在步驟33050中,，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后,，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中,，將檢測到的斷電時間與預(yù)設(shè)時間τ2進行比較,，如果檢測到的斷電時間短于預(yù)設(shè)時間τ2,，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報警信號。在步驟33070中,，檢查晶圓的清潔度,，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟33010-33060?；蛘?，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是,，使用的周期數(shù)可能是預(yù)先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定,。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始,，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液,。在步驟34020中，設(shè)置超聲波或兆聲波裝置的頻率為f1,，功率為p1以驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置,。在步驟34030中，檢測聲波電源輸出的振幅并將其與預(yù)設(shè)值進行比較,，如果檢測到的振幅高于預(yù)設(shè)值,，則關(guān)閉電源并發(fā)出報警信號。在步驟34040中,，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前,，設(shè)置電源輸出為零。在步驟34050中,，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后,，聲波電源再次被設(shè)置為頻率為f1及功率為p1。在步驟34060中,，檢查晶圓的清潔度,，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復(fù)步驟34010-34050,。半導(dǎo)體硅晶圓領(lǐng)域分析,。江蘇半導(dǎo)體晶圓多大

    圖案結(jié)構(gòu)4034包括需要清潔的多個特征，包括但不限于鰭,、通孔,、槽等。氣泡4044變成微噴射,，它可以非常猛烈,，達到幾千大氣壓以及幾千攝氏度。參考圖4b所示,，一旦微噴射發(fā)生,，圖案結(jié)構(gòu)4034的一部分被損傷。對于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圓,，這種損傷更為嚴(yán)重,。圖5a至圖5c揭示了在晶圓清洗過程中氣泡5016內(nèi)的熱能變化。當(dāng)聲波正壓作用在氣泡5016上時，氣泡5016如圖5a中所示體積減小,。在體積減小的過程中,，聲波壓強pm對氣泡5016做功，機械功轉(zhuǎn)化為氣泡5016內(nèi)的熱能,。因此,，氣泡5016內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度t如圖5b所示那樣增加。各參數(shù)間的關(guān)系可用如下公式表示：p0v0/t0＝pv/t(1)其中,，p0是壓縮前氣泡內(nèi)部的壓強,，v0是壓縮前氣泡的初始體積，t0是壓縮前氣泡內(nèi)部的氣體溫度,，p是受壓時氣泡內(nèi)部的壓強,，v是受壓時氣泡的體積,，t是受壓時氣泡內(nèi)部的氣體溫度,。為了簡化計算，假設(shè)壓縮或壓縮非常慢時氣體的溫度沒有變化,，由于液體包圍了氣泡而導(dǎo)致的溫度的增加可以忽略,。因此，一次氣泡壓縮過程中(從體積n單位量至體積1單位量或壓縮比為n),，聲壓pm所做的機械功wm可以表達如下：wm＝∫0x0-1psdx＝∫0x0-1(s(x0p0)/(x0-x))dx＝sx0p0∫0x0-1dx/(x0-x)＝-sx0p0ln,。半導(dǎo)體晶圓銷售廠家國外半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品品質(zhì)怎么樣？

    圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22揭示的晶圓清洗工藝的晶圓清洗裝置,。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22所揭示的晶圓清洗工藝的另一晶圓清洗裝置的剖視圖,。圖25揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于監(jiān)測采用聲能清洗晶圓的工藝參數(shù)的控制系統(tǒng)。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖,。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖,。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的電壓衰減電路。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的整形電路,。圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26及圖27所示的主控制器,。圖31揭示了主機關(guān)閉聲波電源后聲波電源繼續(xù)振蕩幾個周期。圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路,。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖,。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。具體實施方式本發(fā)明的一個方面涉及使用聲能進行半導(dǎo)體晶圓清洗時控制氣泡氣穴振蕩,。下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例,。參考圖1a至圖1b。

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu),，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度,。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的,，以便簡化設(shè)計。在另一實施例當(dāng)中,，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的,。在更一實施例當(dāng)中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應(yīng)的,。舉例來說,，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同,?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當(dāng)中,，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖,。圖11b所示的實施例,，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),。本申請所欲保護的技術(shù)特征在于,，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強該一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu),，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個數(shù),。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖,。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面,。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀,，其可以是正方形,、矩形、橢圓形,、圓形,。怎么選擇質(zhì)量好的半導(dǎo)體晶圓？

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個晶圓1010上接收均勻的聲波能量,。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個聲波裝置1003,，但是在其他實施例中，也可以同時或間歇使用兩個或多個聲波裝置,。同理,，也可以使用兩個或多個噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032,。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器,；圖2b示意了矩形的傳感器,；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器,；圖2e示意了半圓形的傳感器,；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器,。這些形狀中的每一個聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004,。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時,，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g,。**終氣泡3012到達內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示,，微噴射很猛烈(可達到上千個大氣壓和上千攝氏度),，會損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時,。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu),。參考圖4a所示,，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042,，4044。天津12英寸半導(dǎo)體晶圓代工,。上海半導(dǎo)體晶圓誠信推薦

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    請參考圖10a所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖,。和圖9所示的實施例不同之處,，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810,，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬,。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離,，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離,。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本,，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本,。請參考圖10b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖,。圖10b所示的實施例是圖10a所示實施例的一種變形,。和圖10a的金屬層1010相比,，圖10b所示實施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實施例的其余特征均與圖10a所示實施例相同,。請參考圖11a所示,，其為根據(jù)本申請一實施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面,，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面,，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。為了方便說明起見,。江蘇半導(dǎo)體晶圓多大

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