圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu),。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗的流程圖,。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝,。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強(qiáng)新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內(nèi)的循環(huán),。圖19a至圖19d揭示了對(duì)應(yīng)于聲能的氣泡體積變化。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝,。圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的清洗工藝,。圖22a至圖22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的使用聲能清洗晶圓的工藝。天津12英寸半導(dǎo)體晶圓代工,。浙江美臺(tái)半導(dǎo)體晶圓

    為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片,，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域，包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu)，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同,。在一實(shí)施例中,，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出多個(gè)芯片區(qū)域,，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)都包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu),，該多個(gè)芯片區(qū)域當(dāng)中的每一個(gè)芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例,，提供一種晶圓制造方法,，其特征在于，包含：據(jù)所欲切割的多個(gè)芯片區(qū)域的大小與圖樣,，在一晶圓層的一第二表面上涂布屏蔽層,，在該多個(gè)芯片區(qū)域其中的一***芯片區(qū)域，包含該屏蔽層未覆蓋的一中心凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該中心凹陷區(qū)域位于該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域當(dāng)中,，該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍；蝕刻該中心凹陷區(qū)域的該晶圓層,；去除該屏蔽層；以及在該第二表面上制造金屬層,。在一實(shí)施例中,，為了彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，其中該***芯片區(qū)域更包含該屏蔽層未覆蓋的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域包圍該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,。重慶半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體行業(yè)，晶圓制造和晶圓加工,。

    之后為f3,，**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,，在一個(gè)實(shí)施例中,，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f3,，**后為f1,，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,，在一個(gè)實(shí)施例中,，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f1,，之后為f4,，**后為f3，且f4小于f3,f3小于f1,。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,，在一個(gè)實(shí)施例中,，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f4,，**后為f1,，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,，在一個(gè)實(shí)施例中,，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f1,，**后為f4,，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,，在一個(gè)實(shí)施例中,，在時(shí)間段τ1內(nèi)，電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f1,，**后為f3,，且f4小于f3,f3小于f1。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。參考圖10a所示,，與圖7a所示的清洗工藝相類似，在時(shí)間段τ1內(nèi),，將具有功率水平p1及頻率f1的電源應(yīng)用至聲波裝置,。然而，在時(shí)間段τ2內(nèi),，電源的功率水平降至p2而不是如圖7a所示降到零,。結(jié)果，如圖10b所示,，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至t0+δt2,。圖10c揭示了圖10a及圖10b所示的晶圓清洗工藝步驟的流程圖。

    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶圓清洗領(lǐng)域,，更具體地,，涉及采用可控聲能的濕法清洗方法和裝置。背景技術(shù)：半導(dǎo)體器件是在半導(dǎo)體晶圓上采用一系列的處理步驟來制造晶體管和互連元件,。近來,，晶體管的建立由兩維到三維，例如鰭型場效應(yīng)晶體管,?；ミB元件包括導(dǎo)電的(例如金屬)槽、通孔等形成在介質(zhì)材料中。為了形成這些晶體管和互連元件,，半導(dǎo)體晶圓經(jīng)過多次掩膜,、蝕刻和沉積工藝以形成半導(dǎo)體器件所需的結(jié)構(gòu)。例如,，多層掩膜和等離子體刻蝕步驟可以在半導(dǎo)體晶圓上的電介質(zhì)層中形成作為鰭型場效應(yīng)晶體管的鰭的凹進(jìn)區(qū)域和互連元件的槽和通孔,。為了去除刻蝕或光刻膠灰化后在鰭結(jié)構(gòu)和/或槽和通孔內(nèi)的顆粒和污染物，必須進(jìn)行濕法清洗,。然而,，濕法過程中使用的化學(xué)液可能會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁損失。當(dāng)器件制造節(jié)點(diǎn)不斷接近或小于14或16nm,，鰭和/或槽和通孔的側(cè)壁損失是維護(hù)臨界尺寸的關(guān)鍵,。為了減少或消除側(cè)壁損失，應(yīng)當(dāng)使用溫和的或稀釋的化學(xué)液,，有時(shí)甚至只使用去離子水,。然而，溫和的或稀釋的化學(xué)液或去離子水通常不能有效去除鰭結(jié)構(gòu)和/或槽和通孔內(nèi)的微粒,，因此,，需要使用機(jī)械力來有效去除這些微粒，例如超聲波/兆聲波,。超聲波/兆聲波會(huì)產(chǎn)生氣穴振蕩來為晶圓結(jié)構(gòu)的清洗提供機(jī)械力,。然而。怎么選擇質(zhì)量好的半導(dǎo)體晶圓,？

