碳化硅是全球較先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料,。和一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比,，它具有耐高壓,、高頻,、大功率等優(yōu)良的物理特性，是衛(wèi)星通訊,、高壓輸變電,、軌道交通,、電動(dòng)汽車,、通訊基站等重要領(lǐng)域的重要材料,，尤其是在航天、**等領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì),。N型碳化硅晶片的作用是用于制造電力電子器件,，可用于電動(dòng)汽車,。據(jù)介紹，目前的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航還是個(gè)問題,。如果用上碳化硅晶片的話,，就能在電池不變的情況下,，使汽車的續(xù)航力增加10%左右,。雖然碳化硅在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用才剛剛起步,，但每生產(chǎn)一輛電動(dòng)汽車，至少要消耗一片碳化硅,，按照我國(guó)電動(dòng)汽車保有量每年增長(zhǎng)70%的速度來(lái)看,，碳化硅只在電動(dòng)汽車領(lǐng)域就將帶動(dòng)一個(gè)千億級(jí)的產(chǎn)業(yè)集群,。β-碳化硅,，立方晶系結(jié)構(gòu),，與鉆石相似,，則在低于2000 °C生成,，結(jié)構(gòu)如頁(yè)面所示。徐匯區(qū)碳化硅廠家哪家便宜

因?yàn)橛泊嗖牧系目估瓘?qiáng)度比抗壓強(qiáng)度要小,，對(duì)磨粒施加載荷時(shí),，會(huì)在硬脆材料表面的拉伸應(yīng)力的較大處產(chǎn)生微裂紋,。當(dāng)縱橫交錯(cuò)的裂紋延伸且相互交叉時(shí)，受裂紋包圍的部分就會(huì)破碎并崩離出小碎塊,。此為硬脆材料研磨時(shí)的切屑生成和表面形成的基本過(guò)程,。由于碳化硅材料屬于高硬脆性材料，需要采用專門用的研磨液,，碳化硅研磨的主要技術(shù)難點(diǎn)在于高硬度材料減薄厚度的精確測(cè)量及控制,，磨削后晶圓表面出現(xiàn)損傷、微裂紋和殘余應(yīng)力,，碳化硅晶圓減薄后會(huì)產(chǎn)生比碳化硅晶圓更大的翹曲現(xiàn)象,。 徐匯區(qū)碳化硅廠家哪家便宜由于其高熱導(dǎo)性、高崩潰電場(chǎng)強(qiáng)度及高較大電流密度,。

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多,，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時(shí)。因此,，通過(guò)使用更大的芯片面積來(lái)優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的,。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率,。大功率要求功率芯片和模塊大量并聯(lián),。目前，可以獲得額定電流高達(dá)200A的硅IGBT和傳統(tǒng)續(xù)流二極管,，SiC MOSFET和肖特基二極管的較大額定電流迄今為止小于100A,。因此，不得不并聯(lián)大量的SiC晶片以實(shí)現(xiàn)大額定功率,?？紤]到SiC器件的快速開關(guān)特性和振蕩趨勢(shì),，需要低電感模塊設(shè)計(jì)和DCB基板上優(yōu)化的芯片布局,。在下文中，1200V,、900A全SiC模塊與1300A的常規(guī)硅模塊相對(duì)比,。 IGBT模塊利用2塊并聯(lián)的DCB基板,，每個(gè)基板配有并聯(lián)的9個(gè)75A溝道IGBT,，連同5個(gè)100A CAL續(xù)流二極管。

對(duì)比熱數(shù)據(jù),，全SiC模塊顯示出比傳統(tǒng)硅模塊更低的熱阻,。這是由于與Si相比,，SiC具有更高的熱傳導(dǎo)率和更好的熱擴(kuò)散能力：在此布局中,，4個(gè)SiC二極管芯片在相同的空間上代替1個(gè)硅二極管,。SiC器件更低的熱阻是特別重要的,，因?yàn)樵谶@種情況下硅芯片使用了21 cm2的總面積,，而全SiC模塊只用了10 cm2,。與硅模塊的通態(tài)損耗相比，全SiC模塊的通態(tài)損耗更高,。SiC肖特基二極管的正向壓降也是這樣,。全SiC模塊的動(dòng)態(tài)損耗非常低：SiC MOSFET的開關(guān)損耗比硅IGBT低4倍,，SiC肖特基二極管的損耗低8-9倍,。 碳化硅可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1～2倍,。

2012年**季度,，中國(guó)鋼鐵廠開工率較低,，只有到10月份以后鋼廠增加了開工率,，對(duì)原料和耐火材料的消耗才略有增加，消耗了部分庫(kù)存,。據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì)顯示：2012年全年,，中國(guó)碳化硅出口16.47萬(wàn)噸，同比下降23.83%,，出口2.75億美元,，同比下降44.28%，出口平均價(jià)格1671.53美元/噸,，同比下降26.84%,。出口量?jī)r(jià)大幅度下降。全年領(lǐng)證量合計(jì)17.1萬(wàn)噸，占全年出口量的104%,。生產(chǎn)的碳化硅主要的出口國(guó)家有美國(guó),、日本、韓國(guó),、及某些歐洲國(guó)家,。從出口的20個(gè)省市分析，比2011年增加了一個(gè)新疆,。出口數(shù)量在萬(wàn)噸以上的省市分別依次為寧夏,、河南、江蘇,、北京,、遼寧和山東，合計(jì)出口量11.8萬(wàn)噸,，占出口總量的71.64%,，市場(chǎng)份額分別為18.21%、12.99%,、12.71%,、11.4%、9.72%和6.61%,，六個(gè)省市出口數(shù)量均呈下滑態(tài)勢(shì),，其中寧夏同比下滑幅度較高，為32.62%,；從出口單價(jià)看,，同比下滑幅度較大的是遼寧，達(dá)35.3%,，寧夏和江蘇的單價(jià)同比下滑也高于全國(guó)平均數(shù),。碳化硅在C、N,、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,，碳化硅為應(yīng)用普遍,、經(jīng)濟(jì)的一種,。徐匯區(qū)碳化硅咨詢

碳化硅至少有70種結(jié)晶型態(tài)。徐匯區(qū)碳化硅廠家哪家便宜

在10A的額定電流下,，硅續(xù)流二極管展現(xiàn)出較低的正向壓降,，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現(xiàn)出較高的正向壓降,。正向電壓與溫度之間的關(guān)聯(lián)差別很大：快速硅二極管具有負(fù)的溫度系數(shù),，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對(duì)于12A以上的電流，CAL的溫度系數(shù)為正,，SiC肖特基二極管即使電流為4A時(shí),，溫度系數(shù)也為正。由于二極管通常并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)大功率器件,，需要具有正溫度系數(shù)以避免并聯(lián)二極管中的電流不平衡和運(yùn)行溫度不均勻,。這里，SiC肖特基二極管顯示出較佳的性能,。但與常規(guī)硅二極管相比,，SiC肖特基二極管的靜態(tài)損耗較高。徐匯區(qū)碳化硅廠家哪家便宜

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