反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓,。5,、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。浦東新區(qū)新時(shí)代可控硅電源
不會(huì)在整流段引起波形的變形,沒(méi)有關(guān)斷角的削波現(xiàn)象,,并且用大電容濾波,,因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小??煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢(shì):隨著我國(guó)工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問(wèn)題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn):1.生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單、進(jìn)出料靈活,、自動(dòng)化程度高,,可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn);2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少,,效率高,鍛件質(zhì)量好,;3.工件加熱長(zhǎng)度,、速度、溫度等可精確控制,;4.工件加熱均勻,、芯表溫差小,控制精度高,;普陀區(qū)新時(shí)代可控硅電源可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用。
結(jié)構(gòu)原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,,共有三個(gè)PN結(jié),,分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,,其等效圖解如右圖所示,。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管,。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花,、動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn),。從外表上看,,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極,。但是,,它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極
由圖可見(jiàn),,雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),,我們稱為正向電壓,,并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,,這時(shí)的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl,。從圖中可以看到,,觸發(fā)電流越大,轉(zhuǎn)折電壓就越低,,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的, 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí),,叫做反向電壓,,并用符號(hào)U12表示。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),,圖3(b)觸發(fā)導(dǎo)通,,這時(shí)的電流為I12,,其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線,,如圖4中第三象限所示,。四種觸發(fā)方式而是經(jīng)過(guò)BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,。
普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,,就可以構(gòu)成可控整流電路,。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),,晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫(huà)出它的波形(c)及(d),,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),,負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早,,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,,IC1又是BG2的基極電流Ib2。浦東新區(qū)品牌可控硅電源
當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,。浦東新區(qū)新時(shí)代可控硅電源
并且用大電容濾波,,因此諧波數(shù)小對(duì)電網(wǎng)的干擾小??煽毓桦娫摧^高頻的優(yōu)勢(shì):隨著我國(guó)工業(yè)化進(jìn)程的飛速發(fā)展,感應(yīng)加熱領(lǐng)域也再快速發(fā)展.由于環(huán)保要求以及煤炭漲價(jià),用焦煤加熱不僅不符合環(huán)保要求,而且在價(jià)格和經(jīng)濟(jì)上也非常的不合算.另一方面,目前工業(yè)加熱還大量使用著KGBS以可控硅為主器件的中頻加熱設(shè)備.功率因數(shù)低耗費(fèi)著大量的電能.隨著金融危機(jī)的曼延,節(jié)能降耗,縮減成本已經(jīng)成為中小企業(yè)非常迫切的問(wèn)題.于是我們利用近20年的感應(yīng)加熱經(jīng)驗(yàn),成功研制出JZ(IGBT)系列節(jié)能型中頻,。中頻感應(yīng)加熱電源特點(diǎn):1.生產(chǎn)操作簡(jiǎn)單、進(jìn)出料靈活,、自動(dòng)化程度高,,可實(shí)現(xiàn)在線式生產(chǎn);2.工件加熱速度快,、氧化脫碳少,,效率高,鍛件質(zhì)量好,;浦東新區(qū)新時(shí)代可控硅電源
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