè)周期達(dá)到**小氣泡尺寸時(shí),，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n-1為：v2n-1＝v0+(n-1)δv-n△v＝v0+(n-1)δv-n△v(17)當(dāng)氣穴振蕩的第n個(gè)周期完成后,，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n為：v2n＝v0+n(δv-△v)(18)為了將氣泡的體積限制在所需體積vi內(nèi)，該所需體積vi是具有足夠物理活動(dòng)的尺寸或者是氣泡狀態(tài)低于氣穴振蕩或氣泡密度的飽和點(diǎn),，而不會(huì)阻塞通孔,、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)的清洗液交換路徑。周期數(shù)ni可以表示為：ni＝(vi–v0-△v)/(δv-△v)+1(19)根據(jù)公式(19),，達(dá)到vi所需的時(shí)間τi可以表示為：τi＝nit1＝t1(,。

    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。進(jìn)一步的,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進(jìn)行一部份后,，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。進(jìn)一步的,，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個(gè)芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域,，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同,。進(jìn)一步的，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同,。進(jìn)一步的,，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,，該第三表面完全貼合于該第二表面,，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中,。進(jìn)一步的,，為了設(shè)計(jì)與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積,。總上所述,。半導(dǎo)體晶圓銷售電話??

    氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象,。空化氣泡的產(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響,。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu),、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中,，只有當(dāng)功率足夠高,，例如大于5-10瓦時(shí),，才會(huì)產(chǎn)生***的顆粒去除效率(“pre”),。然而，當(dāng)功率大于約2瓦時(shí),，晶圓開始有明顯的損傷,。因此，很難找到功率窗口使得晶圓在被有效清洗時(shí)避免重大的損傷,。因此,，維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制聲波機(jī)械力低于損傷限度而仍然能夠有效地去除圖案結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)顆粒的關(guān)鍵。因此,，提供一種系統(tǒng)和方法,，用于控制在晶圓清洗過程中由超聲波或兆聲波設(shè)備產(chǎn)生的氣泡氣穴振蕩，以便能夠有效地去除細(xì)小的雜質(zhì)顆粒,，而不會(huì)損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提出一種清洗半導(dǎo)體晶圓的方法，包括在清洗過程中輸送清洗液到半導(dǎo)體晶圓表面,；在該清洗過程中通過聲波換能器向清洗液傳遞聲能,，以在***預(yù)定時(shí)段以***預(yù)定設(shè)置及在第二預(yù)定時(shí)段以第二預(yù)定設(shè)置交替向聲波換能器供電，其中，清洗液中的氣泡氣穴振蕩在***預(yù)定時(shí)段內(nèi)增大,，在第二預(yù)定時(shí)段內(nèi)減小,，***預(yù)定時(shí)段和第二預(yù)定時(shí)段連續(xù)的一個(gè)接著一個(gè)，因此,。國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓 代工公司,。安徽半導(dǎo)體晶圓

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    ticuni),、鈦合金,、釩鎳合金、銀合金,、鎳合金,、銅合金、純鈷,，也可以包含鋁,、鈦、鎳,、銀,、鎳、銅各種金屬的合金,。如圖16e所示的一實(shí)施例當(dāng)中,，步驟1550所作出的金屬層的上表面，也就是第四表面,，是一個(gè)平面,。該第四表面和晶圓層的下表面，亦即***表面,，應(yīng)當(dāng)是平行的,。如圖16f所示的一實(shí)施例當(dāng)中，基板結(jié)構(gòu)的金屬層1010可以更包含兩個(gè)金屬子層1011與1012,。這兩個(gè)金屬子層1011與1012的材質(zhì)可以相同,，也可以不同。金屬子層1011的形狀與第二表面8222相應(yīng),。金屬子層1012的形狀與金屬子層1011相應(yīng),。制作金屬子層1011的工法可以和制作金屬子層1012的工法相同，也可以不同,。圖16f所示的實(shí)施例的一種變化當(dāng)中,，也可以只包含一層金屬層1010，其形狀與第二表面822相應(yīng),。如圖16g所示的一實(shí)施例當(dāng)中,，基板結(jié)構(gòu)可以包含兩個(gè)金屬子層1011與1012,。金屬子層1011的形狀與第二表面822相應(yīng)。金屬子層1012的下表面與金屬子層1011的上表面相應(yīng),，但金屬子層1012的上表面,，也就是第四表面，是一個(gè)平面,。該第四表面和晶圓層的下表面,，亦即***表面，應(yīng)當(dāng)是平行的,。雖然在圖16f與16g的實(shí)施例只示出兩個(gè)金屬子層1011與1012,，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到步驟1550可以制作出包含更多金屬子層的金屬層。北京半導(dǎo)體晶圓商家

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