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003,，但是在其他實(shí)施例中,，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理,，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032,。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器,；圖2b示意了矩形的傳感器,；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器,；圖2e示意了半圓形的傳感器,；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器,。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004,。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時(shí)，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g,。**終氣泡3012到達(dá)內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射,。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達(dá)到上千個(gè)大氣壓和上千攝氏度),，會(huì)損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034,，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。參考圖4a所示,，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044,。半導(dǎo)體封裝晶圓切割膠帶品牌有哪些,？大連半導(dǎo)體晶圓誠信互利

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    在其他區(qū)域利用較厚的樹酯層540替換部分的金屬層510的金屬，以便適應(yīng)不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值,。在制作方面,，雖然樹酯層540的深度、形狀與位置有所變化,，但由于制作樹酯層540的工序都是一樣,，所以成本只和金屬用量的多少有關(guān)而已。請(qǐng)參考圖8a所示,，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖,。該結(jié)構(gòu)800依序包含半導(dǎo)體組件層130、晶圓層820與金屬層810,。和圖3所示的結(jié)構(gòu)300相比,，除了晶圓層820外緣的邊框之外，在晶圓層820的**,，也有加強(qiáng)用的內(nèi)框結(jié)構(gòu),。在圖8a當(dāng)中，可以看到兩個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以增進(jìn)晶圓層820的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。但需要注意的是,，安排在內(nèi)框結(jié)構(gòu)上方的半導(dǎo)體元器件,，其所適用基板結(jié)構(gòu)的電阻值就會(huì)比其他區(qū)域的電阻值來得高。因此,，可以盡量不要安排需要較低基板結(jié)構(gòu)電阻值的半導(dǎo)體元器件在這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的上方,。雖然在圖8a所示的實(shí)施例當(dāng)中，只示出兩個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822,，且該內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822相對(duì)于邊框的距離是相同的,。但本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量,、位置、形狀等配置的參數(shù),。請(qǐng)參考圖8b所示,，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖。浙江美臺(tái)半導(dǎo)體晶圓

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司位于玉山鎮(zhèn)寶益路89號(hào)2號(hào)房,，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,；半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料、電子設(shè)備,、機(jī)械設(shè)備及配件,、機(jī)電設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備,、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品、電子材料,、針紡織品,、玻璃制品、五金制品,、日用百貨,、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料（不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售,；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)） 許可項(xiàng)目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng),，具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項(xiàng)目：固體廢物治理；非金屬廢料和碎屑加工處理,；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售,；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)）公司,。在創(chuàng)米半導(dǎo)體近多年發(fā)展歷史,，公司旗下現(xiàn)有品牌SUMCO,ShinEtsu,SK等。我公司擁有強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力,，多年來一直專注于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢,、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；半導(dǎo)體設(shè)備,、半導(dǎo)體材料,、電子設(shè)備、機(jī)械設(shè)備及配件,、機(jī)電設(shè)備,、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件,、電子產(chǎn)品,、電子材料、針紡織品,、玻璃制品,、五金制品、日用百貨,、勞保用品,、化工產(chǎn)品及原料（不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù),。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)） 許可項(xiàng)目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng),，具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項(xiàng)目：固體廢物治理,；非金屬廢料和碎屑加工處理；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）,；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)）的發(fā)展和創(chuàng)新,，打造高指標(biāo)產(chǎn)品和服務(wù)。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終以質(zhì)量為發(fā)展,，把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力,，致力于為顧客帶來***的晶圓，wafer,，半導(dǎo)體輔助材料,，晶圓盒。