圖11a所示的實施例是圖8a所示的結(jié)構(gòu)800,，因此使用了金屬層810與晶圓層820的符號,。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,，剖面1100可以適用于結(jié)構(gòu)900或1000,，金屬層810可以代換為金屬層1010。先前提到過,，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀,。舉例來說，內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是x字型,，還可以是v字型,，也可以是井字型，也就是兩組互相垂直的并行線結(jié)構(gòu),。在圖11a所示的實施例當(dāng)中,，晶圓層820的外緣形狀是正方形，用白色來表示,。晶圓層820的四個邊框的820a寬度相等,。在金屬層810a的內(nèi)部，還有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b,。該內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b的內(nèi)部尚有金屬層810b,。圖11a所示晶圓層820的邊框結(jié)構(gòu)820a與內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b是同心的相應(yīng)形狀。由于芯片的設(shè)計當(dāng)中,，在中心的區(qū)域由于具有和四邊等距離的幾何特性,，因此通常是**適合放置邏輯電路。而在周邊的區(qū)域,，則通常會放置和存取相關(guān)的模擬電路,。在這種的電路設(shè)計當(dāng)中，由于邏輯電路一旦故障,，整個芯片可能就得報廢,。而模擬電路的線路通常較粗，可能承受相同程度的損傷還不至于故障,。所以可以利用內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b來加強邏輯電路中心區(qū)域的結(jié)構(gòu)強度,，以增加芯片的強固程度。再者,，雖然在圖11a所示的實施例當(dāng)中,，只有一個內(nèi)框結(jié)構(gòu)820b。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解到,。半導(dǎo)體行業(yè),，晶圓制造和晶圓加工。開封標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓

    功率為p1時檢測到的通電時間和預(yù)設(shè)時間τ1進行比較,，如果檢測到的通電時間比預(yù)設(shè)時間τ1長,，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源,；檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預(yù)設(shè)時間τ2,，如果檢測到的斷電時間比預(yù)設(shè)時間τ2短,，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源,。在一個實施例中,，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導(dǎo)體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導(dǎo)體基板,。本發(fā)明提供了另一種使用超聲波或兆聲波清洗半導(dǎo)體基板的裝置,，包括卡盤、超聲波或兆聲波裝置,、至少一個噴頭,、超聲波或兆聲波電源、主機和檢測電路,?？ūP支撐半導(dǎo)體基板。超聲波或兆聲波裝置置于半導(dǎo)體基板附近,。至少一個噴頭向半導(dǎo)體基板和半導(dǎo)體基板與超聲波或兆聲波裝置之間的空隙中噴灑化學(xué)液體,。主機設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置,，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導(dǎo)體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前,，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后,，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1,，功率為p1。天津半導(dǎo)體晶圓模具半導(dǎo)體晶圓市場價格是多少,？

    在一實施例中,，為了保護該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層,，具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面,。在一實施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計簡化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同,。在一特定實施例中，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計更加簡化,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。在一實施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計,，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。在一特定實施例中,，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計彈性,，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域,、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同,。在一實施例中，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀,，其中該中心凹陷區(qū)域是矩形,。在一實施例中，為了配合大多數(shù)方形芯片的形狀,。

    本申請關(guān)于半導(dǎo)體,，特別是關(guān)于晶圓級芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的設(shè)計與制作。背景技術(shù)：現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄短小,，集成電路的尺寸不*縮小,，還有薄型化的趨勢。相較于傳統(tǒng)芯片,，薄型化的芯片能夠承受的物理應(yīng)力與熱應(yīng)力較小,。在進行熱處理與其他加工工藝時，特別是當(dāng)芯片焊貼到印刷電路板時,，物理應(yīng)力與熱應(yīng)力容易造成基板的裂紋與/或翹曲,，進而導(dǎo)致半導(dǎo)體元器件失效。除此之外,，當(dāng)芯片薄型化之后,，由于導(dǎo)電的線路可能變小變窄，使得電阻增加,。不利于降低消耗功率,，也導(dǎo)致溫度上升的速度較快。當(dāng)散熱效率無法應(yīng)付溫度上升的速度時,，可能需要額外的散熱組件,，就喪失薄型化芯片的優(yōu)點。據(jù)此，需要一種具有較強強度的基板結(jié)構(gòu),，以便減低芯片在進行熱處理,、加工與焊貼等工序時，因為應(yīng)力或熱應(yīng)力而導(dǎo)致失效的機率,。在此同時,，還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值，以便減少消耗功率,，降低熱耗損,，增進芯片的使用壽命。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請所提供的基板結(jié)構(gòu)以及晶圓級芯片封裝的基板結(jié)構(gòu),，在芯片的中心部分具有較薄的晶圓層,，可以降低基板結(jié)構(gòu)的整體電阻值。在芯片的周邊部分具有邊框結(jié)構(gòu),，在芯片的中心部分可以具有一或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),，以彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度。進口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢,？

