該晶圓制作方法1500可以用于制作本申請所欲保護的其他基板結(jié)構(gòu),，而不只限于基板結(jié)構(gòu)1000。步驟1510：提供晶圓。該晶圓可以是圖13或14所示的晶圓1300或1400,。在圖16a當(dāng)中，可以看到晶圓層820的剖面,。圖16a的晶圓層820的上表面,，是圖10a實施例所說的第二表面822。步驟1520：根據(jù)所欲切割芯片的大小與圖樣,，涂布屏蔽層,。在圖16b當(dāng)中，可以看到屏蔽層1610的圖樣,，形成在晶圓層820的上表面,。而每一個芯片預(yù)定區(qū)域的屏蔽層1610的圖樣，至少要在該芯片的周圍形成邊框區(qū)域,。當(dāng)所欲實施的基板結(jié)構(gòu)如同圖8a~10b所示的基板結(jié)構(gòu)800~1000,，或是具有內(nèi)框結(jié)構(gòu)時，則屏蔽層1610的圖樣可以涵蓋這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的區(qū)域,。在一實施例當(dāng)中,，上述的屏蔽層可以是光阻層(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之類的屏蔽層,。步驟1530：對晶圓進行蝕刻,。蝕刻的方式可以包含濕式蝕刻、干式蝕刻,、電漿蝕刻,、反應(yīng)離子蝕刻(rie,reactiveionetching)等。如圖16c所示,，蝕刻的深度可以約為該晶圓層820厚度的一半,，但本申請并不限定蝕刻步驟的厚度。在步驟1530之后，形成芯片邊緣的邊框結(jié)構(gòu)與/或芯片內(nèi)部的方框結(jié)構(gòu),。利用兩個步驟1520與1530,，可以形成該晶圓上所有芯片的晶圓層的全部邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)工藝流程,。北京半導(dǎo)體晶圓價錢

    其為根據(jù)本申請一實施例的晶圓1400的一示意圖,。除了下列的不同之處以外，先前有關(guān)于晶圓1300的敘述都可能可以套用在晶圓1400的實施例上,。晶圓1400包含了三種不同形狀或尺寸的芯片,，分別是芯片1310、1420與1430,。在一實施例中,，這三個芯片1310~1430可以是同一種設(shè)計的芯片。換言之,，這三個芯片1310~1430可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種,。或者說整個晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu),。在另一實施例當(dāng)中,，這三個芯片1310~1430可以是不同種設(shè)計的芯片。也就是說,，這三個芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中兩種或三種,。換言之，整個晶圓1400的多個芯片包含兩種以上的基板結(jié)構(gòu),。舉例來說,，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)500，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)900,，芯片1430可以包含基板結(jié)構(gòu)400。在另一范例中,，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)300,，芯片1420可以包含基板結(jié)構(gòu)800。圖14所示的芯片也可以包含圖6,、7,、11、12分別所示的四種剖面600,、700,、1100與1200。換言之,，本申請并不限定同一個晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面,。從圖13與14所示的晶圓1300與1400當(dāng)中可以得知，本申請并不限定同一晶圓上的芯片是否都具有同一尺寸與形狀。深圳半導(dǎo)體晶圓價格優(yōu)惠國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠家哪家好,？

    上述步驟7210至7240可以重復(fù)操作以此來縮小內(nèi)爆時間τi的范圍,。在知道內(nèi)爆時間τi后，τ1可以在安全系數(shù)下設(shè)置為小于τi的值,。以下段落用于敘述本實驗的一實例,。假設(shè)圖案結(jié)構(gòu)為55nm的多晶硅柵線，超聲波的頻率為1mhz,，使用prosys制造的超聲波或兆聲波裝置,，采用間隙振蕩模式(在pct/cn2008/073471中披露)操作以在晶圓內(nèi)和晶圓間獲得更均勻能量分布。以下表2總結(jié)了其他試驗參數(shù)以及**終的圖案損傷數(shù)據(jù)：表2在一個試驗中,，當(dāng)τ1＝2ms(或周期數(shù)為2000)時,，前面提到的聲波清洗工藝在55nm的特征尺寸下，對圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷高達1216個點,。當(dāng)τ1＝(或周期數(shù)為100)時,，聲波清洗工藝對相同的圖案結(jié)構(gòu)造成的損傷為0。所以τi為,。通過縮小τ1的范圍來做更多的試驗可進一步縮小τi的范圍,。在上述實驗中，周期數(shù)取決于超聲波或兆聲波的功率密度和頻率,。功率密度越大,，則周期數(shù)越小,；頻率越低,，則周期數(shù)越小。從以上實驗結(jié)果可以預(yù)測出無損傷的周期數(shù)應(yīng)該小于2000,，假設(shè)超聲波或兆聲波的功率密度大于,，頻率小于或等于1mhz。如果頻率增大到大于1mhz或功率密度小于,，那么可以預(yù)測周期數(shù)將會增加,。知道時間τ1后，τ2也可以基于與上述相似的doe方法來獲得,。確定時間τ1,。

