可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？萍挤?wù)生活,，高時效提升品質(zhì),。浙江原裝富士IGBT誠信為本

測量方法 鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以,。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽極和控制極正反向都不通） 。 控制極與陰極之間是一個P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。 若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,。 可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上,，可控硅的功用不僅是整流進(jìn)口富士IGBT規(guī)格齊全萱鴻科技,，**妥協(xié)的品質(zhì)，不斷創(chuàng)新的技術(shù),。

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。 普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測,。大家知道,，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個二極管,，G為正極,、K為負(fù)極，所以,，按照測試二極管的方法,，找出三個極中的兩個極，測它的正,、反向電阻,，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G,，可以用剛才演示用的示教板電路,。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB,，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的,。 關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率 當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高,，這種情況**易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感,。

維持電流IH 在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。

關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT

在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通,。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管),。

萱鴻科技，為科技強軍護(hù)航,。

在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實現(xiàn)了可控整流,。電流 ⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。 ⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓,。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。 ⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。 4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,，允許通過陰極和陽極的電流平均值,。 全球品牌，我們共同擁有,！上海熱賣富士IGBT誠信合作

萱鴻科技,，**科技。浙江原裝富士IGBT誠信為本

可控硅開關(guān) （四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、**率可控硅和小功率可控硅三種,。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝,，而中,、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。 （五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。 （六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。 （七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā),，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位）,，來改變輸出百分比。浙江原裝富士IGBT誠信為本

上海萱鴻電子科技有限公司是一家專業(yè)制造整流二極管,，可控硅,，整流橋,，模塊以及出口型二極管，可控硅,。銷售,，原裝進(jìn)口的IR（美國國際整流器）/VISHAY(威士），SEMIKRON（西門康）,，MITSUBISHI（三菱）,，INFINEON（英飛凌）,SANREX(三社），IXYS(艾克塞斯）,，NELL(尼爾）,，F(xiàn)UJU(富士），WESTCODE（西瑪）,，TOSHIBA（東芝）,，等國際**品牌的整流管，可控硅,，整流橋,，模塊，IGBT系類的公司,，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實,、誠實可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來,，投身于IGBT模塊 ，二極管模塊,，整流橋模塊 ,，晶閘管模塊，是電子元器件的主力軍,。上海萱鴻電子致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產(chǎn)品上的貼心,，為用戶帶來良好體驗。上海萱鴻電子始終關(guān)注自身,，在風(fēng)云變化的時代,，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使上海萱鴻電子在行業(yè)的從容而自信,。