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igbt和mosfet的區(qū)別

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-13

IGBT發(fā)生短路時(shí),,電流上升至4倍額定電流以上,終IGBT是要將這個(gè)電流關(guān)斷掉的,,這時(shí)的電流的數(shù)值比平常變流器額定工作時(shí)的電流高了很多,所以此時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰也是非常高的,。為了防止電壓尖峰損壞IGBT,還需要引入我們昨天聊過(guò)的電路——有源鉗位電路,但并不是所有的驅(qū)動(dòng)電路都需要配備有源鉗位功能,,容量比較大的IGBT,,就比較有必要配置此電路。對(duì)于小功率IGBT模塊,,通常采用直接串電阻的方法來(lái)檢測(cè)器件輸出電流,,從而判斷過(guò)電流故障,通過(guò)電阻檢測(cè)時(shí),,無(wú)延遲,;輸出電路簡(jiǎn)單;成本低,;但檢測(cè)電路與主電路不隔離,,檢測(cè)電阻上有功耗,因此,,只適合小功率IGBT模塊,。比如:5.5KW以下的變頻器。器件關(guān)斷偏置的要求,、柵極電荷的要求,、耐固性要求和電源的情況。igbt和mosfet的區(qū)別

回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展,,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,,該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小,;電流控制,,控制電路復(fù)雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET,。但隨著終端應(yīng)用的需求,,需要一種新功率器件能同時(shí)滿足:驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開(kāi)關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來(lái)的研究,,導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明,。開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,,IGBT每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,,開(kāi)通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,,還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec,。IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高,開(kāi)關(guān)次數(shù)就越多,損耗功率就也高,,那乘以散熱器的熱阻后,,IGBT的溫升也越高,如果溫度高到超出了IGBT的上限,,那IGBT就失效了,。



igbt結(jié)構(gòu)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對(duì)整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。

IGBT是什么,。全名叫 -- 絕緣柵雙極性晶體管,,是當(dāng)今社會(huì)比較新型也是利用比較的功率電子元器件。它的作用是將整流后的直流電再變成中頻交流電,,應(yīng)用,,電磁爐,變頻空調(diào),,逆變電焊機(jī)等等很多的電源中,。絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,,輸出極為PNP晶體管,,因此,可,。絕緣柵雙極性晶體管,,大功率模塊。在IC處于飽和狀態(tài)時(shí),,可以降低導(dǎo)通期間從P+基片注入的空穴數(shù)量的百分比,,把導(dǎo)通損耗定義成功率損耗是可行的,集電極電流引起以下問(wèn)題,,Rg值對(duì)功耗的,。

IGBT模塊應(yīng)用范圍十分,不僅是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的技術(shù)部件,,廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端,、輸電端、變電端及用電端,,也已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件,。就新能源車(chē)來(lái)說(shuō),IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半,,占整車(chē)成本的7-10%,,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車(chē)的能源效率,。由于IGBT器件處在電力產(chǎn)品的位置,,產(chǎn)品在惡劣運(yùn)行環(huán)境與極端工況下,,客戶除了對(duì)器件的開(kāi)關(guān)性能關(guān)注外,還對(duì)器件的安全工作區(qū)和長(zhǎng)期可靠性要求極高,。頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,,可正常工作于幾十kHz頻率。

IGBT絕緣柵雙極型功率管,,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,載流密度大,,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,,載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為1500V的高壓變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容,,所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象,。雖然我們盡量考慮去降低該影響(提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流,設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等),。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通,,因?yàn)橐粋€(gè)橋臂未完全關(guān)斷,而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài),,直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重(比較好的結(jié)果是過(guò) 熱),。IGBT是怎么個(gè)意思?IGBT的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)際上應(yīng)與MOSFET的相同,。igbt驅(qū)動(dòng)板 驅(qū)動(dòng)

絕緣柵雙極型晶體管在大家熟悉的電動(dòng)汽車(chē)上就有大量運(yùn)用,。igbt和mosfet的區(qū)別

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率,、直流交流轉(zhuǎn)換等,。功率半導(dǎo)體細(xì)分為功率器件(分立器件的一支)和功率IC(集成電路的一支)。理想情況下,,完美的轉(zhuǎn)化器在打開(kāi)的時(shí)候沒(méi)有任何電壓損失,,在開(kāi)閉轉(zhuǎn)換的時(shí)候沒(méi)有任何的功率損耗,,因此功率半導(dǎo)體這個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新,,其目標(biāo)都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其中,,IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品,。igbt和mosfet的區(qū)別

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