    并且與基座110形成腔室c。在實際應(yīng)用中,，殼體120接觸基座110,。依據(jù)實際情況，殼體120可與基座110密封地接觸,，然而本發(fā)明不以此為限,。由殼體120與基座110形成的腔室c被配置成容納半導(dǎo)體晶圓200,。殼體120具有排氣口121，其遠(yuǎn)離基座110設(shè)置,。微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120上,，并且被配置成對半導(dǎo)體晶圓200所在的腔室c發(fā)射微波w。在半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100運行的期間,，半導(dǎo)體晶圓200首先被設(shè)置于基座110上,，使得半導(dǎo)體晶圓200位于殼體120與基座110所形成的腔室c內(nèi)。接下來,，微波產(chǎn)生器130對位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200發(fā)射微波w,，使得先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓200表面的水(圖未示)接收到發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w。如此一來,，半導(dǎo)體晶圓200表面的水被加熱并轉(zhuǎn)換成水蒸氣s,，而水蒸氣s隨后經(jīng)由殼體120的排氣口121排出腔室c。因此,，半導(dǎo)體晶圓200表面的水被移除,，使得半導(dǎo)體晶圓200變得干燥。運用微波w移除先前的工藝殘留于半導(dǎo)體晶圓200表面上的水,，使得干燥過程變得簡單,，從而能有效降低干燥半導(dǎo)體晶圓200的作業(yè)成本。此外,，如圖1所示,，微波產(chǎn)生器130設(shè)置于殼體120外。殼體120具有多個穿孔h1,，其被配置成供微波w穿越,，使得發(fā)射自微波產(chǎn)生器130的微波w得進入腔室c。半導(dǎo)體晶圓推薦廠家..

    但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，晶圓制作方法1500的各個步驟不*可以對一整個晶圓進行,，也可以針對單一個芯片進行。在一實施例當(dāng)中,，如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度,，可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時,，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時,，蝕刻的深度到達內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度,。接著，第二次執(zhí)行步驟1530,，屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域,。接著,，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來,，就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu),。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示,，屏蔽層1610已經(jīng)被去除,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術(shù),，不在此詳述,。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層,。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進行,。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition),、電鍍(plating)或是涂布法,。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬,、合金或金屬化合物,。舉例來說，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni),、鎳鋁合金(alni),、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金,。半導(dǎo)體晶圓信息匯總,。天水半導(dǎo)體晶圓行價

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    在步驟33050中,，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后,，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中,，將檢測到的斷電時間與預(yù)設(shè)時間τ2進行比較,，如果檢測到的斷電時間短于預(yù)設(shè)時間τ2，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報警信號,。在步驟33070中,，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復(fù)步驟33010-33060,。或者,，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度,，取而代之的是,，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖,。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始,，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34020中,，設(shè)置超聲波或兆聲波裝置的頻率為f1,，功率為p1以驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置。在步驟34030中,，檢測聲波電源輸出的振幅并將其與預(yù)設(shè)值進行比較,，如果檢測到的振幅高于預(yù)設(shè)值，則關(guān)閉電源并發(fā)出報警信號,。在步驟34040中,，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前，設(shè)置電源輸出為零,。在步驟34050中,，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1,。在步驟34060中,，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度,，則重復(fù)步驟34010-34050,。北京半導(dǎo)體晶圓價錢

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