    聲壓pm朝膨脹方向拉伸氣泡,，如圖5c所示。因此,，負(fù)的聲壓pm也對周圍的液體做部分功,。由于共同作用的結(jié)果，氣泡內(nèi)的熱能不能全部釋放或轉(zhuǎn)化為機械能,，因此,，氣泡內(nèi)的氣體溫度不能降低到**初的氣體溫度t0或液體溫度。如圖6b所示,，氣穴振蕩的***周期完成后,，氣泡內(nèi)的氣體溫度t2將在t0和t1之間。t2可以表達如下：t2＝t1-δt＝t0+δt-δt(5)其中,，δt是氣泡膨脹一次后的溫度減量,，δt小于δt。當(dāng)氣穴振蕩的第二周期達到**小氣泡尺寸時,，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t3為：t3＝t2+δt＝t0+δt-δt+δt＝t0+2δt-δt(6)當(dāng)氣穴振蕩的第二周期完成后,，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t4為：t4＝t3-δt＝t0+2δt-δt-δt＝t0+2δt-2δt(7)同理，當(dāng)氣穴振蕩的第n個周期達到**小氣泡尺寸時,，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t2n-1為：t2n-1＝t0+nδt–(n-1)δt(8)當(dāng)氣穴振蕩的第n個周期完成后,，氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t2n為：t2n＝t0+nδt-nδt＝t0+n(δt-δt)(9)根據(jù)公式(8)，內(nèi)爆的周期數(shù)ni可以表達如下：ni＝(ti-t0-δt)/(δt–δt)+1(10)根據(jù)公式(10),，內(nèi)爆時間τi可以表達如下：τi＝nit1＝t1((ti-t0-δt)/(δt–δt)+1)＝ni/f1＝((ti-t0-δt)/(δt–δt)+1)/f1(11)其中,，t1為循環(huán)周期,。半導(dǎo)體晶圓的市場價格？遼陽半導(dǎo)體晶圓推薦貨源

半導(dǎo)體制程重要輔助設(shè)備,。開封標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓

    f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11),，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時間τi可以被計算出來,。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時間τi和(δt–δt)的關(guān)系,，假設(shè)ti＝3000℃,，δt＝℃，t0＝20℃,，f1＝500khz,，f1＝1mhz，及f1＝2mhz,。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11),。參考圖6a所示，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩,。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加,，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部,，導(dǎo)致氣泡6082的尺寸隨著時間的推移而增加,，如圖6c所示。**終,，在壓縮過程中氣泡6082內(nèi)部的溫度將達到內(nèi)爆溫度ti(通常ti高達幾千攝氏度),，猛烈的微噴射6080發(fā)生，如圖6c所示,。因此,，為了避免在清洗期間損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)，必須保持穩(wěn)定的氣穴振蕩,，避免氣泡內(nèi)爆和發(fā)生微噴射,。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖7a揭示了間歇供給聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩的電源輸出的波形,。圖7b揭示了對應(yīng)每個氣穴振蕩周期的溫度曲線,。圖7c揭示了在每個氣穴振蕩周期期間，氣泡的尺寸在τ1時間段內(nèi)增加及在τ2時間段內(nèi)電源切斷后氣泡尺寸減小,。開封標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶圓

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