圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖,。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開(kāi)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式,。為明確說(shuō)明起見(jiàn),，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明,。然而，應(yīng)了解到,，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明,。也就是說(shuō)，在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中,，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的,。此外,，為簡(jiǎn)化附圖起見(jiàn),，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。附圖與說(shuō)明書中盡可能使用相同的元件符號(hào)表示相同或相似的部分,。除非另外定義,，否則本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包含技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語(yǔ))對(duì)于所屬領(lǐng)域中的技術(shù)人員通常理解的涵義。還應(yīng)理解到,，諸如常用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)的解讀,，應(yīng)使其在相關(guān)領(lǐng)域與本發(fā)明中具有一致的涵義，且將不以理想化或過(guò)度正式的意義解釋,，除非明確如此定義,。請(qǐng)參照?qǐng)D1,，其為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100的剖視圖。半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100是用以干燥半導(dǎo)體晶圓200,，半導(dǎo)體晶圓200為包含半導(dǎo)體材料的圓形薄片,，其常用于集成電路的制造。在本實(shí)施方式中,，如圖1所示,，半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含基座110、殼體120以及微波產(chǎn)生器130,?；?10被配置成承載半導(dǎo)體晶圓200。殼體120以金屬制成,。什么才可以稱為半導(dǎo)體晶圓,？開(kāi)封半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

    如圖28c所示。電壓衰減電路26090的衰減率的設(shè)置范圍在5-100之間,，推薦20,。電壓衰減可以用如下公式表達(dá)：vout＝(r2/r1)*vin假設(shè)r1＝200k,r2＝r3＝r4＝10k,vout＝(r2/r1)*vin＝vin/20其中，vout是電壓衰減電路26090輸出的振幅值,，vin是電壓衰減電路26090輸入的振幅值,，r1、r2,、r3,、r4是兩個(gè)運(yùn)算放大器28102及28104的電阻。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖26所示的整形電路26092的示例,。參考圖26所示,，電壓衰減電路26090的輸出端連接整形電路26092。電壓衰減電路26090輸出的波形輸入到整形電路26092,，整形電路26092將電壓衰減電路26090輸出的正弦波轉(zhuǎn)化為方波以便主控制器26094處理,。如圖29a所示，整形電路26092包括窗口比較器29102及或門29104,。當(dāng)vcal-圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖26及圖27所示的主控制器26094的示例,。如圖30a所示，主控制器26094包括脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102和周期測(cè)量模塊30104,。脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102用來(lái)將τ1時(shí)間的脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電平信號(hào),，τ2時(shí)間的低電平信號(hào)保持不變，如圖30b-30c所示,。圖30a示意了脈沖轉(zhuǎn)換模塊30102的電路符號(hào),，其中，clk_sys為50mhz時(shí)鐘信號(hào),，pulse_in為輸入信號(hào),，pulse_out為輸出信號(hào),。丹東質(zhì)量半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體晶圓研磨設(shè)備。

    但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，晶圓制作方法1500的各個(gè)步驟不*可以對(duì)一整個(gè)晶圓進(jìn)行,，也可以針對(duì)單一個(gè)芯片進(jìn)行。在一實(shí)施例當(dāng)中,，如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度,，可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時(shí),，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域,。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時(shí)，蝕刻的深度到達(dá)內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度,。接著,，第二次執(zhí)行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域,。接著,，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來(lái),，就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu),。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示,，屏蔽層1610已經(jīng)被去除,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術(shù),，不在此詳述,。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層,。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來(lái)進(jìn)行,。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition),、電鍍(plating)或是涂布法,。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬,、合金或金屬化合物,。舉例來(lái)說(shuō),，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni),、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni),、鈦銅鎳合金,。

    該中心凹陷區(qū)域位于該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域當(dāng)中,，該***環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域當(dāng)中。在一實(shí)施例中,，為了更彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,，其中該***芯片區(qū)域更包含該屏蔽層未覆蓋的一第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域包圍該中心凹陷區(qū)域。在一實(shí)施例中,，為了保護(hù)該金屬層,，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該晶圓制造方法更包含：在該金屬層上涂布樹酯層,。在一實(shí)施例中,，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來(lái)加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，上述的各步驟是針對(duì)該晶圓層的該多個(gè)芯片區(qū)域同時(shí)施作,。在一實(shí)施例中,，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來(lái)加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：進(jìn)行該多個(gè)芯片區(qū)域的切割,。在一實(shí)施例中,，為了使用晶圓級(jí)芯片制造技術(shù)來(lái)加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，該晶圓制造方法更包含：在該涂布樹酯層的步驟之后,，進(jìn)行該多個(gè)芯片區(qū)域的切割,。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化,。安徽半導(dǎo)體晶圓制作流程,。

    其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實(shí)施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。在一實(shí)施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì),，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同,。在一實(shí)施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計(jì)彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。在一實(shí)施例中,，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀,，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形。在一實(shí)施例中,，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀,，其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實(shí)施例中,，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低,，其中該晶圓層包含與該第二表面相對(duì)應(yīng)的一***表面，在進(jìn)行該蝕刻步驟之后,，在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離,。天津12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。棗莊標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓

半導(dǎo)體晶圓用的精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái),，國(guó)內(nèi)有廠家做嗎,？開(kāi)封半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

    圖9a至圖9d揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖11a至圖11b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖12a至圖12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。圖13a至圖13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖14a至圖14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝,。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓過(guò)程中穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)。圖15d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗的流程圖,。圖16a至圖16c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝,。圖17揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝。圖18a至圖18j揭示了氣泡氣穴振蕩控制增強(qiáng)新鮮清洗液在晶圓上的通孔或槽內(nèi)的循環(huán),。圖19a至圖19d揭示了對(duì)應(yīng)于聲能的氣泡體積變化,。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的有效清洗具有高深寬比的通孔或槽的特征的聲波晶圓清洗工藝。圖21a至圖21c揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的清洗工藝,。圖22a至圖22b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的使用聲能清洗晶圓的工藝,。開(kāi)封半導(dǎo)體晶圓來(lái)電咨詢

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